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本发明公开了一种用于金属硬质掩模刻蚀工艺的泛林腔体，清除半导体生产工艺中的刻蚀设备腔体内残留杂质的刻蚀设备腔体清洁方法，包括:采用沉积气体在刻蚀设备腔体内进行淀积，使刻蚀设备腔体内表面形成清洁薄膜，并使该清洁薄膜包裹黏附刻蚀设备腔体内表面上...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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