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本实用新型实施例公开了一种基于低频噪声检测的电力MOSFET，包括基板和MOSFET芯片，基板的顶部设有用于安装MOSFET芯片的置入槽，基板的顶端向外侧延伸设有漏极板，置入槽的底部设有散热层，且散热层延伸至漏极板上，基板的槽壁上和漏极板的...
该专利属于深圳市冠禹半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市冠禹半导体有限公司授权不得商用。

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