雪崩光电二极管扩散结构的制备方法及二极管扩散结构技术

本发明专利技术提供了雪崩光电二极管扩散结构的制备方法及二极管扩散结构。所述方法包括：在雪崩光电二极管的外延片上，在第一光刻掩膜的作用下，进行第一次掺杂剂扩散，得到中心圆形扩散主结区(1)和与所述扩散主结区间隔预设距离的扩散槽区(2)；在第二光刻掩膜的作用下，进行第二次掺杂剂扩散，使所述扩散主结区的中心区域(101)或边缘区域(102)的深度大于通过第一次掺杂剂扩散得到的所述扩散主结区的深度，从而得到雪崩光电二极管扩散结构。实现了抑制边缘击穿的同时，调控芯片击穿电压的均匀性。

Preparation and Diffusion Structure of Avalanche Photodiode

【技术实现步骤摘要】
雪崩光电二极管扩散结构的制备方法及二极管扩散结构
本专利技术涉及光电探测器领域，具体涉及雪崩光电二极管扩散结构的制备方法及二极管扩散结构。
技术介绍
III-V族半导体材料的雪崩光电二极管广泛应用于近红外光电探测等相关领域如：光纤通信系统、近红外检测领域和量子通信单光子检测。对于具有单独的吸收和倍增层的雪崩光电二极管(SeparateAbsorptionandMultiplicationAvalanchePhotodiode：SAM-APD)结构可以提供具有高保真度(即，低噪声)的电信号输出。而在此基础上增加单独的电荷控制层与过渡层的雪崩光电二极管(Separate，Absorption，Grading，ChargeandMultiplicationAvalanchePhotodiode：SAGCM-APD)，其优化了器件的电场分布降低了异质结的能带突变进而进一步降低了暗电流并提升了器件的高频特性。雪崩光电二极管有两种工作模式。在线性模式操作中，雪崩光电二极管偏置略低于击穿电压，因此增益适度且基本上与入射光的强度成比例。在盖革模式下，雪崩光电二极管略微偏离其击穿电压，其具体目的是产生本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种雪崩光电二极管扩散结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在雪崩光电二极管的外延片上，在第一光刻掩膜的作用下，进行第一次掺杂剂扩散，得到中心圆形扩散主结区(1)和与所述扩散主结区间隔预设距离的扩散槽区(2)；在第二光刻掩膜的作用下，进行第二次掺杂剂扩散，使所述扩散主结区的中心区域(101)或边缘区域(102)的深度大于通过第一次掺杂剂扩散得到的所述扩散主结区的深度，从而得到雪崩光电二极管扩散结构。

【技术特征摘要】
1.一种雪崩光电二极管扩散结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在雪崩光电二极管的外延片上，在第一光刻掩膜的作用下，进行第一次掺杂剂扩散，得到中心圆形扩散主结区(1)和与所述扩散主结区间隔预设距离的扩散槽区(2)；在第二光刻掩膜的作用下，进行第二次掺杂剂扩散，使所述扩散主结区的中心区域(101)或边缘区域(102)的深度大于通过第一次掺杂剂扩散得到的所述扩散主结区的深度，从而得到雪崩光电二极管扩散结构。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使所述扩散主结区的中心区域(101)的深度大于通过第一次掺杂剂扩散得到的所述扩散主结区的深度，包括：所述第二光刻掩膜的扩散窗口包括中心为圆形扩散窗口，所述圆形扩散窗口的直径小于所述扩散主结区直径，且所述第二次掺杂剂扩散的深度大于所述第一次掺杂剂扩散。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使所述扩散主结区的边缘区域(102)的深度大于通过第一次掺杂剂扩散得到的所述扩散主结区的深度，包括：所述第二光刻掩膜的扩散窗口包括圆环形扩散窗口，所述圆环形扩散窗口的外直径大于所述扩散主结区直径，所述圆环形扩散窗口的内直径小于所述扩散主结区直径，且所述第二次掺杂剂扩散的深度大于所述第一次掺杂剂扩散。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在第一光刻掩膜的作用下，进行第一次掺杂剂扩散时，还得到介于所述扩散主结区(1)和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王亮，张博健，秦金，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：安徽,34