The utility model discloses a terahertz wave switch based on a molybdenum disulfide film structure. It includes an annular thin film, MoS2 film, MoS2 rectangular left right rectangular thin film, MoS2 SiO2 layer, a substrate layer, a signal input terminal, a signal output end; the basal layer of the upper layer is a silicon dioxide layer, silicon dioxide layer with two molybdenum sulfide film with an annular opening, the left and right rectangular rectangular MoS2 films applied in MoS2 film; bias DC voltage between the open ring and the basal layer of MoS2 film by adjusting the adjusting opening annular MoS2 film dielectric constant of terahertz signal switching. The utility model has the advantages of simple and compact structure, small size, fast response, simple design principle, etc..
【技术实现步骤摘要】
基于二硫化钼薄膜结构太赫兹波开关
本技术涉及太赫兹波开关,尤其涉及一种基于二硫化钼薄膜结构太赫兹波开关。
技术介绍
太赫兹技术是二十世纪80年代末发展起来的一种新技术。太赫兹波独特的频率范围(位于微波频段和光频段之间)覆盖了多数大分子物质的分子振动和转动光谱,因此多数大分子物质在太赫兹频段无论其吸收谱、反射谱还是发射谱都具有明显的指纹谱特性,这一点是微波所不具备的。太赫兹脉冲光源与传统光源相比具有很多独特的性质,如:瞬态性、宽带性、相干性、低能性等,这些特点决定了太赫兹技术在很多基础研究领域、工业应用领域、医学领域、通信领域以及生物领域中有相当重要的应用前景。因此太赫兹技术以及太赫兹器件的研究逐渐成为世界范围内广泛研究的热点。太赫兹系统主要由辐射源、探测器件和各种功能器件组成。在实际应用中,由于应用环境噪声以及应用需要的限制等,需控制太赫兹波系统中的太赫兹波的通断,因而太赫兹波开关在实际中有重要的应用。当前国内外研究的并提出过的太赫兹波开关结构主要基于光子晶体、超材料等结构,这些结构往往很复杂,而且在实际制作过程中困难重重,成本较高,对加工工艺和加工环境要求也高。所以迫切需要提出结构简单、尺寸小、便于加工制作的太赫兹波开关来支撑太赫兹波应用领域的发展。
技术实现思路
本技术提供一种基于二硫化钼薄膜结构太赫兹波开关,技术方案如下:基于二硫化钼薄膜结构太赫兹波开关包括基底层、二氧化硅层、左侧矩形二硫化钼薄膜、开口环形二硫化钼薄膜、右侧矩形二硫化钼薄膜、信号输入端、信号输出端;基底层的上层为二氧化硅层,二氧化硅层的上层铺有左侧矩形二硫化钼薄膜、开口环形二硫化钼薄膜、 ...
【技术保护点】
一种基于二硫化钼薄膜结构太赫兹波开关,其特征在于包括基底层(1)、二氧化硅层(2)、左侧矩形二硫化钼薄膜(3)、开口环形二硫化钼薄膜(4)、右侧矩形二硫化钼薄膜(5)、信号输入端(6)、信号输出端(7);基底层(1)的上层为二氧化硅层(2),二氧化硅层(2)的上层铺有左侧矩形二硫化钼薄膜(3)、开口环形二硫化钼薄膜(4)、右侧矩形二硫化钼薄膜(5),左侧矩形二硫化钼薄膜(3)、开口环形二硫化钼薄膜(4)、右侧矩形二硫化钼薄膜(5)自左向右分布在二氧化硅层(2)上,左侧矩形二硫化钼薄膜(3)的左端与二氧化硅层(2)的左侧相连,右侧矩形二硫化钼薄膜(5)的右端与二氧化硅层(2)的右侧相连,左侧矩形二硫化钼薄膜(3)的左端设有信号输入端(6),右侧矩形二硫化钼薄膜(5)的右端设有信号输出端(7);太赫兹信号从信号输入端(6)输入,从信号输出端(7)输出。
【技术特征摘要】
1.一种基于二硫化钼薄膜结构太赫兹波开关,其特征在于包括基底层(1)、二氧化硅层(2)、左侧矩形二硫化钼薄膜(3)、开口环形二硫化钼薄膜(4)、右侧矩形二硫化钼薄膜(5)、信号输入端(6)、信号输出端(7);基底层(1)的上层为二氧化硅层(2),二氧化硅层(2)的上层铺有左侧矩形二硫化钼薄膜(3)、开口环形二硫化钼薄膜(4)、右侧矩形二硫化钼薄膜(5),左侧矩形二硫化钼薄膜(3)、开口环形二硫化钼薄膜(4)、右侧矩形二硫化钼薄膜(5)自左向右分布在二氧化硅层(2)上,左侧矩形二硫化钼薄膜(3)的左端与二氧化硅层(2)的左侧相连,右侧矩形二硫化钼薄膜(5)的右端与二氧化硅层(2)的右侧相连,左侧矩形二硫化钼薄膜(3)的左端设有信号输入端(6),右侧矩形二硫化钼薄膜(5)的右端设有信号输出端(7);太赫兹信号从信号输入端(6)输入,从信号输出端(7)输出。2.根据权利要求1所述的一种基于二硫化钼薄膜结构太赫兹波开关,其特征在...
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