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本发明的目的在于，在将晶体管区域和二极管区域一起设置于一个半导体衬底之上的半导体装置中，在二极管的恢复动作时实现良好的耐受性。半导体基体(30)在IGBT区域(1)以及二极管区域(2)中具有n‑型漂移层(3)，在IGBT区域(1)中具有：p...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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