半导体封装结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种半导体封装结构及其制备方法，半导体封装结构包括：玻璃基板；第一天线层，位于玻璃基板的第一表面；第二天线层，位于玻璃基板的第二表面；第一电连接结构，自玻璃基板的第一表面延伸至第二表面；第二电连接结构，位于第二天线层远离玻璃基板的表面；塑封层，位于玻璃基板的第二表面；重新布线层，位于塑封层远离玻璃基板的表面；芯片，倒装键合于重新布线层远离塑封层的表面；焊球凸块，位于重新布线层远离塑封层的表面，且与重新布线层电连接。本发明专利技术的半导体封装结构可以显著缩小半导体封装结构的尺寸及体积，提高器件集成度；不需要额外的载体进行封装转移，显著简化了制备工艺，节约了制备成本。

Semiconductor packaging structure and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其制备方法
本专利技术属于半导体封装领域，特别是涉及一种半导体封装结构及其制备方法。
技术介绍
随着经济的发展和科技的进步，各种高科技的电子产品层出不穷，极大方便和丰富了人们的生活，这其中以手机和平板电脑(PAD)为代表的各种便携式移动通信终端的发展尤为引人注目。现有的便携式移动通信终端通常内置有天线结构用于通信功能，比如实现语音和视频连接以及上网冲浪等。目前天线内置的普遍方法是将天线直接制作于电路板的表面，但这种方法因天线需占据额外的电路板面积导致装置的整合性较差，制约了移动通信终端的进一步小型化。同时，由于电路板上电子线路比较多，天线与其他线路之间存在电磁干扰等问题，甚至还存在着天线与其他金属线路短接的风险。虽然在封装领域已出现将天线和芯片一起封装的技术，但封装过程中需要借助载体进行转移封装，转移封装后需要将载体进行剥离去除，工艺复杂且成本较高。另外，现有的天线封装多为单层结构，其尺寸较大，整合性较低，天线效率较低，已不足以满足对天线性能日益提高的需求。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种半导体封装结构及其制备方法，用于解决现有技术中天线封装结构整合性较低、尺寸较大、制备工艺复杂及制备成本较高等问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包括：玻璃基板，所述玻璃基板包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；第一天线层，位于所述玻璃基板的第一表面；第二天线层，位于所述玻璃基板的第二表面；第一电连接结构，自所述玻璃基板的第一表面延伸至所述玻璃基板的第二表面，且与所述第一天线层及所述第二天线层电连接；第二电连接结构，位于所述第二天线层远离所述玻璃基板的表面；塑封层，位于所述玻璃基板的第二表面，且将所述第二天线层及所述第二电连接结构塑封；重新布线层，位于所述塑封层远离所述玻璃基板的表面，所述重新布线层与所述第二电连接结构电连接；芯片，倒装键合于所述重新布线层远离所述塑封层的表面，且与所述重新布线层电连接；焊球凸块，位于所述重新布线层远离所述塑封层的表面，且与所述重新布线层电连接。可选地，所述第一天线层包括多个间隔排布的第一天线，所述第二天线层包括多个间隔排布的第二天线，所述第一电连接结构的数量为多个；所述第一天线、所述第二天线及所述第一电连接结构的数量相同，所述第一天线与所述第二天线一一上下对应设置，所述第一电连接结构将所述第一天线与所述第二天线一一对应电连接。可选地，所述第一电连接结构包括金属焊线或金属导电柱，所述第二电连接结构包括金属焊线或金属导电柱。可选地，所述重新布线层包括：布线介电层，位于所述塑封层远离所述玻璃基板的表面；金属叠层结构，位于所述布线介电层内，所述金属叠层结构包括多层间隔排布的金属线层及金属插塞，所述金属插塞位于相邻所述金属线层之间，以将相邻所述金属线层电连接。可选地，所述半导体封装结构还包括底部填充层，所述底部填充层填充于所述芯片与所述重新布线层之间。本专利技术还提供一种半导体封装结构的制备方法，所述半导体封装结构的制备方法包括步骤：提供玻璃基板，所述玻璃基板包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；于所述玻璃基板内形成第一电连接结构，并于所述玻璃基板的第一表面形成第一天线层，且于所述玻璃基板的第二表面形成第二天线层；所述第一电连接结构自所述玻璃基板的第一表面延伸至所述玻璃基板的第二表面；所述第一天线层与所述第二天线层与所述第一电连接结构电连接；于所述第二天线层远离所述玻璃基板的表面形成第二电连接结构；于所述玻璃基板的第二表面形成塑封层，所述塑封层将所述第二天线层及所述第二电连接结构塑封；于所述塑封层远离所述玻璃基板的表面形成重新布线层，所述重新布线层与所述第二电连接结构电连接；提供芯片，将所述芯片倒装键合于所述重新布线层远离所述塑封层的表面，且与所述重新布线层电连接；于所述重新布线层远离所述塑封层的表面形成焊球凸块，所述焊球凸块与所述重新布线层电连接。可选地，于所述玻璃基板的第一表面形成第一天线层，并于所述玻璃基板的第二表面形成第二天线层包括如下步骤：于所述玻璃基板的第一表面形成第一天线材料层；对所述第一天线材料层进行刻蚀以得到包括多个间隔排布的第一天线的所述第一天线层，所述第一天线与所述第一电连接结构一一对应电连接；于所述玻璃基板的第二表面形成第二天线材料层；对所述第二天线材料层进行刻蚀以得到包括多个间隔排布的第二天线的所述第二天线层，所述第二天线与所述第一电连接结构一一对应电连接。可选地，将所述芯片倒装键合于所述重新布线层远离所述塑封层的表面之后还包括于所述芯片与所述重新布线层之间形成底部填充层的步骤。可选地，将若干个所述芯片倒装键合于所述重新布线层远离所述塑封层的表面，各所述芯片两侧均形成有所述焊球凸块；于所述重新布线层远离所述塑封层的表面形成所述焊球凸块之后还包括将所得结构进行切片处理的步骤，以得到若干个包括单个芯片及若干个所述焊球凸块的半导体封装结构。如上所述，本专利技术的半导体封装结构及其制备方法具有如下有益效果：本专利技术的半导体封装结构通过将第一天线层及第二天线层分别设置于玻璃基板相对的第一表面及第二表面，可以显著缩小半导体封装结构的尺寸及体积，提高器件集成度；玻璃基板直接作为第一天线层及第二天线层的承载基板，不需要额外的载体进行封装转移，亦无需载体剥离工艺，显著简化了制备工艺，节约了制备成本。附图说明图1显示为本专利技术实施例一中提供的半导体封装结构的制备方法的流程图。图2至图9显示为本专利技术实施例一中提供的半导体封装结构的制备方法中各步骤所得结构的截面结构示意图；其中，图9亦为本专利技术实施例二中提供的半导体封装结构的截面结构示意图。元件标号说明10玻璃基板11第一天线层111第一天线12第二天线层121第二天线13第一电连接结构14第二电连接结构15塑封层16重新布线层161布线介电层162金属叠层结构17芯片18焊球凸块19底部填充层具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1～图9。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图示中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。实施例一请参阅图1，本专利技术提供一种半导体封装结构的制备方法，所述半导体封装结构的制备方法包括如下步骤：1)提供玻璃基板，所述玻璃基板包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；2)于所述玻璃基板内形成第一电连接结构，并于所述玻璃基板的第一表面形成第一天线层，且于所述玻璃基板的第二表面形成第二天线层；所述第一电连接结构自所述玻璃基板的第一表面延伸至所述玻璃基板的第二表面；所述第一天线层与所述第二天线层与所述第一电连接结构电连接；3)于所述第二天线层远离所述玻璃基板的表面形成第二电连接结构；4)于所述玻璃基板的第二表面形成塑封层，所述塑本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：玻璃基板，所述玻璃基板包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；第一天线层，位于所述玻璃基板的第一表面；第二天线层，位于所述玻璃基板的第二表面；第一电连接结构，自所述玻璃基板的第一表面延伸至所述玻璃基板的第二表面，且与所述第一天线层及所述第二天线层电连接；第二电连接结构，位于所述第二天线层远离所述玻璃基板的表面；塑封层，位于所述玻璃基板的第二表面，且将所述第二天线层及所述第二电连接结构塑封；重新布线层，位于所述塑封层远离所述玻璃基板的表面，所述重新布线层与所述第二电连接结构电连接；芯片，倒装键合于所述重新布线层远离所述塑封层的表面，且与所述重新布线层电连接；焊球凸块，位于所述重新布线层远离所述塑封层的表面，且与所述重新布线层电连接。

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：玻璃基板，所述玻璃基板包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；第一天线层，位于所述玻璃基板的第一表面；第二天线层，位于所述玻璃基板的第二表面；第一电连接结构，自所述玻璃基板的第一表面延伸至所述玻璃基板的第二表面，且与所述第一天线层及所述第二天线层电连接；第二电连接结构，位于所述第二天线层远离所述玻璃基板的表面；塑封层，位于所述玻璃基板的第二表面，且将所述第二天线层及所述第二电连接结构塑封；重新布线层，位于所述塑封层远离所述玻璃基板的表面，所述重新布线层与所述第二电连接结构电连接；芯片，倒装键合于所述重新布线层远离所述塑封层的表面，且与所述重新布线层电连接；焊球凸块，位于所述重新布线层远离所述塑封层的表面，且与所述重新布线层电连接。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一天线层包括多个间隔排布的第一天线，所述第二天线层包括多个间隔排布的第二天线，所述第一电连接结构的数量为多个；所述第一天线、所述第二天线及所述第一电连接结构的数量相同，所述第一天线与所述第二天线一一上下对应设置，所述第一电连接结构将所述第一天线与所述第二天线一一对应电连接。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一电连接结构包括金属焊线或金属导电柱，所述第二电连接结构包括金属焊线或金属导电柱。4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述重新布线层包括：布线介电层，位于所述塑封层远离所述玻璃基板的表面；金属叠层结构，位于所述布线介电层内，所述金属叠层结构包括多层间隔排布的金属线层及金属插塞，所述金属插塞位于相邻所述金属线层之间，以将相邻所述金属线层电连接。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于：所述半导体封装结构还包括底部填充层，所述底部填充层填充于所述芯片与所述重新布线层之间。6.一种半导体封装结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供玻璃基板，所述玻璃基板包括第一表面及与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦亨，林正忠，吴政达，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32