【技术实现步骤摘要】
用于改善光芯片切割质量的划片刻蚀及光芯片的生产方法及光芯片
本专利技术属于光芯片加工领域，具体涉及一种用于改善光芯片切割质量的划片刻蚀及光芯片的生产方法。
技术介绍
晶圆级加工技术是当前平面光波导(planarlightwavecircuits(PLCs))的主流加工方法。尤其是基于CMOS工艺的晶圆加工技术，具有良好的设备兼容性，能有效利用现有的半导体微电子工艺设备进行加工，是当前最为推崇的平面光波导加工方法。这种加工技术的加工过程一般是从晶圆衬底开始，比如选择硅作为衬底，然后各种各样的透明玻璃材料沉积到该衬底上，通过光刻、刻蚀形成平面光波导。在单个晶圆上，一次就能完成成百上千粒光芯片的加工。完成光芯片加工后，光芯片的分离通常是利用切割机在横向和纵向上切割晶圆来实现。在工业上，切割硅或其他相似的晶圆的过程叫做划片。划片一般是利用一个非常薄，非常精密的高速旋转锯条(sawblade)来实现晶圆切割。一方面，市面上存在许多不同种类不同材质的锯条，切割性能也各不相同。每一种材料都有一种对应的最好的锯条来实现最佳切割性能。另一方面，光器件是由晶圆衬底和其上表面沉积的光学...
【技术保护点】
1.一种用于改善光芯片切割质量的划片刻蚀方法，其特征在于：在预设的晶圆划片道(dicinglane)上进行刻蚀形成划片凹槽，所述划片凹槽的槽底为晶圆衬底上表面，所述划片凹槽的宽度大于切割锯条的宽度。
【技术特征摘要】
1.一种用于改善光芯片切割质量的划片刻蚀方法，其特征在于：在预设的晶圆划片道(dicinglane)上进行刻蚀形成划片凹槽，所述划片凹槽的槽底为晶圆衬底上表面，所述划片凹槽的宽度大于切割锯条的宽度。2.根据权利要求1所述的用于改善光芯片切割质量的划片刻蚀方法，其特征在于：根据光芯片结构设计划片道掩模板，利用划片道掩模板将划片道图案转移到晶圆表层光刻胶上。3.根据权利要求2所述的用于改善光芯片切割质量的划片刻蚀方法，其特征在于：采用光刻、干法刻蚀或湿法刻蚀方法形成划片凹槽。4.一种光芯片的生产方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、加工晶圆，根据光芯片结构设计划片道掩模板；步骤二、通过光刻将划片道转移到晶圆表层光刻胶上，沿划片道进行刻蚀形成划片凹槽，所述划片凹槽的槽底为...
【专利技术属性】
技术研发人员：布兰特·埃弗雷特·李特尔，尹兵，
申请(专利权)人：宁波东立创芯光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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