【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅二极管及其制造方法
[0001]本专利技术涉及半导体芯片制造工艺领域,尤其是一种碳化硅二极管及其制造方法
。
技术介绍
[0002]碳化硅材料因其一系列优异特性(如宽带隙
、
高击穿场强
、
高热导率
、
高饱和电子迁移速率和优异的物理化学稳定性)而适用于高温
、
高频
、
大功率和极端环境下的应用
。
[0003]当碳化硅二极管在长时间内处于高负载工作状态时,由于能量转换和电流传输,会产生连续的热量
。
如果散热不足,热量积累会导致温度升高,温度过高会增加碳化硅二极管的功耗
。
在高温环境下,碳化硅二极管的内部电阻会增加,导致电流流过器件时产生更多的热量,这会进一步加剧温度升高的问题
。
技术实现思路
[0004]本专利技术为了解决上述存在的技术问题,提供一种碳化硅二极管及其制造方法
。
[0005]本专利技术的技术方案是这样实现的:一种碳化硅二极管,包括外壳,所述外壳内置有碳化硅芯片,所述碳化硅芯片包括碳化硅衬底
、
外延层
、
阴极金属
、
阳极金属与绝缘层,所述碳化硅衬底底部连接阴极金属,碳化硅衬底顶部连接外延层,所述外延层顶部连接有阳极金属,所述外延层与阳极金属之间设置有绝缘层,所述阳极金属一部分嵌入外延层,所述绝缘层还设置在阴极金属与碳化硅衬底之间,且绝缘层包围外延层,所述外 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.
一种碳化硅二极管,包括外壳
(1)
,所述外壳
(1)
内置有碳化硅芯片
(2)
,其特征在于:所述碳化硅芯片
(2)
包括碳化硅衬底
(21)、
外延层
(22)、
阴极金属
(23)、
阳极金属
(24)
与绝缘层
(25)
,所述碳化硅衬底
(21)
底部连接阴极金属
(23)
,碳化硅衬底
(21)
顶部连接外延层
(22)
,所述外延层
(22)
顶部连接有阳极金属
(24)
,所述外延层
(22)
与阳极金属
(24)
之间设置有绝缘层
(25)
,所述阳极金属
(24)
一部分嵌入外延层
(22)
,所述绝缘层
(25)
还设置在阴极金属
(23)
与碳化硅衬底
(21)
之间,且绝缘层
(25)
包围外延层
(22)
,所述外延层
(22)
上预留有沟槽
(3)
;所述阳极金属
(24)
与第一导电引脚
(4)
连接,所述阴极金属
(23)
与第二导电引脚
(5)
连接;所述第一导电引脚
(4)
上设置有活动连通块
(41)
和绝缘槽
(42)
,所述绝缘槽
(42)
对称设置在第一导电引脚
(4)
的垂直部分,靠近碳化硅芯片
(2)
的绝缘槽
(42)
内涂有膨胀散热胶
(6)
,所述活动连通块
(41)
靠近碳化硅芯片
(2)
的一侧与膨胀散热胶
(6)
连接,活动连通块
(41)
上下两端均与第一导电引脚
(4)
折弯部位交接
。2.
根据权利要求1所述的一种碳化硅二极管,其特征在于:所述外延层
(22)
顶部边缘做
R
角处理
。3.
根据权利要求1所述的一种碳化硅二极管,其特征在于:所述碳化硅衬底
(21)
为
N
型碳化硅衬底
(21)
;所述阳极金属
(24)
嵌入外延层
(22)
的部分做倒斜角处理
。4.
根据权利要求1所述的一种碳化硅二极管,其特征在于:所述膨胀散热胶
(6)
为膨胀系数为
7.9*10
技术研发人员:李伟,高苗苗,
申请(专利权)人:深圳市冠禹半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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