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本发明提供了雪崩光电二极管扩散结构的制备方法及二极管扩散结构。所述方法包括：在雪崩光电二极管的外延片上，在第一光刻掩膜的作用下，进行第一次掺杂剂扩散，得到中心圆形扩散主结区(1)和与所述扩散主结区间隔预设距离的扩散槽区(2)；在第二光刻掩膜...
该专利属于中国科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学技术大学授权不得商用。

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