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本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有刻蚀停止层，在刻蚀停止层上方形成有第一掩膜结构，第一掩膜结构包括多个间隔分布的第一子掩膜结构，相邻第一子掩膜结构之间包括第一凹槽；形成充满第一凹槽的第二掩膜结构...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。