【技术实现步骤摘要】
半导体封装，半导体模块，电子组件以及制造半导体封装和半导体模块的方法
技术介绍
。在诸如功率转换的一些电路中，电路要求被电耦合在一起以提供对应的电路或对应的电路的部分的两个或更多个半导体器件。例如，在马达驱动器、直流-直流转换器和整流器中，电路可能要求晶体管器件的组合，所述晶体管器件被用作为在包括低侧开关和高侧开关的半桥配置中的开关。在半桥配置中，提供低侧开关的晶体管器件的漏极被电耦合到提供高侧开关的晶体管的源极。在一些实施例中，每个半导体器件（例如晶体管器件）被容纳在封装内，并且各封装被借助于位于封装外部的导电再分配结构电耦合在一起。例如，各封装可以被安装在包括导电再分配结构的电路板上，该导电再分配结构将各封装电耦合以形成电路或电路的部分。然而，对于某些应用而言这样的布置可能占据不合期望地大的横向区。US2013/0140673A1公开了一种包括一个半导体管芯的半导体器件，其中第一场效应晶体管和第二场效应晶体管被单片地集成并且形成半桥配置。占据更小的横向区的用于功率转换电路的半导体器件以及用于制备这样的半导体器件的方法是合期望的。
技术实现思路
在实施例中，半导体封装包括...
【技术保护点】
1.一种模块(30)，包括：在第一器件区域(32)中的第一电子器件(31)；在第二器件区域(34)中的第二电子器件(33)，其中第一电子器件(31)被可操作地耦合到第二电子器件(33)以形成电路；第一主表面(42)，其包括至少一个接触焊盘(35，36，40，41)；第二主表面(44)，其包括至少一个接触焊盘(56)，第二主表面(44)与第一主表面(42) 相对；布置在第一主表面(42)上的第一环氧树脂层(63)，其让第一接触焊盘(35)的至少部分暴露；其中，第一电子器件(31)的侧面(48)和第二电子器件(33)的侧面(48)嵌入在第一环氧树脂层(47)中并且与第一环氧树脂...
【技术特征摘要】
2018.02.23 EP 18158473.11.一种模块(30)，包括：在第一器件区域(32)中的第一电子器件(31)；在第二器件区域(34)中的第二电子器件(33)，其中第一电子器件(31)被可操作地耦合到第二电子器件(33)以形成电路；第一主表面(42)，其包括至少一个接触焊盘(35，36，40，41)；第二主表面(44)，其包括至少一个接触焊盘(56)，第二主表面(44)与第一主表面(42)相对；布置在第一主表面(42)上的第一环氧树脂层(63)，其让第一接触焊盘(35)的至少部分暴露；其中，第一电子器件(31)的侧面(48)和第二电子器件(33)的侧面(48)嵌入在第一环氧树脂层(47)中并且与第一环氧树脂层(47)直接接触，以及导电再分配结构(49)，其将第一电子器件(31)与第二电子器件(33)电耦合以形成电路，其中导电再分配结构(49)包括：从第一主表面(42)延伸到第二主表面(44)的导电通孔(50)；以及导电层(51)，其被布置在导电通孔(50)上并且被布置在第一器件区域(32)和第二器件区域(34)中的至少一个上。2.根据权利要求1所述的模块，其中第一电子器件(31)是晶体管器件，第二电子器件(32)是晶体管器件，并且电路是半桥电路，或者第一电子器件是晶体管器件并且第二电子器件是驱动器器件，或者第一电子器件是晶体管器件并且第二电子器件是电感器或电容器或电阻器。3.根据权利要求1所述的模块，导电通孔(50)位于第一电子器件(31)中或者位于第二电子器件(33)中。4.根据权利要求1所述的模块，导电通孔(50)位于所述第一电子器件(31)的侧面与第二电子器件(33)的侧面之间并且与第一环氧树脂层(63)接触，其中导电通孔(50)从位于第二器件区域(62)中的第一主表面上的第一金属化结构(73)延伸到第二主表面(78)。5.根据权利要求4所述的模块，进一步包括第二金属化层（75），第二金属化层（75）被定位在第二主表面上并且被定位在导电通孔（50）上。6.根据权利要求1所述的模块，其中导电通孔包括第一器件区域(115)的导电部分或第二器件区域(116)的导电部分。7.根据权利要求1所述的模块，其中导电层被布置在第二主表面上并且被布置在导电通孔(135)上，并且将第一电子器件可操作地耦合到第二电子器件。8.根据权利要求1所述的模块，其中导电层(51)从第一器件区域(32)经非器件区域延伸到第二器件区域(34)。9.根据权利要求1所述的模块，其中第一环氧树脂层(63)进一步覆盖接触焊盘(35，36，40，41)的边缘区域。10.根据权利要求1所述的模块，进一步包括位于第二主表面(44)上的第二环氧树脂层(54)，第二环氧树脂层(54)至少覆盖布置在第一电子器件(31)的侧面(48)和第二电子器件(33)的侧面(48)上的第一环氧树脂层(63)。11.根据权利要求10所述的模块，其中第二环氧树脂层(54)覆盖导电层(51)的被布置在第一器件区域(32)上的第一区域，并且暴露导电层的被布置在第二器件区域(34)上的第二区域。12.一种电子组件(90)，包括：权利要求1所述的模块；多个引线(92，93，94，95，96)，其中第一接触焊盘(36)被耦合到所述多个引线中的第一引线(92)，并且第二接触焊盘(56)被耦合到所述多个引线中的第二引线(94)，和塑料壳体组成部(97)，其中，塑料壳体组成部(97)覆盖第一环氧树脂层(47)和所述多个引线(92，93，94，95，96)的部分。13.一种半导体封装(183)，包括：第一晶体管器件(167)，其包括：第一表面(161)和与第一表面(161)相对的第二表面(162')；布置在第一表面(161)上的第一功率电极(193)和控制电极(194)以及布置在第二表面(162')上的第二功率电极(195)；布置在第一表面(161)上的第一金属化结构(168)，第一金属化结构(168)包括多个外部接触焊盘(186，187，188)，外部接触焊盘(186，187，188)包括焊料的保护层(176)，焊料为Ag或Sn；布置在第二表面(162')上的第二金属化结构(180)；导电连接(182)，从第一表面(161)延伸到第二表面(162')，并且将第二功率电极电连接到第一金属化结构(168)的外部接触焊盘(186)，以及第一环氧树脂层(178)，其被布置在晶体管器件(167)的侧面(184)上并且被布置在晶体管器件(167)的第一表面上，第一环氧树脂层(178)包括限定外部接触焊盘(186，187，188)和封装占位(175)的横向大小的开口。14.根据权利要求13所述的半导体封装，进一步包括在第二表面(162')上的第二环氧树脂层，其中第二环氧树脂层覆盖第二表面(162')的边缘区域并且让第二金属化层(180)的区域暴露，或者第二环氧树脂层完全覆盖第二金属化层(180)。15.根据权利要求13所述的半导体封装，进一步包括第二器件，其中第一导电连接形成导电再分配结构的部分，导电再分配结构将第一晶体管器件与第二器件电耦合以形成电路，其中导电再分配结构进一步包括导电层，该导电层被布置在导电连接上并且被布置在第一晶体管器件的第二表面和第二器件中的至少一个上。16.一种方法，包括：在半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：T法伊尔，D克拉韦特，P加尼切尔，M珀尔兹尔，C冯科布林斯基，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：奥地利,AT
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