正性光致抗蚀剂组合物、由其制造的图案和用于制造图案的方法技术

本发明专利技术提供了具有优异的储存稳定性、灵敏度、显影特性、耐镀覆性和耐热性的正性光致抗蚀剂组合物。更具体地，将呈具有与所述光致抗蚀剂组合物中包含的树脂相同的重复单元结构的低聚物的形式的特定溶解抑制剂应用于所述组合物。

Positive photoresist composition, pattern made from it and method for pattern making

The invention provides a positive photoresist composition with excellent storage stability, sensitivity, development characteristics, plating resistance and heat resistance. More specifically, a specific dissolution inhibitor in the form of a oligomer having the same repeating unit structure as the resin contained in the photoresist composition is applied to the composition.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】正性光致抗蚀剂组合物、由其制造的图案和用于制造图案的方法
相关申请的交叉引用本申请要求于2017年7月31日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0097280号的优先权和权益，其公开内容通过引用整体并入本文。本专利技术涉及用于形成厚膜的正性光致抗蚀剂组合物、由其形成的图案和用于制造图案的方法。
技术介绍
近来，由于半导体封装已经转变为晶圆级倒装芯片，因此与常规的线接合封装相比，可以提高信号传输速度并减小封装体积。这样的倒装芯片封装通过在半导体芯片上的金属焊盘中使用焊料凸起(bump)或填料代替常规的线接合来处理。然而，对于使用焊料凸起的倒装芯片封装，需要用于形成厚度为约50μm的厚膜的光致抗蚀剂。此外，当用电解镀覆使焊料凸起或填料生长时，需要这样的光致抗蚀剂具有强的对镀覆溶液的耐受性，并且特别地，需要图案的平直度。厚膜形成的焊料凸起根据其应用需要尺寸为约20μm至约100μm的图案。为了形成这样的厚膜图案，施加利用混合光或i线步进器的曝光。此时，为了厚膜图案化需要过量的曝光能量。为此，需要本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种正性光致抗蚀剂组合物，包含：/n粘合剂树脂，所述粘合剂树脂包含其中重复单元中引入有碱溶性官能团的聚合物树脂、和基于丙烯酸酯的树脂；/n低聚物化合物，在所述低聚物化合物中官能团中引入有选自缩醛、叔丁氧基羰基和叔丁基酯中的至少一个保护基团，以及所述低聚物化合物包含与所述聚合物树脂或所述基于丙烯酸酯的树脂相同的重复单元；以及/n光致产酸剂。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170731 KR 10-2017-00972801.一种正性光致抗蚀剂组合物，包含：
粘合剂树脂，所述粘合剂树脂包含其中重复单元中引入有碱溶性官能团的聚合物树脂、和基于丙烯酸酯的树脂；
低聚物化合物，在所述低聚物化合物中官能团中引入有选自缩醛、叔丁氧基羰基和叔丁基酯中的至少一个保护基团，以及所述低聚物化合物包含与所述聚合物树脂或所述基于丙烯酸酯的树脂相同的重复单元；以及
光致产酸剂。


2.根据权利要求1所述的正性光致抗蚀剂组合物，其中所述聚合物树脂为选自丙烯酸类树脂、酚醛清漆树脂和聚羟基苯乙烯树脂中的至少一者。


3.根据权利要求1所述的正性光致抗蚀剂组合物，其中所述碱溶性官能团为羟基或羧酸基。


4.根据权利要求1所述的正性光致抗蚀剂组合物，其中所述低聚物化合物的重均分子量在1500至5000的范围内。


5.根据权利要求1所述的正性光致抗蚀剂组合物，其中所述低聚物化合物中包含的所述重复单元为以下化学式1、2和3中的至少一者：
[化学式1]



其中，在化学式1中，
R1和R2为氢、卤素或具有1至10个碳原子的脂族基团，
n1和n2各自为整数，其中0≤n1≤3以及0≤n2≤3，以及
a和b各自为整数，其中0<a≤80以及20≤b≤50；
[化学式2]



其中，在化学式2中，
R3和R4为氢、卤素或具有1至10个碳原子的脂族基团，
n3和n4各自为整数，其中0≤n3≤4以及0≤n4≤4，以及
c和d各自为整数，其中0<c≤80以及2...

【专利技术属性】
技术研发人员：林敏映，李泰燮，金智慧，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国;KR