【技术实现步骤摘要】
一种抑制电压回折现象的RC-LIGBT器件
本专利技术属于功率半导体
，涉及高压横向半导体器件，具体为一种抑制电压回折现象的RC-LIGBT器件。
技术介绍
电力电子系统的小型化、集成化是功率半导体器件的一个重要研究方向。智能功率集成电路(SmartPowerIntegratedCircuit,SPIC)或高压集成电路(HighVoltageIntegratedCircuit,HVIC)将保护、控制、检测、驱动等低压电路和高压功率器件集成在同一个芯片上，这样不仅缩小了系统体积，提高了系统可靠性；同时，在较高频率的工作场合，由于系统引线电感的减少，对于缓冲和保护电路而言，能够显著降低其要求。横向绝缘栅双极晶体管(LateralInsulated-GateBipolarTransistor,LIGBT)是SPIC和HVIC的重要功率器件之一，基于SOI技术的LIGBT更是由于其优良的隔离特性而被广泛使用。作为双极型功率器件，LIGBT同时具有MOSFET高输入阻抗和BJT电流密度大的特点，在导通时漂移区中聚集的大量非平衡电子空穴对，增强了器件的电导调制效应，使得...
【技术保护点】
1.一种具有抑制电压回折现象的RC‑LIGBT器件，包括：半导体衬底(1)、位于半导体衬底之上的埋氧层区(2)以及位于埋氧层上的半导体层；所述半导体层包括：P型半导体基区(4)、栅极区、表面耐压区(3)、N型半导体缓冲区(14)、N型集电区(18)及RC抑制区；所述P型半导体基区(4)和栅极区位于半导体层一侧；所述N型半导体缓冲区(14)、RC抑制区和N型集电极区(18)位于半导体层另一侧，RC抑制区位于N型半导体缓冲区(14)与N型集电极区(18)之间；所述P型半导体基区(4)内分别设置有重掺杂N型半导体区(5)和重掺杂P型半导体区(6)，部分重掺杂N型半导体区(5)和部...
【技术特征摘要】
1.一种具有抑制电压回折现象的RC-LIGBT器件，包括：半导体衬底(1)、位于半导体衬底之上的埋氧层区(2)以及位于埋氧层上的半导体层；所述半导体层包括：P型半导体基区(4)、栅极区、表面耐压区(3)、N型半导体缓冲区(14)、N型集电区(18)及RC抑制区；所述P型半导体基区(4)和栅极区位于半导体层一侧；所述N型半导体缓冲区(14)、RC抑制区和N型集电极区(18)位于半导体层另一侧，RC抑制区位于N型半导体缓冲区(14)与N型集电极区(18)之间；所述P型半导体基区(4)内分别设置有重掺杂N型半导体区(5)和重掺杂P型半导体区(6)，部分重掺杂N型半导体区(5)和部分重掺杂P型半导体区(6)上覆盖有发射极金属(7)；所述栅极区采用平面栅极区、位于所述P型半导体基区(4)上表面并覆盖部分重掺杂N型半导体区(5)和部分表面耐压区(3)；所述N型半导体缓冲区(14)内设置P型集电极区(13)，所述P型集电区(13)上表面覆盖有集电极金属(12)；所述N型集电极区(18)上覆盖集电极金属(12)；所述RC抑制区由部分表面耐压区(3)、P型埋层区(17)和槽型集电极区一组成，所述槽型集电极区一位于N型半导体缓冲区(14)与N型集电区(18)之间、且相互接触，所述P型埋层区(17)位于N型集电极区(18)之下、且所述P型埋层区与槽型集电极区一之间间隔有表面耐压区(3)；所述槽型集电极区一由位于槽壁的氧化介质层(16)、填充于槽内的P型多晶硅(15)、及覆盖于P型多晶硅表面的集电极金属(12)构成。2.一种具有抑制电压回折现象的RC-LIGBT器件，包括：半导体衬底(1)、位于半导体衬底之上的埋氧层区(2)以及位于埋氧层上的半导体层；所述半导体层包括：P型半导体基区(4)、栅极区、表面耐压区(3)、N型半导体缓冲区(14)、...
【专利技术属性】
技术研发人员：易波，蔺佳，杨瑞丰，赵青，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。