半导体装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于，在将晶体管区域和二极管区域一起设置于一个半导体衬底之上的半导体装置中，在二极管的恢复动作时实现良好的耐受性。半导体基体(30)在IGBT区域(1)以及二极管区域(2)中具有n‑型漂移层(3)，在IGBT区域(1)中具有：p型基极层(4)，其形成于n‑型漂移层(3)之上；p+型扩散层(5)以及n+型发射极层(6)，它们选择性地形成于p型基极层(4)之上，与p型基极层(4)相比p型杂质浓度高；以及栅极电极(9)，其隔着栅极绝缘膜(8)与p型基极层(4)相对，在二极管区域(2)中具有形成于n‑型漂移层(3)之上的p‑型阳极层(19)。p+型扩散层(5)与p‑型阳极层(19)相比p型杂质浓度高，p+型扩散层(5)随着接近二极管区域(2)而变浅，且p型杂质浓度变小。

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置以及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
当前，在家电产品、电动汽车、或铁路等广泛的领域中使用的逆变器装置大多是对感应电动机等电感性负载进行驱动。逆变器装置是使用多个电力用半导体装置而构成的，该电力用半导体装置是IGBT(insulatedgatebipolartransistor)或MOSFET(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor)等开关元件、以及续流二极管(下面，简称为“二极管”)等。逆变器装置谋求高效率、小功率，因此市场上要求电力用半导体装置的高性能化和低成本化。为了电力用半导体装置的高性能化和低成本化，开发了沟槽MOS栅极构造、半导体衬底的薄板化、反向导通型IGBT(RC-IGBT：ReverseConductingIGBT)等。RC-IGBT是将IGBT和二极管内置于同一半导体衬底而一体化得到的。RC-IGBT得到良好的电气特性的方法之一是分别在IGBT和二极管形成最佳的扩散层。作为与RC-IGBT相关的现有技术文献，例如有专利文献1。在专利文献1所公开的RC本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其具有半导体基体，该半导体基体具有一个主面以及另一个主面，所述半导体基体被划分成：晶体管区域，其从一个主面跨越到另一个主面，构成晶体管；以及二极管区域，其从一个主面跨越到另一个主面，构成二极管，所述半导体基体在所述晶体管区域以及所述二极管区域中具有第1导电型的漂移层，所述半导体基体在所述晶体管区域中具有：第2导电型的基极层，其形成于所述漂移层之上；第2导电型的扩散层以及第1导电型的发射极层，它们选择性地形成于所述基极层之上，与所述基极层相比第2导电型杂质浓度高；以及栅极电极，其隔着绝缘膜与所述基极层相对，所述半导体基体在所述二极管区域中具有形成于所述漂移层之上的第2导电型的...

【技术特征摘要】
2018.04.24 JP 2018-0827721.一种半导体装置，其具有半导体基体，该半导体基体具有一个主面以及另一个主面，所述半导体基体被划分成：晶体管区域，其从一个主面跨越到另一个主面，构成晶体管；以及二极管区域，其从一个主面跨越到另一个主面，构成二极管，所述半导体基体在所述晶体管区域以及所述二极管区域中具有第1导电型的漂移层，所述半导体基体在所述晶体管区域中具有：第2导电型的基极层，其形成于所述漂移层之上；第2导电型的扩散层以及第1导电型的发射极层，它们选择性地形成于所述基极层之上，与所述基极层相比第2导电型杂质浓度高；以及栅极电极，其隔着绝缘膜与所述基极层相对，所述半导体基体在所述二极管区域中具有形成于所述漂移层之上的第2导电型的阳极层，所述扩散层与所述阳极层相比第2导电型杂质浓度高，所述扩散层随着接近所述二极管区域而变浅，且第2导电型杂质浓度变小。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还具有第1电极和阻挡金属，该第1电极隔着所述栅极电极和层间绝缘膜而配置，该阻挡金属形成于所述扩散层与所述第1电极之间以及所述发射极层与所述第1电极之间，所述阳极层与所述第1电极直接接触。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述半导体基体在所述漂移层与所述基极层之间还具有与所述漂移层相比杂质浓度高的第1导电型的载流子积蓄层。4.一种半导体装置，其具有半导体基体，该半导体基体具有一个主面以及另一个主面，所述半导体基体被划分成：晶体管区域，其从一个主面跨越到另一个主面，构成晶体管；二极管区域，其从一个主面跨越到另一个主面，构成二极管；以及元件分离区域，其设置于从一个主面跨越到另一个主面的所述晶体管区域与所述二极管区域之...

【专利技术属性】
技术研发人员：上马场龙，高桥彻雄，古川彰彦，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP