【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，特别是涉及一种提高沟槽mosfet元胞密度的工艺及沟槽mosfet。
技术介绍
1、沟槽mosfet是垂直结构的mosfet器件，将沟槽深入硅体内，与传统平面mosfet相比，在设计上可以并联更多的元胞，降低导通电阻。
2、现有的提高沟槽mosfet元胞密度的方法是减少填充导电层的沟槽宽度。再通过减少填充导电层的沟槽宽度来提高沟槽mosfet元胞密度时，减少填充导电层的沟槽宽度后，在先形成沟槽再填充规则的导电层时，导电层与沟槽之间接触不好，有空间缝隙。
技术实现思路
1、为了解决上述问题，本专利技术提出了一种具有凸起和/或凹陷的填充导电层，并通过先形成填充导电层沟槽再形成的填充导电层工艺，减少导电层与沟槽之间的缝隙，进而来提高沟槽mosfet元胞密度。
2、本专利技术的第一方面在于公开一种沟槽mosfet，包括横向两侧中至少一侧具有凸起和/或凹陷的填充导电层。
3、在本专利技术的一些实施方式中，所述凸起或凹陷的形状为长方体、立方体、部分球体和部分椭球体中的一种或多种。
4、在本专利技术的一些实施方式中，所述凸起或凹陷的长方体和立方体的沿凸起或凹陷方向的边长、所述凸起或凹陷的半球体和半椭球体的沿凸起或凹陷方向的半径的长度，为所述填充导电层没有凸起或凹陷的部分的宽的1/（5-20）。
5、在本专利技术的一些实施方式中，所述凸起或凹陷为水平分布和/或垂直分布。
6、在本专利技术的一些实施方式中，
7、在本专利技术的一些实施方式中，还包括基极、p型基板、n+掺杂区、氧化层、多晶硅层和场氧化层。
8、本专利技术的第二方面在于公开第一方面所述的沟槽mosfet提高沟槽mosfet元胞密度的工艺，包括以下步骤：
9、s01，先形成填充导电层沟槽；
10、s02，再在所述沟槽中形成所述填充导电层。
11、在本专利技术的一些实施方式中，s01中，通过溅射法或沉积法执行形成具有凸起和/或凹陷的填充导电层；
12、或者，先形成规则的填充导电层基础，再通过蚀刻法来形成凸起或凹陷。
13、在本专利技术的一些实施方式中，s01中，所述填充导电层含有以下重量百分比的各原料：
14、1-2%的镍、4-6%的镁、0.5-1%的锡、0.5-1%的硅，余量为铜。
15、在本专利技术的一些实施方式中，s01中，所述填充导电层含有以下重量百分比的各原料：
16、1.5%的镍、5%的镁、0.8%的锡、0.6%的硅，余量为铜。
17、本专利技术的沟槽mosfet，具有凸起和/或凹陷的填充导电层，并通过先形成填充导电层沟槽再形成的填充导电层工艺，减少了导电层与沟槽之间的缝隙，提高沟槽了mosfet元胞密度。
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1.一种沟槽MOSFET，其特征在于，包括横向两侧中至少一侧具有凸起和/或凹陷的填充导电层。
2.根据权利要求1所述的沟槽MOSFET，其特征在于，所述凸起或凹陷的形状为长方体、立方体、部分球体和部分椭球体中的一种或多种。
3.根据权利要求1或2所述的沟槽MOSFET，其特征在于，所述凸起或凹陷的长方体和立方体的沿凸起或凹陷方向的边长、所述凸起或凹陷的半球体和半椭球体的沿凸起或凹陷方向的半径的长度，为所述填充导电层没有凸起或凹陷的部分的宽的1/（5-20）。
4.根据权利要求1或2所述的沟槽MOSFET，其特征在于，所述凸起或凹陷为水平分布和/或垂直分布。
5.根据权利要求1或2所述的沟槽MOSFET，其特征在于，所述凸起和凹陷为凸起和凹陷间隔均匀分布的阵列。
6.根据权利要求1或2所述的沟槽MOSFET，其特征在于，还包括基极、P型基板、N+掺杂区、氧化层、多晶硅层和场氧化层。
7.一种制备权利要求1-6任一所述的沟槽MOSFET提高沟槽MOSFET元胞密度的工艺，其特征在于，包括以下步骤：
8
9.根据权利要求7或8所述的提高沟槽MOSFET元胞密度的工艺，其特征在于，S01中，所述填充导电层含有以下重量百分比的各原料：
10.根据权利要求9所述的提高沟槽MOSFET元胞密度的工艺，其特征在于，S01中，所述填充导电层含有以下重量百分比的各原料：
...【技术特征摘要】
1.一种沟槽mosfet，其特征在于，包括横向两侧中至少一侧具有凸起和/或凹陷的填充导电层。
2.根据权利要求1所述的沟槽mosfet，其特征在于，所述凸起或凹陷的形状为长方体、立方体、部分球体和部分椭球体中的一种或多种。
3.根据权利要求1或2所述的沟槽mosfet，其特征在于，所述凸起或凹陷的长方体和立方体的沿凸起或凹陷方向的边长、所述凸起或凹陷的半球体和半椭球体的沿凸起或凹陷方向的半径的长度，为所述填充导电层没有凸起或凹陷的部分的宽的1/（5-20）。
4.根据权利要求1或2所述的沟槽mosfet，其特征在于，所述凸起或凹陷为水平分布和/或垂直分布。
5.根据权利要求1或2所述的沟槽mosfet，其特征在于，所述凸起和凹陷为凸起和凹陷间隔均匀分布...
【专利技术属性】
技术研发人员：李伟，高苗苗，
申请(专利权)人：深圳市冠禹半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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