一种用于APCVD的履带轨道工艺气孔的刻蚀工具制造技术

一种用于APCVD的履带轨道工艺气孔的刻蚀工具，包括刻蚀腔体和腔体盖板组件，刻蚀腔体由侧板首尾相接围成，上下两端开口，刻蚀腔体的下部开设有安装密封圈的密封圈沟槽，刻蚀腔体上部安装有围绕刻蚀腔体上开口的边板，边板和侧板相接处构成用以安装所述腔体盖板组件的台阶结构，所述的腔体盖板组件包括盖板、波纹管和排风接头，盖板通过螺钉固定安装在刻蚀腔体的上开口，所述波纹管一端穿过盖板和刻蚀腔体连通，另一端安装所述的排风接头，并和排风管道相接。本实用新型专利技术具有良好的密封性，即可以将挥发的氢氟酸抽出，避免对人体的伤害和对环境的污染，又能够有效的防止氢氟酸泄漏造成对设备的损害。

An Etching Tool for Crawler Track Process Blowhole in APCVD

【技术实现步骤摘要】
一种用于APCVD的履带轨道工艺气孔的刻蚀工具
本技术属于半导体制造
，具体涉及一种用于APCVD的履带轨道工艺气孔的刻蚀工具。
技术介绍
化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。APCVD即常压化学气相沉积，是指在大气压下进行的一种化学气相淀积的方法，适合在开放环境下进行自动化连续生产。APCVD易于发生气相反应，沉积速率较快，可超过1000A/min，适合沉积厚介质层。其工作工作原理：硅烷气体和氧气与稀释用的高纯氮气在喷头内部的各自管道内混合稀释，再通过喷头发生反应，在喷头下面通过履带运行的硅单晶片背面，生长一层二氧化硅膜。APCVD一般用于生长较厚膜，一般厚度在5000A—8300A，所以需要多个喷头，正常是3个或4个喷头。喷头装在反应腔体上，喷头下面是履带，履带在履带轨道上运行。因工艺需求，履带轨道温度要加热到430度左右，并且在喷头正下方的履带轨本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于APCVD的履带轨道工艺气孔的刻蚀工具，其特征在于：包括刻蚀腔体（1）和腔体盖板组件，刻蚀腔体（1）由侧板（2）首尾相接围成，上下两端开口，刻蚀腔体（1）的下部开设有安装密封圈的密封圈沟槽（4），刻蚀腔体（1）上部安装有围绕刻蚀腔体（1）上开口的边板（3），边板（3）和侧板（2）相接处构成用以安装所述腔体盖板组件的台阶结构（6），所述的腔体盖板组件包括盖板（7）、波纹管（8）和排风接头（9），盖板（7）通过螺钉固定安装在刻蚀腔体（1）的上开口，所述波纹管（8）一端穿过盖板（7）和刻蚀腔体（1）连通，另一端安装所述的排风接头（9），并和排风管道相接。

【技术特征摘要】
1.一种用于APCVD的履带轨道工艺气孔的刻蚀工具，其特征在于：包括刻蚀腔体（1）和腔体盖板组件，刻蚀腔体（1）由侧板（2）首尾相接围成，上下两端开口，刻蚀腔体（1）的下部开设有安装密封圈的密封圈沟槽（4），刻蚀腔体（1）上部安装有围绕刻蚀腔体（1）上开口的边板（3），边板（3）和侧板（2）相接处构成用以安装所述腔体盖板组件的台阶结构（6），所述的腔体盖板组件包括盖板（7）、波纹管（8）和排风接头（9），...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘建锋，李建刚，李鲁，
申请(专利权)人：麦斯克电子材料有限公司，
类型：新型
国别省市：河南,41