一种砷化镓晶片切割方法技术

本发明专利技术公开了一种砷化镓晶片切割方法，包括以下步骤：步骤一：先使晶片切割机的刀片以（10～20）毫米/秒的进给速度对砷化镓晶圆片进行第一次切割，切割深度为砷化镓晶圆片厚度的（25～35）%；步骤二：再使晶片切割机的刀片以（10～20）毫米/秒的进给速度继续对第一次切割后的砷化镓晶圆片进行第二次切割，切割深度为砷化镓晶圆片厚度的（25～35）%；步骤三：最后使晶片切割机的刀片以（5～10）毫米/秒的进给速度继续对第二次切割后的砷化镓晶圆片进行第三次切割，直至刀片切透砷化镓晶圆片形成砷化镓晶片。本发明专利技术具有可靠性高且能提高砷化镓晶片成品率的优点。

A Cutting Method of GaAs Wafer

【技术实现步骤摘要】
一种砷化镓晶片切割方法
本专利技术涉及砷化镓晶片制造
，具体涉及一种砷化镓晶片切割方法。
技术介绍
砷化镓是一种重要的半导体材料，砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料，用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等；用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，由于砷化镓的优异特性，故在微波器件、高速数字电路、移动电话、卫星通讯、微波点对点连线、雷达系统等领域得到重要应用。在制造砷化镓晶片过程中，晶片切割过程是在切割台上实施：砷化镓晶圆片固定在切割台上，用晶片切割机的刀片从砷化镓晶圆片上切出砷化镓芯片，在切割过程中，刀片一次就完成晶片切割。现有的切割方法在切割极薄的晶片时，极易造成砷化镓晶片碎裂，导致砷化镓晶片的成品率偏低。
技术实现思路
本专利技术的目的提供一种可靠性高且能提高砷化镓晶片成品率的砷化镓晶片切割方法。为实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：一种砷化镓晶片切割方法，：包括以下步骤：步骤一：先使晶片切割机的刀片以（10～20）毫米/秒的进给速度对砷化镓晶圆片进行第一次切割，切割深度为砷化镓晶圆片厚度的（2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种砷化镓晶片切割方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：先使晶片切割机的刀片以（10～20）毫米/秒的进给速度对砷化镓晶圆片进行第一次切割，切割深度为砷化镓晶圆片厚度的（25～35）%，在切割过程中，始终使用纯水对砷化镓晶圆片切割面及刀片进行冲洗冷却；步骤二：再使晶片切割机的刀片以（10～20）毫米/秒的进给速度继续对第一次切割后的砷化镓晶圆片进行第二次切割，切割深度为砷化镓晶圆片厚度的（25～35）%；在切割过程中，始终使用纯水对砷化镓晶圆片切割面及刀片进行冲洗冷却；步骤三：最后使晶片切割机的刀片以（5～10）毫米/秒的进给速度继续对第二次切割后的砷化镓晶圆片进行第三次切割，直至刀片切...

【技术特征摘要】
1.一种砷化镓晶片切割方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：先使晶片切割机的刀片以（10～20）毫米/秒的进给速度对砷化镓晶圆片进行第一次切割，切割深度为砷化镓晶圆片厚度的（25～35）%，在切割过程中，始终使用纯水对砷化镓晶圆片切割面及刀片进行冲洗冷却；步骤二：再使晶片切割机的刀片以（10～20）毫米/秒的进给速度继续对第一次切割后的砷化镓晶圆片进行第二次切割，切割深度为砷化镓晶圆片厚度的（25～35）%；在切割过程中，始终使用纯水对砷化镓晶圆片切割面及刀片进行冲洗冷却；步骤三：最后使晶片切割机的刀片以（5～10）毫米/秒的进给速度继续对第二次切割后的砷化镓晶圆片进...

【专利技术属性】
技术研发人员：程进，陈龙，
申请(专利权)人：苏州芯海半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32