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本发明涉及一种制造光电二极管的方法，包括下列步骤：提供p型衬底并对其第一侧进行注入以形成n型注入区；通过注入在n型注入区的边缘处形成p型注入区；在n型注入区和p型注入区上形成转移栅并且在转移栅的侧面形成侧墙；从p型衬底的与第一侧相对的第二侧...
该专利属于德淮半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德淮半导体有限公司授权不得商用。

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