【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及对半导体功率器件进行封装的，尤其是涉及半导体功率器件csp（chip scale package,芯片尺寸封装）构造及其器件制造方法。
技术介绍
1、半导体功率器件一般为mosfet晶体管，其电极包括源极、漏极与栅极，以栅极的电位变化，控制源极与漏极之间的导通。在电性上，晶体管区分为耗尽型与增强型，栅极零偏压时，耗尽型为导通，增强型关闭。在结构上，电极位置区别为两种分布，一种是将源极接点与栅极接点设置于芯片顶面，漏极接点设置于芯片底面，在封装时，不仅要固晶安装，还要打线接合；另一种是将源极接点、栅极接点及漏极接点都设置于芯片顶面，在封装时，芯片翻转方式覆晶接合到载板，可以不需要打线，但是芯片的顶面需要预留漏极接点的位置，芯片的内部需要设置导通结构与隔离结构，整体芯片面积尺寸较大，且容易发生短接。现有这两种半导体功率器件的电极位置都不利于芯片尺寸封装（csp）发展趋势，因为打线需要大的焊线空间，封装材料需要封装打线焊线，芯片安装需要固晶机与打线接合机；而另一种采用覆晶接合需要过多改变芯片内部结构使其源漏栅位于同一芯片表面，导...
【技术保护点】
1.一种半导体功率器件CSP构造，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体功率器件CSP构造，其特征在于，所述器件芯片还包括连接所述栅极立垫的晶面栅极垫，当所述第一导热隔离膜的覆盖尺寸仅遮盖所述晶面源极层的主体而不完全遮盖所述晶面栅极垫，使得焊接所述栅极立垫的焊料能部分延伸地位于所述晶面栅极垫的底部；具体地，所述晶面栅极垫为多个对称的配置。
3.根据权利要求1所述的半导体功率器件CSP构造，其特征在于，所述源极立垫、所述漏极立垫与所述栅极立垫为以金属环的角隅孔切断的四侧框条所构成；更具体地，所述金属环埋置于绝缘环外围。
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【技术特征摘要】
1.一种半导体功率器件csp构造，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体功率器件csp构造，其特征在于，所述器件芯片还包括连接所述栅极立垫的晶面栅极垫，当所述第一导热隔离膜的覆盖尺寸仅遮盖所述晶面源极层的主体而不完全遮盖所述晶面栅极垫，使得焊接所述栅极立垫的焊料能部分延伸地位于所述晶面栅极垫的底部；具体地，所述晶面栅极垫为多个对称的配置。
3.根据权利要求1所述的半导体功率器件csp构造，其特征在于，所述源极立垫、所述漏极立垫与所述栅极立垫为以金属环的角隅孔切断的四侧框条所构成；更具体地，所述金属环埋置于绝缘环外围。
4.根据权利要求1所述的半导体功率器件csp构造，其特征在于，所述器件芯片背离所述芯片载体的表面设置有第二导热隔离膜，以遮盖所述晶背漏极层或是所述晶面源极层，以防止过量焊料爬流到所述器件芯片对应表面接合区的上方。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体功率器件csp构造，其特征在于，还包括封胶体，形成于所述芯片载体的上表面上，以无打线地密封所述器件芯片与所述焊料。
6.根据权利要求5所述的半导体功率器件csp构造，其特征在于，所述封胶体的侧壁设置有由对应的所述源极面垫、所述漏极面垫与所述栅极面垫连接延伸成的导线架弯脚或是半镀通孔，所述半导体功率器件csp构造的封装接合尺寸在所述器件芯片的表面接合尺寸的一点五倍以内。
...【专利技术属性】
技术研发人员：李伟，高苗苗，段卫宁，梁为住，
申请(专利权)人：深圳市冠禹半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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