【技术实现步骤摘要】
摄像器件、摄像器件的制造方法和电子装置本申请是申请日为2014年9月30日、专利技术名称为“摄像器件、摄像器件的制造方法和电子装置”的申请号为201410521129.7的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种背面照射型摄像器件及其制造方法和电子装置。
技术介绍
在诸如CCD(电荷耦合器件)图像传感器或CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器等固态摄像器件(摄像器件)中，每个像素配置有包含光电转换部(例如，PD(光电二极管)的固态摄像元件(摄像元件)。在摄像器件中，当强光进入成像屏幕中的一些像素中以使得能够生成数量超过光电二极管的电荷容纳能力的信号电荷时，过剩的信号电荷从光电二极管构成的势阱溢出从而泄漏到邻近的光电二极管中，这导致图像质量的严重劣化。例如，通过在嵌入有光电二极管的Si基板中的相邻像素之间设置沟槽并且通过用具有负的固定电荷的绝缘膜覆盖该沟槽的表面，能够防止信号电荷泄漏。另一方面，多数摄像器件具有这样的构造：其中，入射光能够在配线层侧进入(前面照射型摄像器件)。这样的摄像器件的缺点包括因入射光受到配线层的遮挡而造成的降低的灵敏度以及因被配线层反射而...
【技术保护点】
1.一种摄像器件，其包括：半导体基板，所述半导体基板具有受光区域和周边区域，所述受光区域包括多个光电转换区域；第一沟槽，所述第一沟槽被布置为与所述受光区域中的所述多个光电转换区域中的至少一个光电转换区域相邻；第二沟槽，所述第二沟槽被布置在所述周边区域中；布线层，所述布线层被设置在所述半导体基板的与所述半导体基板的光入射侧相对的第一侧；以及绝缘膜，所述绝缘膜在所述半导体基板中被布置于所述半导体基板的所述第一侧，其中，所述第二沟槽与所述绝缘膜接触，并且所述绝缘膜的平坦部分在截面图中位于所述第二沟槽的两侧。
【技术特征摘要】
2013.10.11 JP 2013-2136451.一种摄像器件，其包括：半导体基板，所述半导体基板具有受光区域和周边区域，所述受光区域包括多个光电转换区域；第一沟槽，所述第一沟槽被布置为与所述受光区域中的所述多个光电转换区域中的至少一个光电转换区域相邻；第二沟槽，所述第二沟槽被布置在所述周边区域中；布线层，所述布线层被设置在所述半导体基板的与所述半导体基板的光入射侧相对的第一侧；以及绝缘膜，所述绝缘膜在所述半导体基板中被布置于所述半导体基板的所述第一侧，其中，所述第二沟槽与所述绝缘膜接触，并且所述绝缘膜的平坦部分在截面图中位于所述第二沟槽的两侧。2.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，所述第二沟槽位于的所述半导体基板的厚度小于所述第一沟槽位于的所述半导体基板的厚度。3.根据权利要求1所述的摄像器件，还包括凹部，其中，所述凹部位于所述半导体基板的一个表面或两个表面的区域中，且其中，所述区域面对着所述第二沟槽。4.根据权利要求3所述的摄像器件，其中，所述凹部填充有所述绝缘膜。5.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，所述第一沟槽分离所述多个光电转换区域中的各光电转换区域。6.根据权利要求1所述的摄像器件，还包括设置在所述周边区域中的外部连接电极，其中，所述第二沟槽设置在所述外部连接电极的周围。7.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，所述第二沟槽穿透所述半导体基板。8.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，在所述第二沟槽的一个以上的侧部布置有固定电荷膜。9.一种设置有摄像器件的电子装置，所述摄像器件包括：半导体基板，所述半导体基板具有受光区域和周边区域，所述受光区域包括多个光电转换区域；第一沟槽，所述第一沟槽被布置为与所述受光区域中的所述多个光电转换区域中的至少一个光电转换区域相邻；第二沟槽，所述第二沟槽被布置在所述周边区域中，布线层，所述布线层被设置在所述半导体基板的与所述半导体基板的光入射侧相对的第一侧；以及绝缘膜，所述绝缘...
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