一种多芯片的模块式集成电路封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及的一种多芯片的模块式集成电路封装结构，其特征在于它包括金属引线框架，金属引线框架上通过锡膏焊接有源器件，金属引线框架上通过银胶粘贴芯片。有源器件为分立器件或者集成电路，分立器件为二极管、三极管、MOS管或者可控硅。本实用新型专利技术的一种多芯片的模块式集成电路封装结构具有提高生产效率，降低生产成本，保证生产产品质量的优点。

A Multichip Modular Integrated Circuit Packaging Architecture

【技术实现步骤摘要】
一种多芯片的模块式集成电路封装结构
本技术涉及一种多芯片的模块式集成电路封装结构。
技术介绍
传统的MCM集成电路封装结构一般单独采用一级封装或者二级封装中的一种形式进行生产。一级封装，是指单芯片封装或多芯片在金属引线框架上做的封装，芯片通过银胶安装在引线框架上。二级封装，是指各种元器件和集成电路，通过SMT方式焊接在线路板上。SMT是表面组装技术(表面贴装技术)(SurfaceMountTechnology的缩写)，称为表面贴装或表面安装技术。是目前电子组装行业里最流行的一种技术和工艺。SMT是一种将无引脚或短引线表面组装元器件(简称SMC/SMD，中文称片状元器件)安装在印制电路板(PrintedCircuitBoard，PCB)的表面或其它基板的表面上，通过回流焊或浸焊等方法加以焊接组装的电路装连技术。PCB板精度不够不符合摩尔定律，二级封装存在散热困难的缺陷。多个半导体芯片在金属框架上封装都是采用装片银胶的方式，粘接在金属框架上。而二级封装是采用锡膏将各种元器件和集成电路及接口焊接在线路板上的。装片银胶工艺性能好，导电性能散热性能也相当优异。但是，在多种元器件封装时，有源器件如MOS，无源器件如电阻电容，和硅材料的芯片封装在同一封装体内时，0.1mm2焊接尺寸的电阻电容采用1mm级别的硅芯片的银胶装片工艺时，速度慢、精度低。另外传统的光电固态继电器主要有三个芯片构成，包括光发射端、光信号接收放大端和功率控制端，其中光发射端一般为一个LED发光二极管，波长为近红外和可见光范围，光信号接收放大端的主要作用是接收光信号，然后把光信号转换为电信号，并进行放大，功率控制端一般为半导体功率开关器件，包括可控硅、VDMOS、LDMOS或IGBT等，功率器件的门极(或栅极)控制端和光信号接收放大端信号相连，阳极和阴极作为固态继电器端口，连接需要控制的强电端口。这样的结构成本高、可靠性低、装配难度大、电磁干扰可能性大。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述不足，提供提高生产效率，降低生产成本，保证生产产品质量的一种多芯片的模块式集成电路封装结构，另外采用单片集成光电固态继电器，使得结构成本降低、可靠性增加、装配难度降低、减少电磁干扰可能性。本技术的目的是这样实现的：一种多芯片的模块式集成电路封装结构，它包括金属引线框架，金属引线框架上通过锡膏焊接有源器件，金属引线框架上通过银胶粘贴芯片。上述的芯片中有一个芯片是集成光电固态继电器，所述集成光电固态继电器包含了光信号接收放大端和功率控制端两部分，集成光电固态继电器包括第一三极管、第二三极管、MOS管、下拉电阻以及上拉电阻，其中：光信号输入第一三极管的基极，第一三极管的集电极接入高电平，第一三极管的发射极经下拉电阻接地，且第一三极管的发射极连接至第二三极管的基极，第二三极管的集电极经上拉电阻接入高电平，第二三极管的发射极接地；第二三极管的集电极连接至MOS管的门极，所述MOS管的阳极和阴极作为固态继电器端口，第一三极管和下拉电阻构成光敏信号接收级，第二三极管和上拉电阻构成小信号放大级，MOS管是功率管。有源器件为分立器件或者集成电路，分立器件为二极管、三极管、MOS管或者可控硅。集成光电固态继电器采用双极集成电路工艺进行集成，与双极工艺兼容的功率器件包括GTR和可控硅，光敏信号接收级和小信号放大级用普通的双极集成电路工艺实现，可控硅部分用衬底引出可控硅的阳极，基极扩散区作为可控硅的门极，而发射极扩散区作为可控硅的阴极，从而实现垂直结构的可控硅结构。一种多芯片的模块式集成电路封装结构的生产流水线，它从前之后依次包括引线框架上料装置、钢网印刷装置、第一AOI自动光学检测装置、有源器件安装装置、回流焊装置、第二AOI自动光学检测装置、芯片安装装置、第一烘烤装置、键合装置、塑封装置、第二烘烤装置、打标装置、电镀装置、成型切筋装置、外观检测包装装置。回流焊装置启用时内部充满氮气保护。一种多芯片的模块式集成电路封装结构的生产方法如下：步骤一、引线框架上料装置将引线框架上料；步骤二、钢网印刷装置通过钢网在引线框架上进行印刷；步骤三、第一AOI自动光学检测装置对钢网印刷后的金属引线框架进行检测；步骤四、有源器件安装装置在金属引线框架上安装有源器件；步骤五、在回流焊装置内将安装有缘器件的金属引线框架进行回流焊，在此过程中回流焊装置内保持氮气保护，通过氮气保护的回流焊装置，使有源器件与金属框架紧密粘接；步骤六、第二AOI自动光学检测装置对回流焊完成的金属引线框架进行检测；有不合格之处记录至数据库，该处不进行后续芯片安装作业；步骤七、芯片安装装置将芯片在金属引线框架上进行安装，根据芯片的多少，芯片安装装置可以设置有多组或者一组；步骤八、第一烘烤装置将粘贴芯片的金属引线框架进行烘烤；步骤九、键合装置对上述步骤完成的中间品进行键合作业；步骤十、塑封装置对上述步骤完成的中间品进行塑封作业；步骤十一、第二烘烤装置对上述步骤完成的中间品进行烘烤作业；步骤十二、打标装置对上述步骤完成的中间品进行打标作业；步骤十三、电镀装置对上述步骤完成的中间品进行电镀作业；步骤十四、成型切筋装置对上述步骤完成的中间品进行成型切筋作业；步骤十五、外观检测包装装置对上述步骤完成的中间品进行外观检测和包装作业。塑封装置塑封作业时采用塑封料上料架进行塑封料的上料，所述塑封料上料架包括主体框架与横杆，主体框架的内部设置有横杆，主体框架与横杆通过焊接连接，通过焊接连接，从而可以提高整体结构的稳定性，横杆的中侧设置有连接框，横杆与连接框通过焊接连接，主体框架的左右两端设置有放料圆孔，主体框架的下端设置有压条，主体框架的右端上下两端各设置有一个持握手柄，持握手柄可以使得方便进行拿取，两侧持握手柄的内部设置有握把，握把的左端设置有控制装置，控制装置的左端设置有连接块。主体框架的组成包括有固定端、料孔、上侧板、传动装置和下侧板，固定端的右端上侧设置有上侧板，上侧板的内部设置有料孔，从而可以使得上侧板和下侧板能够运动到同一轴心，上侧板的下端设置有下侧板，下侧板的右端内部设置有传动装置，主体框架通过固定端与横杆固定连接。传动装置的组成包括有传动链条、复位弹簧、连接座和传动杆，传动链条的下端设置有复位弹簧，复位弹簧可以使得恢复原来的状态，复位弹簧的下端设置有连接座，连接座的下端设置有传动杆，传动装置通过传动杆与连接块固定连接。控制装置的组成包括有推拉杆、固定座、压缩弹簧、固定块、连接板和控制杆，推拉杆的右端设置有固定座，固定座的右端设置有压缩弹簧，从而可以在压缩弹簧的作用下进行运动，压缩弹簧的右端设置有固定块，固定块的右端设置有连接板，连接板的右端设置有控制杆，控制装置通过控制杆与握把固定连接。控制杆的组成包括有连接孔、连接杆、固定卡块和传动支杆，固定卡块的下端右侧设置有传动支杆，传动支杆的左侧下端设置有连接杆，从而可以使得更好的进行转动，连接杆的下端设置有连接孔，控制杆通过传动支杆与握把固定连接。与现有技术相比，本技术的有益效果是：1、由于是采用SMT工艺装片，只需要一次印刷，就能将一片钢网范围内的数条引线框架同时涂满锡膏，不需要像点浆工艺一次只能点一个点。2、银胶工艺，装片速度与芯片大小成反比，芯片面积越本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多芯片的模块式集成电路封装结构，其特征在于它包括金属引线框架，金属引线框架上通过锡膏焊接有源器件，金属引线框架上通过银胶粘贴芯片，上述的芯片中有一个芯片是集成光电固态继电器，所述集成光电固态继电器包含了光信号接收放大端和功率控制端两部分，集成光电固态继电器包括第一三极管、第二三极管、MOS管、下拉电阻以及上拉电阻，其中：光信号输入第一三极管的基极，第一三极管的集电极接入高电平，第一三极管的发射极经下拉电阻接地，且第一三极管的发射极连接至第二三极管的基极，第二三极管的集电极经上拉电阻接入高电平，第二三极管的发射极接地；第二三极管的集电极连接至MOS管的门极，所述MOS管的阳极和阴极作为固态继电器端口，第一三极管和下拉电阻构成光敏信号接收级，第二三极管和上拉电阻构成小信号放大级，MOS管是功率管。

【技术特征摘要】
1.一种多芯片的模块式集成电路封装结构，其特征在于它包括金属引线框架，金属引线框架上通过锡膏焊接有源器件，金属引线框架上通过银胶粘贴芯片，上述的芯片中有一个芯片是集成光电固态继电器，所述集成光电固态继电器包含了光信号接收放大端和功率控制端两部分，集成光电固态继电器包括第一三极管、第二三极管、MOS管、下拉电阻以及上拉电阻，其中：光信号输入第一三极管的基极，第一三极管的集电极接入高电平，第一三极管的发射极经下拉电阻接地，且第一三极管的发射极连接至第二三极管的基极，第二三极管的集电极经上拉电阻接入高电平，第二三极管的发射极接地；第二三极管的集电极连接至MOS管的门极，所述MOS管的阳极和阴极作为固态继电器端口，第一三极管和下拉电阻构成光敏信号接收级，第二三极管和上拉电阻构成小信号放大级，MOS管是功率管。2.根据权利要求1所述的一种多芯片的模块式集成电路封装结构，其特征在于有源器件为分立器件或者集成电路，分立器件为二极管、三极管、MOS管或者可控硅，集成光电固态继电器采用双极集成电路工艺...

【专利技术属性】
技术研发人员：全庆霄，姜岩峰，王辉，张巧杏，王嫚，
申请(专利权)人：无锡豪帮高科股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32