【技术实现步骤摘要】
一种光电器件封装方法及封装结构
本专利技术涉及集成电路封装
，特别涉及一种光电器件封装方法及封装结构。
技术介绍
随着光电器件晶圆流片工艺水平的不断提高，单颗芯片的像素点也在逐步增加。光电器件传感器由于感光元器件都分布在芯片正面，因此晶圆正面都需要与透明基板键合，一方面保证光线射入，另一方面也保护感光元器件不被损坏。由于晶圆正面键合透明基板，光电器件不能从芯片正面布线，所以利用晶圆级封装的光电传感器芯片都是通过TSV通孔技术在芯片背面布线。封装金属线路与芯片金属焊垫连接，实现光电传感器芯片信号与外部封装体的连接。但是在实际生产中，由于芯片设计或晶圆制造存在缺陷，有些金属焊垫偏薄，完成封装互连后，在抗冷热冲击可靠性实验中破裂，导致电性失效。另外，随着消费者对成像质量要求的不断提高，从芯片背面或侧面（除透明基板面外的另外五个面）射入的红外光导致的“鬼影”问题，也越来越让人难以接受。因此，现需要一种新的封装方法，既能确保封装后的芯片提高抗冷热冲击可靠性，又能解决漏光导致的“鬼影”问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种光电器件封装方法，以解决现有的光电器件封...
【技术保护点】
1.一种光电器件封装方法，其特征在于，包括如下步骤：将光电器件传感器芯片和透明盖板键合在一起；在所述光电器件传感器芯片的背面布线；切割所述光电器件传感器芯片使其暴露四个侧边，在切割面制作遮光阻焊层；在所述遮光阻焊层开口并在其中制作凸点或印刷焊球；最后进行切割形成能够与外部互连的单颗封装芯片。
【技术特征摘要】
1.一种光电器件封装方法，其特征在于，包括如下步骤：将光电器件传感器芯片和透明盖板键合在一起；在所述光电器件传感器芯片的背面布线；切割所述光电器件传感器芯片使其暴露四个侧边，在切割面制作遮光阻焊层；在所述遮光阻焊层开口并在其中制作凸点或印刷焊球；最后进行切割形成能够与外部互连的单颗封装芯片。2.如权利要求1所述的光电器件封装方法，其特征在于，通过如下方法形成所述光电器件传感器芯片：提供光电器件晶圆，所述光电器件晶圆包括硅基板和所述硅基板上形成的金属焊垫和光电传感器微透镜；在所述金属焊垫上制作增强层；其中，所述增强层的厚度不小于0.1um，面积不小于所述金属焊垫的面积。3.如权利要求2所述的光电器件封装方法，其特征在于，所述增强层的材质为金属材料或者无机材料；所述金属材料包括Cu、Ni、Sn、Ag和Au中的任一种或多种；所述无机材料包括SiO2、SiN和SiC中的任一种或多种。4.如权利要求1所述的光电器件封装方法，其特征在于，通...
【专利技术属性】
技术研发人员：王成迁，李杨，朱家昌，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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