功率转换器制造技术

本申请提供的一种功率转换器，包括散热体和半导体组件，所述散热体包括散热槽，所述散热槽包括槽底壁和围绕所述槽底壁设置的槽周壁，所述半导体组件包括半导体元件，所述半导体元件包括主体和连接端子，所述主体包括第一端面，与所述第一端面相对设置的第二端面，以及连接所述第一端面和所述第二端面的周侧面，连接端子设于第二端面，所述主体设于所述散热槽内，所述第一端面与所述槽底壁抵持，所述周侧面与所述槽周壁抵持。本申请提供的功率转换器，解决了现有的功率调节模块由于技术限制存在散热不良的问题。

【技术实现步骤摘要】
功率转换器
本申请涉及电子
，尤其涉及一种功率转换器。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT)是电力电子控制、新能源汽车控制领域，能源变换与传输的核心器件，被用于许多不同类型的功率调节模块，现有的功率调节模块由于技术限制存在散热不良的问题。
技术实现思路
本申请提供一种功率转换器，解决了现有的功率调节模块由于技术限制存在散热不良的问题。本申请提供的一种功率转换器，包括散热体和半导体组件，所述散热体包括散热槽，所述散热槽包括槽底壁和围绕所述槽底壁设置的槽周壁，所述半导体组件包括半导体元件，所述半导体元件包括主体和连接端子，所述主体包括第一端面，与所述第一端面相对设置的第二端面，以及连接所述第一端面和所述第二端面的周侧面，连接端子设于第二端面，所述主体设于所述散热槽内，所述第一端面与所述槽底壁抵持，所述周侧面与所述槽周壁抵持。一种实施方式中，所述第二端面与所述散热槽的开口平齐，所述连接端子凸出于所述第二端面。一种实施方式中，所述散热体包括散热流道、流道进口和流道出口，所述散热流道设于所述散热体内部，所述流道进口和所述流道出口间隔设于所述散热体的侧面上，所述流道进口和所述流道出口分别与所述散热流道的两端连通。一种实施方式中，所述散热体包括相对设置的顶面和底面，所述散热槽设于所述顶面，所述流道进口靠近所述底面设置，所述流道出口靠近所述顶面设置。一种实施方式中，所述槽周壁和/或所述槽底壁背离所述散热槽的面为所述散热流道的流道壁面。一种实施方式中，所述半导体组件还包括连接件，连接件与所述半导体元件的连接端子连接。一种实施方式中，所述连接件与所述连接端子一体成型。一种实施方式中，所述功率转换器包括固定件，所述固定件包括固定部和连接于所述固定部的压持部，所述固定部装于所述散热体上，所述压持部覆盖所述散热槽的部分开口，以将设于所述主体限位于所述散热槽内。一种实施方式中，所述压持部上设有卡持部分，所述卡持部分用于卡持所述主体。一种实施方式中，所述半导体组件包括多个所述半导体元件，所述散热体包括多个所述散热槽，多个所述半导体元件分别设于与其对应的所述散热槽内。本申请中的功率转换器包括所述散热体和所述半导体组件，所述半导体组件中的所述半导体元件设于所述散热体的所述散热槽中，且所述第一端面与所述槽底壁抵持，所述周侧面与所述槽周壁抵持，也就是说，所述半导体元件除了设有连接端子的面未与所述散热槽的槽壁接触，其他的面均与所述散热槽的槽壁接触，从而增大了所述半导体元件与所述散热槽的接触面积，保证了所述半导体元件的散热效果。附图说明为了更清楚地说明本专利技术的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以如这些附图获得其他的附图。图1是本申请实施例提供的一种功率转换器的结构示意图；图2是图1提供的功率转换器的分解结构示意图；图3是图1提供的功率转换器的散热体的结构示意图；图4是图3提供的散热体在A-A方向的剖面结构示意图；图5是图3提供的散热体在B-B方向的剖面结构示意图；图6是图1提供的半导体组件的结构示意图；图7是图6提供的半导体组件的另一角度结构示意图；图8是图1提供的固定件的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1和图2，图1是本申请实施例提供的一种功率转换器100的结构示意图，图2是图1提供的功率转换器100的分解结构示意图。所述功率转换器100例如可以是：交流-直流转换器、直流-交流逆变器、交流-直流-交流转换器等等。图1的功率转换器100是交流-直流转换器为例进行说明。功率转换器100包括散热体10和半导体组件20，所述散热体10包括散热槽11，所述散热槽11包括槽底壁111(图4)和围绕所述槽底壁111设置的槽周壁112，所述半导体组件20包括半导体元件21，所述半导体元件21包括主体211和连接端子212，所述主体211包括第一端面2111，与所述第一端面2111相对设置的第二端面2113，以及连接所述第一端面2111和所述第二端面2113的周侧面2112，连接端子设于第二端面2113，所述主体211设于所述散热槽11内，所述第一端面2111与所述槽底壁111抵持，所述周侧面2112与所述槽周壁112抵持。本实施例中的所述半导体元件21为绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT)。可以理解的是，在其他实施例中，所述半导体元件21还可以是其他需要散热的半导体器件。本申请中的所述半导体组件20中的所述半导体元件21设于所述散热体10的所述散热槽11中，且所述第一端面2111与所述槽底壁111抵持，所述周侧面2112与所述槽周壁112抵持，也就是说，所述半导体元件21除了设有连接端子212的面未与所述散热槽11的槽壁接触，其他的面均与所述散热槽11的槽壁接触，从而增大了所述半导体元件21与所述散热槽11的接触面积，保证了所述半导体元件21的散热效果。如图3所示，图3是图1提供的功率转换器100的散热体10的结构示意图。所述散热体10为长方体型，所述散热体10包括顶面12、底面13和侧面14，所述顶面12和所述底面13相对设置，所述侧面14连接于所述顶面12和所述底面13之间。所述散热槽11设于所述顶面12，即，所述散热槽11的开口和所述顶面12朝向的方向相同。所述半导体元件21设于所述散热槽11内时，所述主体211收容于所述散热槽11内，所述连接端子212伸出所述散热槽11，以便于所述连接端子212与功率转换器100中的其他电子元件电连接。本实施例中，所述散热槽11的形状和所述主体211的形状均为长方体形，所述散热槽11的槽口的大小与所述半导体元件21在厚度方向的截面大小相适应，从而所述顶面12上可以集成更多所述散热槽11，容纳更多所述半导体元件21，进而提高所述功率转换器100的集成度。在集成同样数量的所述半导体元件21的情况下，相对于现有技术，本申请的功率转换器100的集成方式大大缩小了功率转换器100空间体积，即大大缩小了功率转换器100的结构尺寸，同时也提高了功率转换器100的功率密度，提升产品的市场竞争力。可以理解的是，其他实施例中，所述散热槽11的形状和所述主体211的形状可以是圆柱形等其他形状，只要所述散热槽11的槽壁与所述主体211的外表面相互接触即可。本实施例中，所述散热槽11为十八个，十八个所述散热本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率转换器，其特征在于，所述功率转换器包括散热体和半导体组件，所述散热体包括散热槽，所述散热槽包括槽底壁和围绕所述槽底壁设置的槽周壁，所述半导体组件包括半导体元件，所述半导体元件包括主体和连接端子，所述主体包括第一端面，与所述第一端面相对设置的第二端面，以及连接所述第一端面和所述第二端面的周侧面，连接端子设于第二端面，所述主体设于所述散热槽内，所述第一端面与所述槽底壁抵持，所述周侧面与所述槽周壁抵持。/n

【技术特征摘要】
1.一种功率转换器，其特征在于，所述功率转换器包括散热体和半导体组件，所述散热体包括散热槽，所述散热槽包括槽底壁和围绕所述槽底壁设置的槽周壁，所述半导体组件包括半导体元件，所述半导体元件包括主体和连接端子，所述主体包括第一端面，与所述第一端面相对设置的第二端面，以及连接所述第一端面和所述第二端面的周侧面，连接端子设于第二端面，所述主体设于所述散热槽内，所述第一端面与所述槽底壁抵持，所述周侧面与所述槽周壁抵持。


2.根据权利要求1所述的功率转换器，其特征在于，所述第二端面与所述散热槽的开口平齐，所述连接端子凸出于所述第二端面。


3.根据权利要求2所述的功率转换器，其特征在于，所述散热体包括散热流道、流道进口和流道出口，所述散热流道设于所述散热体内部，所述流道进口和所述流道出口间隔设于所述散热体的侧面上，所述流道进口和所述流道出口分别与所述散热流道的两端连通。


4.根据权利要求3所述的功率转换器，其特征在于，所述散热体包括相对设置的顶面和底面，所述散热槽设于所述顶面，所述流道进口靠近所述底面设置，所述流道出口靠...

【专利技术属性】
技术研发人员：饶胜，金启前，葛亮，
申请(专利权)人：宝能汽车有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44