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本发明涉及数据处理技术领域，提出了一种MOSFET器件的阈值电压调整方法，包括：采集MOSFET器件在工作过程中的实时温度和实时电压阈值，确定标记的温度‑电压阈值坐标系和点；获取聚类簇，确定点的离散程度；确定点的权值，划分大簇和小簇，根据大...
该专利属于深圳市冠禹半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市冠禹半导体有限公司授权不得商用。

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