一种半导体发光测试结构及其制备方法和测试方法技术

本发明专利技术提供一种半导体发光测试结构及其制备方法和测试方法，半导体发光测试结构包括：位于半导体衬底层上的下限制层；位于部分下限制层背离半导体衬底层一侧的发光体；发光体包括：自下至上依次排布的下波导层、有源层、上波导层和上限制层；发光体具有前腔面和后腔面，所述前腔面为平面，后腔面与前腔面在慢轴方向两侧的侧边连接，后腔面背离前腔面凸出；后腔面与下限制层的交线呈圆弧或者椭圆弧；或者，后腔面包括依次连接的第一平面腔壁至第N平面腔壁，N为大于或等于2的整数，第一平面腔壁与前腔面在慢轴方向一侧的侧边连接，第N平面腔壁与前腔面在慢轴方向另一侧的侧边连接。提高了测试电致发光光谱的准确度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种半导体发光测试结构及其制备方法和测试方法。

技术介绍

1、量子级联激光器是一种重要的光电器件，其光谱范围覆盖了中红外到远红外波段，可以用于痕量气体检测、自由空间光通信等多种方面，具有广阔的市场应用前景。量子级联激光器采用子带间电子跃迁发光，是一种单极性器件。电致发光光谱是量子级联激光器制备过程中的一种常用的表征手段，当对结构施加偏压时，可以进行有源区自发辐射光谱的测量。这种测量可以用作结构设计的快速反馈，以验证生长的芯片是否在指定的波长位置进行发光。同时，研究电致发光光谱的辐射峰位可以推断出相关的辐射通道，研究发光峰的宽度可以评估材料质量或者界面粗糙度。

2、尽管电致发光光谱在量子级联激光器制作过程中有如此多的好处，但精确测量量子级联激光器的电致发光光谱却存在如下几个问题：（1）电致发光光谱是一种自发辐射谱，其强度弱，信噪比差，难以准确探测；（2）样品制作存在缺陷，自发辐射光谱中存在受激辐射的信号，导致光谱宽度减小，谱图中携带的关键信息丢失。以上两点降低了电致发光光谱的测试精度，对量子级联激光器的研制造成了阻碍本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体发光测试结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体发光测试结构，其特征在于，所述发光体还包括位于所述上限制层背离所述上波导层一侧的接触层。

3.根据权利要求1或2所述的半导体发光测试结构，其特征在于，还包括：位于所述上限制层背离所述上波导层一侧的正面电极层。

4.根据权利要求1所述的半导体发光测试结构，其特征在于，还包括：位于后腔面的光吸收层。

5.根据权利要求4所述的半导体发光测试结构，其特征在于，所述光吸收层的材料包括氧化铟锡。

6.根据权利要求1所述的半导体发光测试结构，其特征在于，还包括：位于...

【技术特征摘要】

1.一种半导体发光测试结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体发光测试结构，其特征在于，所述发光体还包括位于所述上限制层背离所述上波导层一侧的接触层。

3.根据权利要求1或2所述的半导体发光测试结构，其特征在于，还包括：位于所述上限制层背离所述上波导层一侧的正面电极层。

4.根据权利要求1所述的半导体发光测试结构，其特征在于，还包括：位于后腔面的光吸收层。

5.根据权利要求4所述的半导体发光测试结构，其特征在于，所述光吸收层的材料包括氧化铟锡。

6.根据权利要求1所述的半导体发光测试结构，其特征在于，还包括：位于所述前腔面的增透膜。

7.根据权利要求6所述的半导体发光测试结构，其特征在于，所述增透膜的材料包括y2o3。

8.根据权利要求6或7所述的半导体发光测试结构，其特征在于，所述增透膜的反射率小于或者等于1%。

9.根据权利要求1所述的半导体发光测试结构，其特征在于，所述发光体的数量为多个；多个发光体的慢轴方向平行且多个发光体在慢轴方向上间隔设置。

10.根据权利要求9所述的半导体发光测试结构，其特征在于，多个发光体的前腔面共面设置。

11.根据权利要求1所述的半导体发光测试结构，其特征在于，所述发光体的前腔面在慢轴方向上的尺寸小于或等于50微米。

12.根据权利要求11所述的半导体发光测试结构，其特征在于，所述发光体的前腔面在慢轴方向上的尺寸为20微米至50微米。

13.根据权利要求1所述的半导体发光测试结构，其特征在于，所述后腔面的任意位置沿垂直于慢轴方向的截面得到的交线为直线。

14.一种半导体发光测试结构的制备方法，其特征在于，包括：

15.根据权利要求14所述的半导体发光测试结构的制备方法，其特征在于，在部分下限制层背离半导体衬底层的一侧形成发光体的方法包括：在所述下限制层背离半导体衬底层的一侧形成初始...

【专利技术属性】
技术研发人员：王俊，章宇航，程洋，赵武，孙方圆，魏志祥，孙正明，韩迪仪，
申请(专利权)人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：