【技术实现步骤摘要】
摄像元件和电子装置本申请是申请日为2015年2月17日、专利技术名称为“摄像元件和摄像装置”的申请号为201580007518.0专利申请的分案申请。
本专利技术涉及摄像元件和摄像装置，并且具体地，涉及能够在抑制图像品质的变差的同时减少电力消耗的摄像元件和摄像装置。相关申请的交叉引用本申请要求2014年2月25日提交的日本优先权专利申请JP2014-034369的优先权权益，且将该日本专利申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
技术介绍
近来，随着生产技术逐步提高，电子设备和/或电子电路已变得更小并且消耗更少的电力。此外，进一步期望的是设计出能够消耗更少电力的摄像元件。然而，在为了实现低电力消耗而单纯地减小或降低电源电位的摄像元件中，像素特性也会发生变化，并且被读出的图像的图像品质可能会显著变差。因此，已经考虑了通过把被配置成进行光电转换的光接收元件连接至负电源来降低噪声和执行低电压驱动(例如，参见专利文献1)。引用文献列表专利文献专利文献1：JP2009-117613A
技术实现思路
要解决的技术问题然而，在如专利文献1所披露的这样的构造中，当接地电位为负时，像素中...
【技术保护点】
1.一种摄像元件，包括：像素区域，包括：光电转换部，所述光电转换部将光转换成电荷并连接到具有负电位的第一阱；和晶体管，所述晶体管传输来自所述光电转换部的电荷；和周边电路区域，包括：第二阱，所述第二阱具有与所述像素区域的所述第一阱的所述负电位不同的电位；和负电压发生器，所述负电压发生器提供所述负电位。
【技术特征摘要】
2014.02.25 JP 2014-0343691.一种摄像元件，包括：像素区域，包括：光电转换部，所述光电转换部将光转换成电荷并连接到具有负电位的第一阱；和晶体管，所述晶体管传输来自所述光电转换部的电荷；和周边电路区域，包括：第二阱，所述第二阱具有与所述像素区域的所述第一阱的所述负电位不同的电位；和负电压发生器，所述负电压发生器提供所述负电位。2.根据权利要求1所述的摄像元件，还包括开关，其中在第一配置状态中，所述开关将所述晶体管的栅极连接至电源，并且在第二配置状态中，所述开关将所述晶体管的所述栅极连接至与所述像素区域的所述负电位不同的负电位。3.根据权利要求2所述的摄像元件，其中所述像素区域的所述负电位处于所述晶体管的所述栅极的所述负电位与所述电源的电位之间。4.根据权利要求2所述的摄像元件，其中所述负电压发生器被连接至电路接地，所述电路接地的电位不同于所述晶体管的所述栅极的所述负电位和所述电源的电位。5.根据权利要求2所述的摄像元件，还包括：浮动扩散区域，所述浮动扩散区域被配置成产生与从所述光电转换部传输过来的电荷量对应的电压；复位晶体管，所述复位晶体管被配置成使所述浮动扩散区域复位；和放大晶体管，所述放大晶体管被连接至所述浮动扩散区域和像素信号线，其中所述放大晶体管被配置成放大所述浮动扩散区域的电位。6.根据权利要求5所述的摄像元件，其中所述晶体管、所述复位晶体管和所述放大晶体管中的至少一者的阱被连接至所述第一阱。7.根据权利要求1所述的摄像元件，其中所述晶体管的阱被连接至所述第一阱。8.根据权利要求1所述的摄像元件，其中所述像素区域被形成于第一半导体基板中，并且所述周边电路区域被形成于第二半导体基板中。9.根据权利要求8所述的摄像元件，其中所述第一半导体基板和所述第二半导体基板形成多层结构。10.一种电子装置，包括：光学单元，所述光学单元具有一个或多个透镜；模数转换器单元；以及图像传感器单元，所述图像传感器单元包括多个单位像素，所述多个单位像素被形成于像素区域中并且以二维矩阵的方式布置着，其中所述多个单位像素中的每个单位像素包括：像素区域，包括：光电转换部，所述光电转...
【专利技术属性】
技术研发人员：植野洋介，池田裕介，松本静德，春田勉，吉川玲，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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