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本发明提供一种半导体发光测试结构及其制备方法和测试方法，半导体发光测试结构包括：位于半导体衬底层上的下限制层；位于部分下限制层背离半导体衬底层一侧的发光体；发光体包括：自下至上依次排布的下波导层、有源层、上波导层和上限制层；发光体具有前腔面...
该专利属于苏州长光华芯光电技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州长光华芯光电技术股份有限公司授权不得商用。

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