The embodiment of the invention provides a method for manufacturing a semiconductor device, which comprises: forming a photoresist layer on a substrate, wherein the photoresist layer comprises a polymer mixed with a photoresist, the photoresist is bonded with one or more polarity enhancing groups, the polarity enhancing group is configured to increase a dipole moment of the photoresist, and forming the photoresist layer And developing the photoresist layer to produce a patterned photoresist layer. The photoacid generator can be separated into cation and anion by exposure, so that the polarity of cation can be increased by the polarity enhancing group bonded with cation, and the polarity of anion can be increased by the polarity enhancing group bonded with anion.
【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
本专利技术实施例涉及半导体装置的制造方法，且特别涉及控制光刻胶图案在显影工艺期间的溶解度的方法。
技术介绍
半导体集成电路工业已历经蓬勃的发展。集成电路材料及设计在技术上的进步使得每一代生产的集成电路变得比先前生产的集成电路更小且其电路也变得更复杂。然而，这些优点增加了加工和制造集成电路的复杂度，而且为了实现这样的进展，集成电路加工和制造上也需要有相同的进步。举例来说，光刻工艺广泛地用于集成电路(integratedcircuit；IC)制造中，其中各种光刻胶图案被转移到工件上以形成集成电路(IC)装置。在许多情况下，光刻胶图案的品质会直接影响所形成的集成电路(IC)装置的品质。随着集成电路(IC)的技术不断朝向更小的技术节点进展(例如，小至14纳米、10纳米、及以下)，分辨率、粗糙度(例如，线边缘粗糙度(lineedgeroughness；LER)及/或线宽粗糙度(linewidthroughness；LWR))、及/或光刻胶图案的对比度对光刻胶图案的品质来说都是关键的因素。尽管用于最适化这些...
【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：/n形成一光刻胶层于一基板之上，其中该光刻胶层包括与一光敏单元混合的一聚合物，该光敏单元包括与一光酸产生剂键结的一极性增强基团，该极性增强基团被配置以增加该光酸产生剂的一偶极矩；/n将该光刻胶层曝光在一辐射下；以及/n显影该光刻胶层。/n
【技术特征摘要】
20180531 US 15/994,0911.一种半导体装置的制造方法，包括：
形成一光刻胶层于一基板之上，其中该光刻胶层包括与一光敏单元混合的一聚合物，该光敏单元包括与一光酸产生剂键结的一极性增强基团，该极性增强基团被配置以增加该光酸产生剂的一偶极矩；
将该光刻胶层曝光在一辐射下；以及
显影该光刻胶层。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该曝光将该光酸产生剂解离成一带正电部分和一带负电部分，且其中该极性增强基团增加该带正电部分和该带负电部分之一或两者的偶极矩。
3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中一个该极性增强基团与该带负电部分键结且多于一个该极性增强基团与该带正电部分键结。
4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该极性增强基团包括一含卤素官能基、一含氧官能基、一含氮官能基、一含硫官能基、一含硅官能基、或前述的组合。
5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该光敏单元还包括设置于该光酸产生剂和该极性增强基团之间的一非极性连接单元，该非极性连接单元包括具有2～5个碳原子的一烷基。
6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该显影包括施予一水性溶剂以移除...
【专利技术属性】
技术研发人员：张雅晴，张庆裕，林进祥，陈彦豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;TW
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