【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及数据处理，具体涉及一种mosfet器件的阈值电压调整方法。
技术介绍
1、mosfet器件即为金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种常见的半导体器件，广泛用于电子电路中电子信号的放大、开关和模拟信号处理。阈值电压是mosfet器件的关键参数，表示在栅极和源极之间的电压，阈值电压决定mosfet器件何时开始导通。在实际工作过程中，mosfet器件的阈值电压会受到多种因素的影响，如环境温度、工作电压等，这些因素会导致阈值电压产生异常偏离。
2、为了使阈值电压保持在能够正常工作的范围内，需要筛选出异常阈值电压并对异常阈值电压进行调整补偿。可以使用cblof算法对异常阈值电压进行筛选，但是，在筛选异常阈值电压的过程中，部分数据簇的强聚集性会导致这些数据簇内的数据的异常离群因子无明显差异，所以，无法根据异常离群因子准确地区分正常样本数据和异常样本数据，使异常阈值电压筛选的准确性不足。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种mosfet器件的阈值电压调整方法，以解决异常阈值电压筛选准确性不足的问题，所采用的技术方案具体如下：
2、本专利技术一个实施例提供了一种mosfet器件的阈值电压调整方法，该方法包括以下步骤：
3、采集mosfet器件在工作过程中的实时温度和实时电压阈值，建立温度-电压阈值坐标系，结合实时温度和实时电压阈值确定标记的温度-电压阈值坐标系和点；
4、根据标记的温度-电压阈值坐标系确定聚类簇，根据不同点之间的距离，获取
5、通过线性归一化的方式，根据点的离散程度获取点的权值，根据聚类簇内包含点的数量划分大簇和小簇，根据大簇和小簇确定每个点的异常离群因子，根据每个点的权值对异常离群因子进行加权，获取点的异常评价；
6、根据点的异常评价获取异常评价序列，确定异常评价序列的分割数值，根据分割数值对异常评价序列进行划分，获取第一异常评价序列，根据第一异常评价序列确定异常阈值电压，对异常阈值电压采取调整措施，实现mosfet器件的阈值电压调整。
7、进一步，所述建立温度-电压阈值坐标系，结合实时温度和实时电压阈值确定标记的温度-电压阈值坐标系和点，包括的具体方法为：
8、以实时温度为横坐标，实时电压阈值为纵坐标，建立温度-电压阈值坐标系；
9、相同时刻采集的实时温度和实时电压阈值对应温度-电压阈值坐标系中一个点，将所有店标记在温度-电压阈值坐标系中，获取标记的温度-电压阈值坐标系。
10、进一步，所述根据不同点之间的距离，获取点的分布位置离散程度，包括的具体方法为：
11、
12、式中，为点的分布位置离散程度；表示第一调节阈值；为点与点所在的聚类簇内所有点的欧氏距离的平均值；为与点所在的聚类簇最近的聚类簇内包含的所有点与点的欧氏距离的平均值；为点与点所在的聚类簇的簇心之间的欧氏距离；为点所在的聚类簇内所有点与点所在的聚类簇的簇心之间的欧氏距离的最小值；为取括号内逗号隔开的数值的最大值；表示第二调节阈值。
13、进一步，所述根据点所在聚类簇的面积和包含点的数量，以及点之间的欧氏距离，获取点的局部密度离散程度，包括的具体方法为：
14、将以点与最近的点之间的欧氏距离为直径的圆的面积记为点的局部密度；
15、将聚类簇的面积与聚类簇包含的点的数量的比值记为聚类簇的平均密度；
16、将点的局部密度与点所在的聚类簇的平均密度的差值记为点的局部密度离散程度。
17、进一步，所述根据点的分布位置离散程度和局部密度离散程度确定点的离散程度，包括的具体方法为：
18、将点的分布位置离散程度和局部密度离散程度的乘积记为点的离散程度。
19、进一步，所述通过线性归一化的方式，根据点的离散程度获取点的权值，包括的具体方法为：
20、将点的离散程度的线性归一化值与第一调节阈值的和记为点的权值。
21、进一步，所述根据大簇和小簇确定每个点的异常离群因子，包括的具体方法为：
22、将大簇中的点到点所在的聚类簇的簇心的距离记为点到最近的大簇的距离，将小簇中的点到距离最近的大簇的簇心的距离记为点到最近的大簇的距离，使用cblof算法，获取每个点的异常离群因子。
23、进一步，所述根据每个点的权值对异常离群因子进行加权，获取点的异常评价，包括的具体方法为：
24、将以自然常数为底数，以点的权值和异常离群因子的乘积为指数的幂记为点的异常评价。
25、进一步，所述根据点的异常评价获取异常评价序列，确定异常评价序列的分割数值，包括的具体方法为：
26、将异常评价按照由大到小进行排序，获取异常评价序列，获取所述异常评价序列的一阶差分序列，选取所述一阶差分序列中包含的所有数值的最大值，将选取的最大值在异常评价序列中对应的两个数值中，在异常评价序列的排列次序最靠后的数值记为分割数值。
27、进一步，所述根据第一异常评价序列确定异常阈值电压，对异常阈值电压采取调整措施，实现mosfet器件的阈值电压调整，包括的具体方法为：
28、将异常评价序列包含的所有异常评价对应的点的实时电压阈值记为异常阈值电压，针对异常阈值电压采取至少包括改进制作工艺、添加温度补偿电路的调整措施，减小温度等因素对mosfet器件阈值电压的异常影响，实现mosfet器件的阈值电压调整。
29、本专利技术的有益效果是：
30、本专利技术根据采集的mosfet器件在工作过程中的实时温度和实时电压阈值确定标记的温度-电压阈值坐标系和点，为了提升使用cblof算法对异常阈值电压进行筛选的准确性，根据标记的温度-电压阈值坐标系确定聚类簇，为了得到更准确且更具有差异性的异常评价，对聚类簇内包含的点的离散程度进行评价，当点在聚类簇内的局部密度越小时，点的位置越远离聚类簇的数据聚集区域，即点越可能分布在聚类簇的边缘处、点越可能为离群的点；然后，根据每个点的离散程度对异常离群因子进行加权，确定点的异常评价，对异常离群因子进行加权可使用差异性更大的异常评价筛选异常阈值电压，提高异常阈值电压筛选的准确性；最后，根据点的异常评价确定异常阈值电压，对异常阈值电压采取调整措施，实现mosfet器件的阈值电压调整，解决因数据簇的强聚集性导致的数据的异常离群因子差异较小，进而使异常阈值电压筛选准确性不足的问题。
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1.一种MOSFET器件的阈值电压调整方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种MOSFET器件的阈值电压调整方法，其特征在于，所述建立温度-电压阈值坐标系，结合实时温度和实时电压阈值确定标记的温度-电压阈值坐标系和点，包括的具体方法为：
3.根据权利要求1所述的一种MOSFET器件的阈值电压调整方法，其特征在于，所述根据不同点之间的距离，获取点的分布位置离散程度，包括的具体方法为：
4.根据权利要求1所述的一种MOSFET器件的阈值电压调整方法，其特征在于，所述根据点所在聚类簇的面积和包含点的数量，以及点之间的欧氏距离，获取点的局部密度离散程度，包括的具体方法为：
5.根据权利要求1所述的一种MOSFET器件的阈值电压调整方法，其特征在于，所述根据点的分布位置离散程度和局部密度离散程度确定点的离散程度，包括的具体方法为：
6.根据权利要求1所述的一种MOSFET器件的阈值电压调整方法，其特征在于，所述通过线性归一化的方式，根据点的离散程度获取点的权值，包括的具体方法为：
7.根据权
8.根据权利要求1所述的一种MOSFET器件的阈值电压调整方法，其特征在于，所述根据每个点的权值对异常离群因子进行加权，获取点的异常评价，包括的具体方法为：
9.根据权利要求1所述的一种MOSFET器件的阈值电压调整方法，其特征在于，所述根据点的异常评价获取异常评价序列，确定异常评价序列的分割数值，包括的具体方法为：
10.根据权利要求1所述的一种MOSFET器件的阈值电压调整方法，其特征在于，所述根据第一异常评价序列确定异常阈值电压，对异常阈值电压采取调整措施，实现MOSFET器件的阈值电压调整，包括的具体方法为：
...【技术特征摘要】
1.一种mosfet器件的阈值电压调整方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种mosfet器件的阈值电压调整方法，其特征在于，所述建立温度-电压阈值坐标系，结合实时温度和实时电压阈值确定标记的温度-电压阈值坐标系和点，包括的具体方法为：
3.根据权利要求1所述的一种mosfet器件的阈值电压调整方法，其特征在于，所述根据不同点之间的距离，获取点的分布位置离散程度，包括的具体方法为：
4.根据权利要求1所述的一种mosfet器件的阈值电压调整方法，其特征在于，所述根据点所在聚类簇的面积和包含点的数量，以及点之间的欧氏距离，获取点的局部密度离散程度，包括的具体方法为：
5.根据权利要求1所述的一种mosfet器件的阈值电压调整方法，其特征在于，所述根据点的分布位置离散程度和局部密度离散程度确定点的离散程度，包括的具体方法为：
6.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：李伟，高苗苗，
申请(专利权)人：深圳市冠禹半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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