一种超薄大功率整流桥元器件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种超薄大功率整流桥元器件，属于半导体元器件技术领域，其特征在于，第一支架、第二支架分别设置在靠近塑封体的左下侧和右下侧，且第一支架、第二支架分别向下延伸引出至塑封体外部形成第一引脚、第二引脚作为两交流极输入端，第三支架设置在靠近塑封体的右上侧，第四支架设置在第一支架和第二支架之间并向上延伸至第一支架和第三支架之间，且第三支架、第四支架分别向上延伸引出至塑封体外部形成第三引脚、第四引脚作为两直流输出端；能够有效增大可塑封的PAD面占封装平面面积的比例。

A Ultra-thin High Power Rectifier Bridge Component

【技术实现步骤摘要】
一种超薄大功率整流桥元器件
本技术涉及半导体元器件
，具体涉及一种超薄大功率整流桥元器件。
技术介绍
整流器是由四个整流二极管组成的一个桥式结构，它利用二极管的单向导电特性对交流电进行整流，由于桥式整流器对输入正正弦波的利用效率比波整流高一倍，是对二极管半波整流的一种显著改进，故被广泛应用于交流电转换成直流电的电路中。现有技术中，申请号为201520737184.X的技术专利公布了一种超薄大功率整流桥式二极管结构，封装区域两端设有焊接芯粒的载料平台，所述的四只芯粒均分为两组，两组芯粒分布在封装区域内左右两侧，同组两个芯粒分别焊接在同侧相对的两个载料平台上，且同组两个芯粒不处于同一直线上，同组两个芯粒一个靠近封装区域内侧另一个靠近封装区域外侧，芯粒上均设有桥片，桥片一端焊接在芯粒上部，桥片另一端焊接在与该芯粒相对一端设置的焊接台上，桥片完全封装于封装本体内，载料平台底端面与封装本体底端面平齐形成漏铜结构；该结构采用水平设置的4桥片搭桥CLIP结构，旨在减小应力，减小二极管厚度，且底料片外漏提高散热效果。但是，诸如此类的整流桥结构由于底料片框架结构设计合理性差，由于引线脚位的问题，必定有一个脚会影响芯片摆放的位置，造成可塑封的PAD面占封装平面面积的比例较小，因而导致同等塑封体表面积的情况下，能够塑封的PAD面较小，影响塑封芯片的尺寸，同等尺寸封装下可通过的电流较小，无法满足产品的微型化发展需求。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术提供了一种能够有效增大可塑封的PAD面占封装平面面积的比例的超薄大功率整流桥元器件，进而增大可塑封芯片尺寸，增加同等封装尺寸下产品的可通过电流，以适应微型产品的发展需求。本技术为解决其技术问题所采用的技术方案是：一种超薄大功率整流桥元器件，其特征在于，包括第一支架、第二支架、第三支架、第四支架、跳片、塑封体及四个二极管芯片、四个引脚，第一支架、第二支架分别设置在靠近塑封体的左下侧和右下侧，且第一支架、第二支架分别向下延伸引出至塑封体外部形成第一引脚、第二引脚作为两交流极输入端，第三支架设置在靠近塑封体的右上侧，第四支架设置在第一支架和第二支架之间并向上延伸至第一支架和第三支架之间，且第三支架、第四支架分别向上延伸引出至塑封体外部形成第三引脚、第四引脚作为两直流输出端；所述第一支架、第二支架上分别对应设置有第一二极管芯片、第二二极管芯片，第三支架上左右平行设置有第三二极管芯片、第四二极管芯片，四个二极管芯片均通过其P极设置在相应支架上，第一二极管芯片、第二二极管芯片的N极分别通过一跳片与第四支架相连，第三二极管芯片的N极通过一跳片与第一支架相连，第四二极管芯片的N极通过一跳片与第二支架相连。进一步的，所述第三支架向上延伸引出第三引脚作为正极输出端。进一步的，所述第四支架向上延伸引出第四引脚作为负极输出端。进一步的，所述第三二极管芯片设置在靠近第三支架的左侧，第四二极管芯片设置在靠近第三支架的右侧。进一步的，每个二极管芯片与相应支架或跳片之间、每个跳片与相应支架之间均通过锡膏焊接固定。进一步的，所述第一支架、第二支架、第三支架、第四支架共平面。进一步的，四个二极管芯片共平面。进一步的，第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚裸露于塑封体外部形成平脚或海鸥脚结构，且四个引脚共平面。本技术的有益效果是，通过设置的四个支架在塑封体中的合理布局以及以对应芯片的连接关系，使得同等塑封尺寸的情况下能够达到可塑封的PAD面占封装平面面积的比例最大化，增大可塑封芯片的尺寸，增加同等封装尺寸下产品的可通过电流，满足微型化产品的较高需求。附图说明图1是本技术一实施例的结构示意图；图2是本技术一实施例塑封体内四个框架的排布结构示意图；图3是本技术一实施例的侧视结构示意图。图中：1.第一支架，2.第二支架，3.第三支架，4.第四支架，5.第一引脚，6.第二引脚，7.第三引脚，8.第四引脚，9.第一二极管芯片，10.第二二极管芯片，11.第三二极管芯片，12.第四二极管芯片，13.跳片，14.塑封体。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。本技术的一实施例公开了一种超薄大功率整流桥元器件，包括第一支架1、第二支架2、第三支架3、第四支架4、跳片13、塑封体14及四个二极管芯片、四个引脚，如图2所示，第一支架1、第二支架2分别设置在靠近塑封体14的左下侧和右下侧，且第一支架1、第二支架2分别向下延伸引出至塑封体14外部形成第一引脚5、第二引脚6作为两交流极输入端，第三支架3设置在靠近塑封体14的右上侧，第四支架4设置在第一支架1和第二支架2之间并向上延伸至第一支架1和第三支架3之间，且第三支架3、第四支架4分别向上延伸引出至塑封体14外部形成第三引脚7、第四引脚8作为两直流输出端，其中，第三引脚7作为正极输出端，第四引脚8作为负极输出端；如图1和图3所示，所述第一支架1、第二支架2上分别对应设置有第一二极管芯片9、第二二极管芯片10，第三支架3上左右平行设置有第三二极管芯片11、第四二极管芯片12，第三二极管芯片11设置在靠近第三支架3的左侧，第四二极管芯片12设置在靠近第三支架3的右侧，四个二极管芯片均通过其P极设置在相应支架上，第一二极管芯片9、第二二极管芯片10的N极分别通过一跳片13与第四支架4相连，第三二极管芯片11的N极通过一跳片13与第一支架1相连，第四二极管芯片12的N极通过一跳片13与第二支架2相连。本实施例中，四个支架（第一支架1、第二支架2、第三支架3、第四支架4）共平面，四个二极管芯片共平面，四个引脚（第一引脚5、第二引脚6、第三引脚7、第四引脚8）裸露于塑封体14外部形成平脚结构，且四个引脚共平面，便于整流桥产品在PCB板中的使用，当然亦可根据实际应用将其设计为海鸥脚结构。本实施例中，每个二极管芯片与相应支架或跳片13之间、每个跳片13与相应支架之间均通过锡膏焊接固定，各支架、跳片均采用材质铜，塑封体采用环氧树脂。本实施例中如图2所示，第一支架1主体呈方型，用于设置放置芯片的PAD面，其上端向上延伸呈条状，用于连接对应跳片，第二支架2呈长方形，其下部用于设置放置芯片的PAD面，上部用于连接对应跳片；第三支架3沿左右方向呈长方形，用于设置两个放置芯片的PAD面；第四支架4则整体设计成沿上下方向的条状，且中部弯折以使其设置于第一支架1与第二支架2之间以及第一支架1与第三支架2之间，本技术各支架在塑封体内合理排布，整体布局更加合理，更利于PAD面在塑封平面中的最大化，即是PAD面积占封装平面面积的比例最大化，从而为芯片的尺寸最大化提供可能；达到的效果是，同尺寸封装即同等塑封平面的情况下，可封装的芯片尺寸较大，增大了封装产品可通过的电流。本实施例的超薄大功率整流桥元器件厚度介于1.50mm-1.60mm，引脚厚度为0.4mm，引脚宽度1.0mm，塑封体长度为9.6mm，宽度为8.6mm，通过合理布局，相比现有技术中同尺寸塑封下能够塑封边长为95MIL的芯片、可通过电流5A，本实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超薄大功率整流桥元器件，其特征在于，包括第一支架（1）、第二支架（2）、第三支架（3）、第四支架（4）、跳片（13）、塑封体（14）及四个二极管芯片、四个引脚，第一支架（1）、第二支架（2）分别设置在靠近塑封体（14）的左下侧和右下侧，且第一支架（1）、第二支架（2）分别向下延伸引出至塑封体（14）外部形成第一引脚（5）、第二引脚（6）作为两交流极输入端，第三支架（3）设置在靠近塑封体（14）的右上侧，第四支架（4）设置在第一支架（1）和第二支架（2）之间并向上延伸至第一支架（1）和第三支架（3）之间，且第三支架（3）、第四支架（4）分别向上延伸引出至塑封体（14）外部形成第三引脚（7）、第四引脚（8）作为两直流输出端；所述第一支架（1）、第二支架（2）上分别对应设置有第一二极管芯片（9）、第二二极管芯片（10），第三支架（3）上左右平行设置有第三二极管芯片（11）、第四二极管芯片（12），四个二极管芯片均通过其P极设置在相应支架上，第一二极管芯片（9）、第二二极管芯片（10）的N极分别通过一跳片（13）与第四支架（4）相连，第三二极管芯片（11）的N极通过一跳片（13）与第一支架（1）相连，第四二极管芯片（12）的N极通过一跳片（13）与第二支架（2）相连。...

【技术特征摘要】
1.一种超薄大功率整流桥元器件，其特征在于，包括第一支架（1）、第二支架（2）、第三支架（3）、第四支架（4）、跳片（13）、塑封体（14）及四个二极管芯片、四个引脚，第一支架（1）、第二支架（2）分别设置在靠近塑封体（14）的左下侧和右下侧，且第一支架（1）、第二支架（2）分别向下延伸引出至塑封体（14）外部形成第一引脚（5）、第二引脚（6）作为两交流极输入端，第三支架（3）设置在靠近塑封体（14）的右上侧，第四支架（4）设置在第一支架（1）和第二支架（2）之间并向上延伸至第一支架（1）和第三支架（3）之间，且第三支架（3）、第四支架（4）分别向上延伸引出至塑封体（14）外部形成第三引脚（7）、第四引脚（8）作为两直流输出端；所述第一支架（1）、第二支架（2）上分别对应设置有第一二极管芯片（9）、第二二极管芯片（10），第三支架（3）上左右平行设置有第三二极管芯片（11）、第四二极管芯片（12），四个二极管芯片均通过其P极设置在相应支架上，第一二极管芯片（9）、第二二极管芯片（10）的N极分别通过一跳片（13）与第四支架（4）相连，第三二极管芯片（11）的N极通过一跳片（13）与第一支架（1）相连，第四二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：段花山，代勇敏，孔凡伟，
申请(专利权)人：山东晶导微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37