The invention provides a heating device, which comprises a first heating plate, a second heating plate and two connecting pieces. The first heating plate includes two first connecting plates and the first heating strip. The two first connecting plates are arranged at intervals. The two ends of the first heating strip are respectively connected with the two first connecting plates. The second heating plate is separated and arranged on the top of the first heating plate in parallel, including two second connecting plates and the second heating strip. The two second connecting plates are arranged at intervals, and are positioned with the two first connecting plates The two ends of the second heating strip are respectively connected with two second connecting plates; two connecting pieces, each of which can be detachably connected between one of the first connecting plates and one of the second connecting plates. The heating device is composed of a double-layer heating plate, so that the heat reflection performance of the heating device is enhanced, the heat utilization rate is improved, and the power consumption is reduced.
【技术实现步骤摘要】
加热装置
本公开涉及单晶硅生产
,尤其涉及一种用于单晶硅生长的加热装置。
技术介绍
生产单晶硅即是在惰性气体保护条件下,用石墨加热器将多晶硅原料熔化,然后采用直拉法生长无错位单晶。由于石墨材料具有优异的耐高温性能和良好的化学稳定性,因此单晶硅生产中用的坩埚、埚托、反射板、排气套、加热器、导流筒、保温筒等均用石墨材料制造。在单晶硅生产过程中,熔料、稳温、引晶、放肩、转肩、等径、收尾等工序均依靠加热器发热提供热量。随着单晶炉尺寸的进一步增加,热场尺寸也在增加,目前已经达到28-30英寸,因此旧的单一加热器结构已经不能适应大尺寸热场,因此普遍使用双加热器结构进行单晶硅生产,但现有双加热器结构中底部发热体为单层结构,热量反射性能差,功耗较高。
技术实现思路
本公开的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷,提供一种双层结构的加热装置。为实现上述目的,本公开采用如下技术方案:根据本公开的一个方面,提供一种加热装置,包括第一加热板、第二加热板及两个连接件。第一加热板包括两块第一连接板及第一加热条,两块所述第一连接板间隔设置,所述第一加热条的两端分别连接于两块所述第一连接板。第二加热板相间隔且相平行地设于所述第一加热板上方,包括两块第二连接板及第二加热条,两块所述第二连接板间隔设置,且与两块所述第一连接板的位置分别对应,所述第二加热条的两端分别连接于两块所述第二连接板。两个连接件,每个所述连接件分别可拆装地连接于其中一块所述第一连接板与其中一块所述第二连接板之间。根据本公开的 ...
【技术保护点】
1.一种加热装置,设于单晶硅容器的底部,其特征在于,所述加热装置包括:/n第一加热板,包括两块第一连接板及第一加热条,两块所述第一连接板间隔设置,所述第一加热条的两端分别连接于两块所述第一连接板;/n第二加热板,相间隔且相平行地设于所述第一加热板上方,包括两块第二连接板及第二加热条,两块所述第二连接板间隔设置,且与两块所述第一连接板的位置分别对应,所述第二加热条的两端分别连接于两块所述第二连接板;及/n两个连接件,每个所述连接件分别可拆装地连接于其中一块所述第一连接板与其中一块所述第二连接板之间。/n
【技术特征摘要】
1.一种加热装置,设于单晶硅容器的底部,其特征在于,所述加热装置包括:
第一加热板,包括两块第一连接板及第一加热条,两块所述第一连接板间隔设置,所述第一加热条的两端分别连接于两块所述第一连接板;
第二加热板,相间隔且相平行地设于所述第一加热板上方,包括两块第二连接板及第二加热条,两块所述第二连接板间隔设置,且与两块所述第一连接板的位置分别对应,所述第二加热条的两端分别连接于两块所述第二连接板;及
两个连接件,每个所述连接件分别可拆装地连接于其中一块所述第一连接板与其中一块所述第二连接板之间。
2.如权利要求1所述的加热装置,其特征在于,第一加热条的形状为蛇形线结构;和/或,第二加热条的形状为蛇形线结构。
3.如权利要求1所述的加热装置,其特征在于,第一加热条的数量为多条;和/或,第二加热条的数量为多条。
4.如权利要求1所述的加热装置,其特征在于,第一加热板包括间隔布置的两条所述第一加热条,每条所述第一加热条呈蛇形线结构,每条所述第一加热条的两端分别连接于两块所述第一连接板。
5.如权利要求1所述的加热装置,其特征在于,所述第二加热条包括第一段、第二段及圆环段,所述圆环段呈圆环状结构并位于两块所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:邹凯,和江变,曾世铭,
申请(专利权)人:包头市山晟新能源有限责任公司,
类型:新型
国别省市:内蒙;15
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