一种制造光电二极管的方法以及相应光电二极管技术

本发明专利技术涉及一种制造光电二极管的方法，包括下列步骤：提供p型衬底并对其第一侧进行注入以形成n型注入区；通过注入在n型注入区的边缘处形成p型注入区；在n型注入区和p型注入区上形成转移栅并且在转移栅的侧面形成侧墙；从p型衬底的与第一侧相对的第二侧除去p型衬底的除了p型注入区和n型注入区以外的部分；在p型衬底的第二侧形成绝缘层；刻蚀绝缘层以形成背侧深沟槽、以及背侧深沟槽绝缘体；在背侧深沟槽中进行外延生长以形成p型硅外延层；对p型硅外延层进行各向异性刻蚀以除去背侧深沟槽的底部处的p型硅外延层；以及在背侧深沟槽中进行外延生长以形成n型硅外延层。通过本发明专利技术，可避免高能注入并提高光电二极管的良品率和性能。

A Method for Manufacturing Photodiodes and Corresponding Photodiodes

【技术实现步骤摘要】
一种制造光电二极管的方法以及相应光电二极管
本专利技术总体而言涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种制造光电二极管的方法。此外，本专利技术还涉及一种光电二极管。
技术介绍
光电二极管是一种广泛应用于成像领域、光纤通信领域、激光测距等众多领域的重要半导体器件，其用于将光信号转换成电信号，其原理是，光电二极管的反向偏置的PN结在一定波长辐射的照射下，由于光生载流子的影响会出现反向电压或电流的变化，该变化与光辐射强成比例，通过检测该变化可确定光辐射强度。在光电二级光的制造工艺中，目前通过高能多重注入方式来形成光电二极管的多个注入区，即通过高能量的多次注入形成光电二极管。然而，这样的制造工艺的缺点在于，所形成的注入区的轮廓随着注入小块(implanttile)的大小等因素而变化，从而造成注入区有可能侵占位于注入区两侧的背侧深沟槽绝缘体(BacksideDeepTrenchIsolation，BDTI)，其中背侧深沟槽绝缘体是用于隔离相邻像素以防止串扰的绝缘体，如果背侧深沟槽绝缘体未被良好地形成，将无法有效吸附从像素游离出的电荷，从而造成暗电流(darkcurrent)。此外，高能注入是高成本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造光电二极管的方法，包括下列步骤：提供p型衬底；对p型衬底的第一侧进行注入以形成n型注入区；通过注入在n型注入区的边缘处形成p型注入区；在n型注入区和p型注入区上形成转移栅并且在转移栅的侧面形成侧墙；从p型衬底的与第一侧相对的第二侧除去p型衬底的除了p型注入区和n型注入区以外的部分；在p型衬底的第二侧形成绝缘层；刻蚀绝缘层以形成背侧深沟槽、以及背侧深沟槽绝缘体；在背侧深沟槽中进行外延生长以形成p型硅外延层；对p型硅外延层进行各向异性刻蚀以除去背侧深沟槽的底部处的p型硅外延层；以及在背侧深沟槽中进行外延生长以形成n型硅外延层。

【技术特征摘要】
1.一种制造光电二极管的方法，包括下列步骤：提供p型衬底；对p型衬底的第一侧进行注入以形成n型注入区；通过注入在n型注入区的边缘处形成p型注入区；在n型注入区和p型注入区上形成转移栅并且在转移栅的侧面形成侧墙；从p型衬底的与第一侧相对的第二侧除去p型衬底的除了p型注入区和n型注入区以外的部分；在p型衬底的第二侧形成绝缘层；刻蚀绝缘层以形成背侧深沟槽、以及背侧深沟槽绝缘体；在背侧深沟槽中进行外延生长以形成p型硅外延层；对p型硅外延层进行各向异性刻蚀以除去背侧深沟槽的底部处的p型硅外延层；以及在背侧深沟槽中进行外延生长以形成n型硅外延层。2.根据权利要求1所述的方法，其中n型注入区的厚度为1μm。3.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：在p型衬底的第一侧形成互连接触层。4.根据权利要求1所述的方法，其中互连接触层包括下列各项中的一个或多个：接触层、层间介电层、以及金属层。5.根据权利要求1所述的方法，其中从p型衬底的与第一侧相对的第二侧除去p型衬底的除了p型注入区和n型注入区以外的部分包...

【专利技术属性】
技术研发人员：方欣欣，夏春秋，柯天麒，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32