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本发明公开了一种提高沟槽MOSFET元胞密度的工艺及沟槽MOSFET，属于半导体技术领域。该沟槽MOSFET包括横向两侧中至少一侧具有凸起和/或凹陷的填充导电层。本发明的沟槽MOSFET，具有凸起和/或凹陷的填充导电层，并通过先形成填充导电...
该专利属于深圳市冠禹半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市冠禹半导体有限公司授权不得商用。

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