光电转换结构和显示面板制造技术

技术编号:21852892 阅读:21 留言:0更新日期:2019-08-14 00:54
本发明专利技术提供一种光电转换结构和显示面板。该光电转换结构包括基底、设置于基底上的开关管和叠置于开关管上方的光电转换元件,光电转换元件包括光电转换层和电信号输出层,电信号输出层位于光电转换层与开关管之间,电信号输出层与开关管之间还设置有绝缘层,绝缘层中设置有第一结构,电信号输出层通过第一结构与开关管的源极连接,第一结构能使电信号输出层的与光电转换层相接触的表面平整。该光电转换结构能使电信号输出层的与光电转换层相接触的表面平整,从而使形成于电信号输出层上的光电转换元件的光电转换层平整,进而能够减轻或避免由于光电转换层不平整所导致的光电转换元件在工作时因局部电场集中而出现的暗电流上升现象。

Photoelectric Conversion Structure and Display Panel

【技术实现步骤摘要】
光电转换结构和显示面板
本专利技术属于显示
,具体涉及一种光电转换结构和显示面板。
技术介绍
目前,光电传感器件在显示面板中发挥着重要作用,如光电补偿和光电触控等在显示面板中的应用。在显示面板中,通常将光电传感器件与开关管组合使用,以实现其在显示过程中的作用。为了提高光电传感器件在显示面板中的填充率(即数量),目前通常将光电传感器件与开关管相互叠置设置,从而使光电传感器件的面积提升不再受限。叠置设置的光电传感器电信号输出电极与开关管源极通过过孔连接,从而能通过开关管输出光电传感器输出的电信号;但沉积形成于过孔上方的光电传感器信号输出电极通常会存在段差,这会导致光电传感器中的各膜层在过孔处存在段差,即光电传感器在过孔处具有一定的粗糙度,从而导致光电传感器在工作时因局部电场集中而出现暗电流上升现象,严重影响光电转换器件的性能。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术中的问题,提供一种光电转换结构和显示面板。该光电转换结构能使电信号输出层的与光电转换层相接触的表面平整,从而使形成于电信号输出层上的光电转换元件的光电转换层平整,进而能够减轻或避免由于光电转换层不平整所导致的光电转换元件在工作时因局部电场集中而出现的暗电流上升现象。本专利技术提供一种光电转换结构,包括基底、设置于所述基底上的开关管和叠置于所述开关管上方的光电转换元件,所述光电转换元件包括光电转换层和电信号输出层,所述电信号输出层位于所述光电转换层与所述开关管之间,所述电信号输出层与所述开关管之间还设置有绝缘层,所述绝缘层中设置有第一结构,所述电信号输出层通过所述第一结构与所述开关管的源极连接,所述第一结构能使所述电信号输出层的与所述光电转换层相接触的表面平整。优选地,所述第一结构为开设在所述绝缘层中的过孔,所述过孔的数量为多个,多个所述过孔排布呈阵列。优选地,所述过孔的形状为圆筒形,所述过孔的孔径尺寸范围为50nm-1um。优选地,所述过孔的形状为线栅形,所述线栅的开口宽度范围为50nm-1um;所述线栅的开口长度范围为50nm-5um。优选地,所述过孔的坡度角为90°。优选地,所述电信号输出层包括相互叠置的第一导电层和第二导电层,所述第一导电层和所述第二导电层依次远离所述绝缘层。优选地,所述第一导电层采用钛、铝或铜材质。优选地,所述第一导电层的厚度为相邻两所述过孔之间间距的20%以上。优选地,所述第二导电层采用钼材质。本专利技术还提供一种显示面板,包括上述光电转换结构。本专利技术的有益效果:本专利技术所提供的光电转换结构,通过在绝缘层中设置第一结构,不仅能使电信号输出层与开关管的源极实现连接,而且能使电信号输出层的与光电转换层相接触的表面平整,从而使形成于电信号输出层上的光电转换元件的光电转换层平整,进而能够减轻或避免由于光电转换层不平整所导致的光电转换元件在工作时因局部电场集中而出现的暗电流上升现象,相对于现有的光电传感器件结构,有效提高了光电转换结构的光电转换性能。本专利技术所提供的显示面板,通过采用上述光电转换结构,提升了该显示面板的显示质量和显示效果。附图说明图1为本专利技术实施例1中光电转换结构的结构剖视示意图;图2为本专利技术实施例1中绝缘层中过孔的俯视图;图3为本专利技术实施例1中电信号输出层的结构剖视图;图4为电信号输出层在过孔上沿形成闭合结构的原理示意图;图5为本专利技术实施例2中绝缘层中过孔的俯视图。其中附图标记为:1、开关管;11、源极、12、栅极;13、漏极;14、栅绝缘层;15、有源层;2、光电转换元件;21、光电转换层;22、电信号输出层;221、第一导电层;222、第二导电层;3、绝缘层;4、过孔;5、透明上电极;6、平坦化层;7、上电极走线;8、基底。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本专利技术光电转换结构和显示面板作进一步详细描述。实施例1:本实施例提供一种光电转换结构,如图1所示,包括基底8、设置于基底8上的开关管1和叠置于开关管1上方的光电转换元件2,光电转换元件2包括光电转换层21和电信号输出层22,电信号输出层22位于光电转换层21与开关管1之间,电信号输出层22与开关管1之间还设置有绝缘层3,绝缘层3中设置有第一结构,电信号输出层22通过第一结构与开关管1的源极11连接,第一结构能使电信号输出层22的与光电转换层21相接触的表面平整。其中,光电转换元件2的光电转换层21能将接收的光信号转换为电信号,并通过电信号输出层22和开关管1将该电信号输出。开关管1还包括栅极12、栅绝缘层14、有源层15和漏极13,栅极12开启时,源极11和漏极13导通,从而能将电信号输出至需要的地方。通过在绝缘层3中设置第一结构,不仅能使电信号输出层22与开关管1的源极11实现连接,而且能使电信号输出层22的与光电转换层21相接触的表面平整,从而使形成于电信号输出层22上的光电转换元件2的光电转换层21平整,进而能够减轻或避免由于光电转换层21不平整所导致的光电转换元件2在工作时因局部电场集中而出现的暗电流上升现象,相对于现有的光电传感器件结构,有效提高了光电转换结构的光电转换性能。本实施例中,第一结构为开设在绝缘层3中的过孔4,过孔4的数量为多个,多个过孔4排布呈阵列。多个过孔4的设置能够增大源极11与电信号输出层22之间的接触面积,从而降低二者之间的接触电阻,进而确保电信号的准确可靠输出。优选的,如图2所示,过孔4的形状为圆筒形,过孔4的孔径尺寸范围为50nm-1um。现有的光电传感器件的电信号输出层也是通过过孔连接开关管,但本实施例中过孔4的孔径尺寸要远小于现有的过孔孔径尺寸。过孔4孔径尺寸小,容易使电信号输出层22在沉积形成时其原子无法到达孔底,在孔底偏上部分沉积堵塞过孔4,从而使过孔4形成闭合结构,这就等效于孔深的降低,因此可以减小电信号输出层22与光电转换层21的接触面的粗糙度(高度差),进而减小光电转换层21的粗糙度,减轻或避免由于光电转换层21不平整所导致的光电转换元件2在工作时因局部电场集中而出现的暗电流上升现象。本实施例中,过孔4的坡度角为90°。如此有利于过孔4正上方的电信号输出层22形成闭合结构,从而使电信号输出层22趋于平整,进而有利于光电转换层21趋于平整。优选的,本实施例中,如图3所示,电信号输出层22包括相互叠置的第一导电层221和第二导电层222,第一导电层221和第二导电层222依次远离绝缘层3。其中,第一导电层221采用钛、铝或铜材质。钛、铝或铜材质的沉积致密性较好,台阶覆盖性也较好,同时在沉积时通过调节第一导电层221使其沉积速率较慢,能够保障过孔4底部可以与第一导电层221充分接触,从而提升了电信号输出层22输出电信号的可靠性。第二导电层222采用钼材质。钼为粒径较大或较疏松的金属,在沉积时通过调节第二导电层222使其沉积速率较快,从而降低了第二导电层222的台阶覆盖性,进而保证第二导电层222在过孔4上沿能形成闭合结构。如此设置,容易使第二导电层222在沉积形成时其原子无法到达孔底,在孔底偏上部分沉积堵塞过孔4,从而使过孔4上沿形成闭合结构,这就等效于孔深的降低(由h1的孔深降为h2,如图4所示)。优选的,本实施例中,第一导电层221的厚度为相邻两过孔4之间间距的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电转换结构,包括基底、设置于所述基底上的开关管和叠置于所述开关管上方的光电转换元件,所述光电转换元件包括光电转换层和电信号输出层,所述电信号输出层位于所述光电转换层与所述开关管之间,所述电信号输出层与所述开关管之间还设置有绝缘层,其特征在于,所述绝缘层中设置有第一结构,所述电信号输出层通过所述第一结构与所述开关管的源极连接,所述第一结构能使所述电信号输出层的与所述光电转换层相接触的表面平整。

【技术特征摘要】
1.一种光电转换结构,包括基底、设置于所述基底上的开关管和叠置于所述开关管上方的光电转换元件,所述光电转换元件包括光电转换层和电信号输出层,所述电信号输出层位于所述光电转换层与所述开关管之间,所述电信号输出层与所述开关管之间还设置有绝缘层,其特征在于,所述绝缘层中设置有第一结构,所述电信号输出层通过所述第一结构与所述开关管的源极连接,所述第一结构能使所述电信号输出层的与所述光电转换层相接触的表面平整。2.根据权利要求1所述的光电转换结构,其特征在于,所述第一结构为开设在所述绝缘层中的过孔,所述过孔的数量为多个,多个所述过孔排布呈阵列。3.根据权利要求2所述的光电转换结构,其特征在于,所述过孔的形状为圆筒形,所述过孔的孔径尺寸范围为50nm-1um。4.根据权利要求2所述的光电转换结构,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘清召董水浪卢鑫泓
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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