半导体装置制造用粘着片以及使用其的半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置制造用粘着片，该半导体装置制造用粘着片具备基材以及设置于该基材的一个表面的热固化型的粘着剂层，并以可剥离的方式贴附于半导体装置的引线框架或布线基板，在该半导体装置制造用粘着片中，所述粘着剂层含有含羧基的丙烯腈‑丁二烯共聚物(a)、具有下面的结构式(1)的环氧树脂(b)、含有2个以上马来酰亚胺基的化合物(c)、以及反应性硅氧烷化合物(d)。另外，本发明专利技术提供使用其的半导体装置的制造方法：

Adhesive sheets for semiconductor device manufacturing and manufacturing methods of semiconductor devices using them

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置制造用粘着片以及使用其的半导体装置的制造方法
本专利技术涉及通过QFN(QuadFlatNon-lead，四方扁平无引脚)方式组装半导体装置时适合作为掩膜胶带使用的粘着片以及使用其的半导体装置的制造方法。本申请基于并要求于2017年2月2日在日本提交的日本专利申请第2017-017490号的优先权的权益，其内容结合于此作为参照。
技术介绍
近年来，相对于以移动电话为首的IT设备的小型化、薄型化和多功能化的需求，对半导体装置(半导体封装)中的进一步高密度安装技术的需求日益增加。QFN方式作为满足该需求的CSP(ChipSizePackage，芯片尺寸封装)技术引起了关注(参照专利文献1以及专利文献2)，特别是在100引脚以下的少引脚类型中被广泛采用。在此，作为使用QFN方式的一般的QFN封装的组装方法，大概已知如下的方法。首先，在贴附工序中，在引线框架的一个表面贴附粘着片，接着，在芯片粘接工序中，在形成于引线框架的多个半导体元件搭载部(芯片焊盘部)分别搭载IC芯片等半导体元件。其次，在引线键合工序中，利用键合引线将沿着引线框架的各半导体元件搭载部的外周配设的多个引线和半导体元件电连接。接下来，在密封工序中，利用密封树脂将搭载于引线框架的半导体元件密封。之后，在剥离工序中，通过将粘着片从引线框架剥离，能够形成排列有多个QFN封装的QFN单元。最后，在切割工序中，通过沿着各QFN封装的外周切割该QFN单元，能够制造多个QFN封装。对于用于这种用途的粘着片，要求如下：直到剥离工序之前充分并稳定地贴附而不会从引线框架的背面以及密封树脂的背面剥离，并且，在剥离工序中能够容易地剥离，不存在粘着剂残留于引线框架的背面和/或密封树脂的背面的残胶和/或粘着片的断裂等不良情况。特别是近年来，为了降低半导体装置的成本，使用了由铜合金组成的引线框架。这种由铜合金组成的引线框架还具有过渡金属铜对于高分子材料的氧化劣化的催化剂作用，由于覆胶膜(taping)工序后的QFN封装组装伴随的热履历，粘着剂容易被氧化劣化，在片剥离时容易发生重剥离以及残胶。然而，现有使用的粘着片没有充分满足能够用于由铜合金构成的引线框架的实用水平。例如，在现有的粘着片中，有含有丙烯腈-丁二烯共聚物和双马来酰亚胺树脂的粘着剂层层叠于由耐热性膜构成的基材的形态的粘着片(参照专利文献3)，但在使用其的情况下，具有以下问题：由于在覆胶膜工序后的芯片粘接固化处理、引线键合工序、树脂密封工序中施加的热，丙烯腈-丁二烯共聚物容易劣化，导致在剥离工序中难以剥离，或粘着片断裂，或发生残胶。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2003-165961号公报专利文献2：日本特开2005-142401号公报专利文献3：日本特开2008-095014号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术是鉴于上述情况而完成的，目的在于提供粘着片以及使用其的半导体装置的制造方法，所述粘着片在剥离工序之前，即使受到QFN组装伴随的热履历，也能充分并稳定地贴附而不会从引线框架的背面以及密封树脂的背面剥离，也不会发生密封树脂泄漏，而且，在剥离工序中能够容易地剥离，不会产生粘着剂残留的残胶或断裂。用于解决课题的方案本专利技术的半导体装置制造用粘着片具备基材以及设置于该基材一个表面的热固化型的粘着剂层，并以可剥离的方式贴附于半导体装置的引线框架或布线基板，所述半导体装置制造用粘着片的特征在于，所述粘着剂层含有含羧基的丙烯腈-丁二烯共聚物(a)、具有下述结构式(1)的环氧树脂(b)、含有2个以上马来酰亚胺基的化合物(c)、以及反应性硅氧烷化合物(d)。[化学式1]另外，所述(a)成分优选为丙烯腈含量为5质量％至50质量％并且从数均分子量算出的羧基当量为100至20000的含羧基的丙烯腈-丁二烯共聚物。相对于所述(a)成分100质量份，所述(b)成分、所述(c)成分和所述(d)成分的合计优选为30质量份至300质量份。另外，(c)成分相对于所述(b)成分的质量比((c)/(b))优选为0.1至10的范围。另外，(d)成分的反应基数相对于所述(b)成分的环氧基数和(c)成分的马来酰亚胺基数的合计的比优选为0.05至1.2。另外，本专利技术的半导体装置的制造方法的特征在于，是一种使用上述记载的半导体装置制造用粘着片的半导体装置的制造方法，具备：贴附工序，在引线框架或布线基板贴附半导体装置制造用粘着片；芯片粘接工序，在所述引线框架或布线基板搭载半导体元件；引线键合工序，使所述半导体元件和外部连接端子导通；密封工序，以密封树脂密封所述半导体元件；剥离工序，在所述密封工序之后，从引线框架或布线基板剥离半导体装置制造用粘着片。专利技术效果根据本专利技术，能够提供粘着片以及使用其的半导体装置的制造方法，所述粘着片在剥离工序之前，即使受到QFN组装伴随的热履历，也能够充分并稳定地贴附而不会从引线框架的背面以及密封树脂的背面剥离，而不会发生密封树脂泄漏，而且，在剥离工序中能够容易地剥离，不会产生粘着剂残留的残胶或断裂。附图说明图1为示出用于本专利技术的半导体装置的制造方法的引线框架的一例的俯视图。图2为说明本专利技术的半导体装置的制造方法的工序图。具体实施方式以下，对本专利技术进行详细说明。[半导体装置制造用粘着片]本专利技术的半导体装置制造用粘着片(以下称为粘着片)具备基材以及设置于该基材一个表面的热固化型的粘着剂层，并以可剥离的方式贴附于半导体装置的引线框架或布线基板，在所述粘着片中，所述粘着剂层含有含羧基的丙烯腈-丁二烯共聚物(a)、具有下述结构式(1)的环氧树脂(b)、含有2个以上马来酰亚胺基的化合物(c)、以及反应性硅氧烷化合物(d)，所述粘着片在通过QFN方式组装半导体装置时作为掩膜胶带使用。[化学式2]含羧基的丙烯腈-丁二烯共聚物(a)发挥适度维持加热初期的粘着剂层的熔融粘度的作用等，并对固化的粘着剂层赋予良好的柔软性、粘接性，通过含有该成分，能够形成对由耐热性膜等构成的基材的紧贴性好并且没有裂纹的粘着剂层。作为含羧基的丙烯腈-丁二烯共聚物(a)，能够不受限制地使用公知的物质，优选为丙烯腈含量为5质量％至50质量％的物质，更优选为10质量％至40质量％的物质。如果丙烯腈含量低于上述范围，则向溶剂中的溶解性或与其它成分的相溶性降低，因此存在得到的粘着剂层的均匀性降低的倾向。另一方面，如果丙烯腈含量超过上述范围，则得到的粘着剂层对引线框架或密封树脂的粘接性变得过度，在将其用于粘着片时，有可能难以在剥离工序中剥离，或粘着片断裂。含羧基的丙烯腈-丁二烯共聚物的从数均分子量算出的羧基当量优选为100至20000的范围，更优选为200至10000。如果羧基当量低于上述范围，则与其它成分的反应性过高，存在得到的粘着剂层的保存稳定性降低的倾向。另一方面，如果羧基当量超过上述范围，则与其它成分的反应性不足，因此得到的粘着剂层容易为低B阶段(次半固化状态)。其结果是，在将其用于粘着片时，在加热初期，即粘着片的贴附工序或芯片粘接固化处理等中，粘着片被加热时，存在粘着剂层低粘度化、容易在粘着剂层出现起泡或流出、且粘着剂层热稳定性降低的倾向。需要说明的是，从数均分子量算出的羧基当量是数均分子量(Mn)除以每分子的羧基数(官能基数)得到的，由下式表示本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置制造用粘着片，所述半导体装置制造用粘着片具备基材和设于所述基材的一个表面的热固化型的粘着剂层，并以可剥离的方式贴附于半导体装置的引线框架或布线基板，所述半导体装置制造用粘着片的特征在于，所述粘着剂层含有含羧基的丙烯腈‑丁二烯共聚物(a)、具有下面的结构式(1)的环氧树脂(b)、含有2个以上马来酰亚胺基的化合物(c)、以及反应性硅氧烷化合物(d)，[化学式1]

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.02.02 JP 2017-0174901.一种半导体装置制造用粘着片，所述半导体装置制造用粘着片具备基材和设于所述基材的一个表面的热固化型的粘着剂层，并以可剥离的方式贴附于半导体装置的引线框架或布线基板，所述半导体装置制造用粘着片的特征在于，所述粘着剂层含有含羧基的丙烯腈-丁二烯共聚物(a)、具有下面的结构式(1)的环氧树脂(b)、含有2个以上马来酰亚胺基的化合物(c)、以及反应性硅氧烷化合物(d)，[化学式1]2.根据权利要求1所述的半导体装置制造用粘着片，其特征在于，所述(a)成分是丙烯腈含量为5质量％至50质量％并且从数均分子量算出的羧基当量为100至20000的含羧基的丙烯腈-丁二烯共聚物。3.根据权利要求1所述的半导体装置制造用粘着片，其特征在于，相对于所述(a)成分100质量份，所述(b)成分、...

【专利技术属性】
技术研发人员：近藤恭史，市川贵胜，岩崎昌司，付文峰，松永佑规，
申请(专利权)人：株式会社巴川制纸所，
类型：发明
国别省市：日本,JP