一种外延片层的厚度测量方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，公开了一种外延片层的厚度测量方法，外延片层的厚度测量方法包括提供半导体激光器的外延层样品；外延层样品包括多个外延片层，相邻两个外延片层为不同的三五族化合物；获取外延层样品在目标晶带轴方向上的原子尺度分辨率的高角环形暗场像；在高角环形暗场像中沿着目标原子密排面确定目标连线，目标连线穿越相邻外延片层之间的界面，并连接多个原子；根据目标连线上基准原子的亮度，确定外延片层在目标连线上的厚度；根据外延片层在目标连线上的厚度，确定外延片层的厚度。与相关技术相比，本发明专利技术可以提高外延片层的厚度测量精度，进而提高激光器的光电性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种外延片层的厚度测量方法。

技术介绍

1、在现代三五族半导体激光器工业中，激光器的光电性能基本上由外延结构决定。特别对于外延结构复杂的垂直腔面发射半导体激光器和量子级联半导体激光器，其性能与外延片层的厚度息息相关。因此，在半导体激光器的生产过程中，外延层厚的精确量测具有十分重要的意义。首先，外延层厚的量测值可以和设计值进行比对，从而确定外延工艺的优化方向。然后，外延层厚的量测值能够和半导体激光器的光电性能建立联系，从而为半导体激光器的外延结构的设计提供参考。

2、然而，现有的绝大多数外延层厚的量测方法只能达到纳米尺度的分辨率。对于复杂外延结构的半导体激光器来说，这些方法不仅不能满足外延片层的量测需要，还有可能对这些半导体激光器的器件设计和工艺优化产生误导，不利于相关器件产品的研发和优化。因此，需要一种更高分辨率的外延片层的厚度测量方案，提高测量精度，进而提高半导体激光器的光电性能。

技术实现思路

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【技术保护点】

1.一种外延片层的厚度测量方法，其特征在于，包括：

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【技术特征摘要】

1.一种外延片层的厚度测量方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的外延片层的厚度测量方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的外延片层的厚度测量方法，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的外延片层的厚度测量方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的外延片层的厚度测量方法，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的外延片层的厚度测量方法，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的外延片层的厚度测...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨文帆，王俊，程洋，詹文博，赵武，李婷，闵大勇，
申请(专利权)人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：