图像传感器制造技术

提供了一种图像传感器，其包括：衬底，所述衬底包括第一表面和面对第一表面的光入射第二表面；第一半导体光电转换元件，在衬底内部；有机光电转换元件，位于衬底的第二表面上；第一浮置扩散区域，位于衬底的第一表面上；第一转移晶体管，第一转移晶体管的第一端连接到第一半导体光电转换元件，第一转移晶体管的第二端连接到第一浮置扩散区域；以及第二转移晶体管，第二转移晶体管的第一端具有连接到有机光电转换元件，第二转移晶体管的第二端连接到第一浮置扩散区域。第一半导体光电转换元件、第一浮置扩散区域以及第一转移晶体管和第二转移晶体管可位于衬底的第一像素区域中。

image sensor

【技术实现步骤摘要】
图像传感器相关申请的交叉引用本申请要求于2018年2月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0023655的权益，上述韩国专利申请的公开内容通过引用整体地并入本文。
本专利技术构思涉及图像传感器。
技术介绍
图像传感器可包括被配置为将光信息转换成电信号的半导体器件的元件。这种图像传感器可包括CCD(电荷耦合器件)图像传感器和CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器。随着半导体器件的集成度更高，图像传感器也被高度地集成。
技术实现思路
一些示例实施例提供一种至少一个像素区域形成一个单元像素区域并且至少一个像素区域共享像素晶体管的共享结构，其中，所述单元像素区域的所述像素区域可包括半导体光电转换元件，并且所述单元像素区域可共享有机光电转换元件，以及可在单元像素区域中形成与所述半导体光电转换元件和所述有机光电转换元件中的每一个相对应的转移晶体管(transfertransistor)。一些示例实施例提供一种图像传感器，其中，与所述有机光电转换元件和所述半导体光电转换元件中的每一个相对应的转移晶体管设置在像素区域中，使得每个转移晶体管共享浮置扩散区域，从而提高集成度。一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：衬底，所述衬底包括单元像素区域，所述单元像素区域包括像素晶体管形成区域和至少一个像素区域，所述衬底包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面彼此面对，所述第二表面被配置为光入射表面；第一半导体光电转换元件，所述第一半导体光电转换元件在所述衬底内部，使得所述第一半导体光电转换元件被所述衬底至少部分地包封；有机光电转换元件，所述有机光电转换元件位于所述衬底的所述第二表面上；第一浮置扩散区域，所述第一浮置扩散区域位于所述衬底的所述第一表面上；第一转移晶体管，所述第一转移晶体管的第一端连接到所述第一半导体光电转换元件，所述第一转移晶体管的第二端连接到所述...

【技术特征摘要】
2018.02.27 KR 10-2018-00236551.一种图像传感器，所述图像传感器包括：衬底，所述衬底包括单元像素区域，所述单元像素区域包括像素晶体管形成区域和至少一个像素区域，所述衬底包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面彼此面对，所述第二表面被配置为光入射表面；第一半导体光电转换元件，所述第一半导体光电转换元件在所述衬底内部，使得所述第一半导体光电转换元件被所述衬底至少部分地包封；有机光电转换元件，所述有机光电转换元件位于所述衬底的所述第二表面上；第一浮置扩散区域，所述第一浮置扩散区域位于所述衬底的所述第一表面上；第一转移晶体管，所述第一转移晶体管的第一端连接到所述第一半导体光电转换元件，所述第一转移晶体管的第二端连接到所述第一浮置扩散区域；以及第二转移晶体管，所述第二转移晶体管的第一端连接到所述有机光电转换元件，所述第二转移晶体管的第二端连接到所述第一浮置扩散区域，其中，所述至少一个像素区域包括第一像素区域，并且所述第一半导体光电转换元件、所述第一浮置扩散区域以及所述第一转移晶体管和所述第二转移晶体管位于所述第一像素区域中。2.根据权利要求1所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：连接到所述有机光电转换元件的第一穿透电极，所述第一穿透电极包括至少第一部分和第二部分，所述第一穿透电极的所述第一部分从所述衬底的所述第一表面延伸到所述衬底的所述第二表面；第一接触件，所述第一接触件在第一方向上从所述衬底的所述第一表面延伸，所述第一接触件包括第一表面和第二表面，所述第一接触件的所述第二表面面对所述第一接触件的所述第一表面，所述第一接触件的所述第二表面与所述第一穿透电极接触；以及第二接触件，所述第二接触件在所述第一方向上从所述衬底的所述第一表面延伸，所述第二接触件包括第三表面和第四表面，所述第四表面面对所述第三表面，所述第四表面与所述第二转移晶体管的源极区域接触，其中，所述第一方向是从所述衬底的所述第二表面朝向所述衬底的所述第一表面延伸的方向，所述第一接触件的所述第一表面和所述第二接触件的所述第三表面是基本上共面的。3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述第一转移晶体管包括第一转移栅极，所述第一转移栅极被配置为向所述第一浮置扩散区域转移第一电荷，所述第一电荷由所述第一半导体光电转换元件产生，所述第二转移晶体管包括第二转移栅极，所述第二转移栅极被配置为使用所述第一穿透电极、所述第一接触件和所述第二接触件来向所述第一浮置扩散区域转移第二电荷，所述第二电荷由所述有机光电转换元件产生。4.根据权利要求2所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：蚀刻停止膜，所述蚀刻停止膜位于所述衬底的所述第一表面上，使得所述蚀刻停止膜覆盖所述第一穿透电极、所述第一转移晶体管、所述第二转移晶体管和所述第一浮置扩散区域，其中，所述第一接触件和所述第二接触件穿透所述蚀刻停止膜。5.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述第一穿透电极位于所述第一像素区域中。6.根据权利要求1所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：复位晶体管，所述复位晶体管被配置为复位所述第一浮置扩散区域，所述复位晶体管的第一端连接到电源电压，所述复位晶体管的第二端连接到所述第一浮置扩散区域；以及源跟随器晶体管，所述源跟随器晶体管的栅极连接到所述第一浮置扩散区域，其中，所述复位晶体管和所述源跟随器晶体管位于所述像素晶体管形成区域中。7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述至少一个像素区域还包括与所述第一像素区域间隔开的第二像素区域，所述第二像素区域包括：第二半导体光电转换元件，所述第二半导体光电转换元件在所述衬底内部，使得所述第二半导体光电转换元件被所述衬底至少部分地包封；第二浮置扩散区域，所述第二浮置扩散区域位于所述衬底的所述第一表面上；第三转移晶体管，所述第三转移晶体管的第一端连接到所述第二半导体光电转换元件，所述第三转移晶体管的第二端连接到所述第二浮置扩散区域；以及第四转移晶体管，所述第四转移晶体管的第一端连接到所述有机光电转换元件，所述第四转移晶体管的第二端连接到所述第二浮置扩散区域。8.根据权利要求7所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：第一滤色器，所述第一滤色器位于所述第一半导体光电转换元件与所述有机光电转换元件之间；以及第二滤色器，所述第二滤色器位于所述第二半导体光电转换元件与所述有机光电转换元件之间。9.一种图像传感器，所述图像传感器包括：衬底，所述衬底包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面彼此面对，所述第二表面被配置为光入射表面；第一半导体光电转换元件，所述第一半导体光电转换元件在所述衬底内部，使得所述第一半导体光电转换元件被所述衬底至少部分地包封；有机光电转换元件，所述有机光电转换元件位于所述衬底的所述第二表面上；第一浮置扩散区域，所述第一浮置扩散区域位于所述衬底的所述第一表面上；第一穿透电极，所述第一穿透电极被配置为将所述有机光电转换元件与所述第一浮置扩散区域电连接，所述第一穿透电极包括至少第一部分和第二部分，所述第一穿透电极的所述第一部分穿透所述衬底；第一接触件，所述第一接触件在第一方向上从所述衬底的所述第一表面延伸，所述第一接触件包括第一表面和第二表面，所述第一接触件的所述第二表面面对所述第一接触件的所述第一表面，所述第一接触件的所述第二表面与所述第一穿透电极接触；以及第二接触件，所述第二接触件在所述第一方向上从所述衬底的所述第一表面延伸，所述第二接触件包括第三表面和第四表面，所述第四表面面对所述第三表面，所述第四表面与所述第一浮置扩散区域接触，其中，所述第一方向是从所述衬底的所述第二表面朝向所述衬底的所述第一表面的方向，所述第一接触件的所述第一表面和所述第二接触件的所述第三表面是基本上共面的。10.根据权利要求9所述的图像传感器，所述图像传感器还包括：第一转移晶体管，所述第一转移晶体管的第一端连接到所述第一半导体光电转换元件，所述第一转移晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：张刚，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR