刻蚀设备腔体清洁方法及其清洁系统技术方案

本发明专利技术公开了一种用于金属硬质掩模刻蚀工艺的泛林腔体，清除半导体生产工艺中的刻蚀设备腔体内残留杂质的刻蚀设备腔体清洁方法，包括:采用沉积气体在刻蚀设备腔体内进行淀积，使刻蚀设备腔体内表面形成清洁薄膜，并使该清洁薄膜包裹黏附刻蚀设备腔体内表面上的待清洁杂质；采用清洁气体清除所述清洁薄膜。本发明专利技术还公开了一种用于清除半导体生产工艺中的刻蚀设备腔体内残留杂质的刻蚀设备腔体清洁系统。本发明专利技术的清洁方法和清洁系统能清除刻蚀设备腔体内残留杂质(聚合物或污染颗粒)，能提高刻蚀设备腔体高清洁效率。

Cleaning method and cleaning system of etching equipment cavity

The invention discloses a pan forest cavity for metal hard mask etching process, and an etching equipment cavity cleaning method for removing the residual impurities in the etching equipment cavity in the semiconductor production process, which comprises the following steps: using deposition gas to deposit in the etching equipment cavity, forming a cleaning film on the surface of the etching equipment cavity, and making the cleaning film wrap and adhere to the etching equipment cavity The impurities to be cleaned on the surface; the cleaning film is removed with the cleaning gas. The invention also discloses an etching equipment cavity cleaning system for removing residual impurities in the etching equipment cavity in the semiconductor production process. The cleaning method and cleaning system of the invention can remove the residual impurities (polymers or contaminated particles) in the cavity of the etching equipment, and can improve the high cleaning efficiency of the cavity of the etching equipment.

【技术实现步骤摘要】
刻蚀设备腔体清洁方法及其清洁系统
本专利技术涉及半导体生产领域，特别是涉及一种用于金属硬质掩模刻蚀(MHMEtch)工艺的泛林(LAM)MetalM腔体，清除半导体生产工艺中的刻蚀设备腔体内残留杂质的刻蚀设备腔体清洁方法。本专利技术还涉及一种用于金属硬质掩模刻蚀(MHMEtch)工艺的泛林(LAM)MetalM腔体，清除半导体生产工艺中的刻蚀设备腔体内残留杂质的刻蚀设备腔体清洁系统。
技术介绍
半导体器件生产工艺中经常会使用到化学和物理沉积或刻蚀形成相应的功能区。广义而言，刻蚀技术包含将材质整面均匀移除，或是将有图案的部分选择性清除。刻蚀一般都在等离子工艺体系中的腔体中进行。在半导体生产中由于各种化学反应，不可避免的会在刻蚀设备腔体内产生大量聚合物，沉积于腔体内表面；同时，由于各种物理反应，会对腔体表面致密表层造成损伤，形成易脱落颗粒，或使聚合物松散。在后续生产中会造成聚合物或污染颗粒落于晶圆表面，形成阻挡刻蚀缺陷(BlockEtchDefect)或表面颗粒缺陷(SurfaceParticleDefect)，于是在生产中需要对刻蚀设备腔体进行清本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种刻蚀设备腔体清洁方法，用于金属硬质掩模刻蚀工艺的泛林腔体腔体，其特征在于，包括以下步骤：/nS1，采用沉积气体在刻蚀设备腔体内进行淀积，使刻蚀设备腔体内表面形成清洁薄膜，并使该清洁薄膜包裹黏附刻蚀设备腔体内表面上的待清洁杂质；/nS2，采用清洁气体清除所述清洁薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀设备腔体清洁方法，用于金属硬质掩模刻蚀工艺的泛林腔体腔体，其特征在于，包括以下步骤：
S1，采用沉积气体在刻蚀设备腔体内进行淀积，使刻蚀设备腔体内表面形成清洁薄膜，并使该清洁薄膜包裹黏附刻蚀设备腔体内表面上的待清洁杂质；
S2，采用清洁气体清除所述清洁薄膜。


2.如权利要求1所述的刻蚀设备腔体清洁方法，其特征在于：所述沉积气体是SiCl4、C4F8、C4F6、C2F2、C2F4或BCl3之中至少一种。


3.如权利要求2所述的刻蚀设备腔体清洁方法，其特征在于：所述清洁气体是CF4、O2、N2、NF3或SF6之中至少一种。


4.如权利要求2所述的刻蚀设备腔体清洁方法，其特征在于：执行步骤S1时，沉积气体的淀积参数为：流量50sccm-500sccm，电感耦合能量500W-1500W，压力30mT-100mT。


5.如权利要求3所述的刻蚀设备腔体清洁方法，其特征在于：执行步骤S2时，清洁气体的清洁参数为：流量100sccm-600sccm，电感耦合能量500W-2000W，压力10mT-100mT。


6.权利要求1所述的刻蚀设备腔体清洁方法，其特征在于，还包括：
S3，定时和或定量重新执行步骤S1和S1至少一次，所述定时是指刻蚀设备腔体工作预设时长，所述定量是指刻蚀设备腔体刻蚀预设数量的硅片。


7.一种刻蚀设备腔体清洁系统，用于金属硬质掩模刻蚀工...

【专利技术属性】
技术研发人员：张钱，江旻，董海平，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31