【技术实现步骤摘要】
半导体器件的形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体器件的形成方法。
技术介绍
随着半导体器件体积的缩小，半导体结构的尺寸变得更小。此时，需要与小尺寸结构相适应的其他结构。通常，利用光刻胶对材料进行刻蚀，进而得到小尺寸的器件和结构。但是利用光刻胶刻蚀得到的结构，其尺寸并不能达到预期目标，即发生尺寸的偏大或者偏小，而且形成结构的侧壁粗糙度比较大。更重要的是，利用光刻胶不能获得较小尺寸的沟槽或结构线段。因此，亟须一种能够形成较小尺寸沟槽或者结构线段的半导体器件的形成方法。
技术实现思路
本专利技术的实施例公开了一种半导体器件的形成方法，形成多层掩膜材料层，最终得到尺寸较小但是长度不同的掩膜线段结构。本专利技术公开了一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有刻蚀停止层，在刻蚀停止层上方形成有第一掩膜结构，第一掩膜结构包括多个间隔分布的第一子掩膜结构，相邻第一子掩膜结构之间包括第一凹槽；形成充满第一凹槽的第二掩膜结构；刻蚀部分第二掩膜结构，以形成连接孔，连接孔的内壁包括与之相邻的两个第一子掩膜结构的部分侧壁；和填充连接孔，以形成第三...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有刻蚀停止层，在所述刻蚀停止层上方形成有第一掩膜结构，所述第一掩膜结构包括多个间隔分布的第一子掩膜结构，相邻所述第一子掩膜结构之间包括第一凹槽；形成充满所述第一凹槽的第二掩膜结构；刻蚀部分所述第二掩膜结构，以形成连接孔，所述连接孔的内壁包括与之相邻的两个所述第一子掩膜结构的部分侧壁；和填充所述连接孔，以形成第三掩膜结构。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有刻蚀停止层，在所述刻蚀停止层上方形成有第一掩膜结构，所述第一掩膜结构包括多个间隔分布的第一子掩膜结构，相邻所述第一子掩膜结构之间包括第一凹槽；形成充满所述第一凹槽的第二掩膜结构；刻蚀部分所述第二掩膜结构，以形成连接孔，所述连接孔的内壁包括与之相邻的两个所述第一子掩膜结构的部分侧壁；和填充所述连接孔，以形成第三掩膜结构。2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成充满所述第一凹槽的所述第二掩膜结构的工艺步骤包括：形成充满所述第一凹槽并覆盖所述第一子掩膜结构的第二掩膜材料层；和采用机械平坦化工艺研磨所述第二掩膜材料层，形成所述第二掩膜结构，所述第二掩膜结构的顶部与所述第一掩膜结构的顶部平齐。3.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第二掩膜材料层的工艺为旋涂工艺。4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成填充所述连接孔的所述第三掩膜结构的工艺步骤包括：形成填充所述连接孔以及覆盖所述第一掩膜结构和所述第二掩膜结构的第三掩膜层；和除去部分所述第三掩膜层，直至暴露所述第一掩膜结构和所述第二掩膜结构的顶部，保留在所述连接孔内的所述第三掩膜层为所述第三掩膜结构。5.根据权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，除去部分所述第三掩膜层的工艺包括：等离子体干法刻蚀。6.根据权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述等离子体干法刻蚀的工艺参数包括：气压范围为2mTorr～200mTorr，功率范围为100W～1000W，离子束电压范围为0V～200V，CF4的流量范围为10sccm～200sccm，O2的流量范围为0sccm～50sccm，N2的流量范围为0sccm～200sccm，He的流量范围为0sccm～500sccm。7.根据权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述等离子体干法刻蚀对所述第三掩膜层相对于所述第二掩膜结构的刻蚀选择比大于等于5。8.根据权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜结构与所述第三掩膜结构的材料包括TiOx。9.根据权利要求4所述的半导体器件的形成方...
【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，陈卓凡，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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