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本发明涉及半导体技术领域，公开了一种外延片层的厚度测量方法，外延片层的厚度测量方法包括提供半导体激光器的外延层样品；外延层样品包括多个外延片层，相邻两个外延片层为不同的三五族化合物；获取外延层样品在目标晶带轴方向上的原子尺度分辨率的高角环形...
该专利属于苏州长光华芯光电技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州长光华芯光电技术股份有限公司授权不得商用。

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