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本发明属于功率半导体技术领域，涉及高压横向半导体器件，具体为一种抑制电压回折现象的RC‑LIGBT器件。本发明中，通过引入槽型集电极区、P型埋层区，与部分表面耐压区3共同形成RC抑制；使得在低集电极电压时，P型埋层和槽型集电极区之间的N型表...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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