封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种封装结构，所述封装结构包括：重新布线层；形成于所述重新布线层的上表面的底层天线层，包括底层布线结构和底层天线结构；形成于重新布线层的上方的空腔结构；形成于重新布线层上方并位于空腔结构外围的层间塑封层；形成于层间塑封层和空腔结构的上表面的耦合天线层；形成于重新布线层下表面的金属凸块及半导体芯片。本实用新型专利技术通过引入设置于封装层之间的空腔结构，在耦合天线层上方形成空腔，减少了高频天线的衰减和损耗，改善了高频天线的器件性能。此外，通过引入空腔结构，还增强了封装层的结构强度，确保了天线结构在封装过程中的完整性，提高了器件良率。

Packaging structure

【技术实现步骤摘要】
封装结构
本技术涉及半导体封装
，特别是涉及一种封装结构。
技术介绍
目前，在扇出型封装的天线结构封装工艺过程中，在重新布线层上形成一层天线布线层后，一般需要使用填充材料在天线布线层上形成一层封装层，而后在封装层上再继续形成上层的天线布线层，并以此形成多层堆叠的天线结构。然而，在采用毫米波技术的5G高频天线封装工艺中，由于传统封装填充材料极易吸收毫米波，造成现有封装工艺下高频天线信号的衰减和损耗较大，严重影响了高频天线的器件性能和应用前景。因此，有必要提出一种新的封装结构，解决上述问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种封装结构，用于解决现有技术中高频天线的衰减和损耗较大的问题。为实现上述目的及其它相关目的，本技术提供了一种封装结构，其特征在于，包括：重新布线层，包括相对的上表面及下表面；底层天线层，形成于所述重新布线层的上表面，所述底层天线层包括底层布线结构和底层天线结构，所述底层天线结构通过所述底层布线结构与所述重新布线层电性连接；空腔结构，形成于所述重新布线层的上方，至少覆盖所述底层天线结构，并在所述空腔结构与所述重新布线层之间形成空腔；层间塑封层，形成于所述重新布线层的上方；耦合天线层，形成于所述层间塑封层和所述空腔结构的上表面，所述层间塑封层位于所述空腔结构的外围；金属凸块，形成于所述重新布线层的下表面，并与所述重新布线层电性连接；半导体芯片，设置于所述重新布线层的下表面，并与所述重新布线层电性连接。作为本技术的一种可选方案，所述空腔结构的数量为多个。作为本技术的一种可选方案，构成所述空腔结构的材料包括玻璃、硅、金属或树脂材料中的一种或多种的组合。作为本技术的一种可选方案，所述重新布线层包括至少一层金属布线层和包裹所述金属布线层的电介质层。作为本技术的一种可选方案，所述重新布线层的所述电介质层上形成有暴露出所述金属布线层的电介质层开口区域，所述底层布线结构通过所述电介质层开口区域与所述金属布线层电性连接。作为本技术的一种可选方案，所述耦合天线层为N层，N层所述耦合天线层上下间隔排布；所述层间塑封层和所述空腔结构为N层，位于同一层的所述耦合天线层形成于所述层间塑封层和所述空腔结构的上表面；所述空腔结构至少覆盖位于所述空腔结构下方的不同层的耦合天线层；位于底层的所述层间塑封层和所述空腔结构覆盖于所述重新布线层和所述底层天线层的上方。如上所述，本技术提供了一种封装结构，通过引入设置于封装层之间的空腔结构，在耦合天线层上方形成空腔，减少了高频天线的衰减和损耗，改善了高频天线的器件性能。此外，通过引入空腔结构，还增强了封装层的结构强度，确保了天线结构在封装过程中的完整性，提高了器件良率。附图说明图1至图10显示为本技术实施例一中提供的封装结构的制备方法的各步骤示意图。图11显示为本技术实施例一中提供的具有三层天线金属层的封装结构的示意图。元件标号说明001支撑衬底001a释放层101重新布线层101a金属布线层101b电介质层102底层天线层102a底层布线结构102b底层天线结构103空腔结构103a粘合层104层间塑封层105耦合天线层106金属凸块107半导体芯片107a芯片填充层具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其它优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1至图11。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想，虽图示中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。实施例一请参阅图1至图10，本技术提供了一种封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：如图1所示，提供一支撑衬底001；如图2所示，在所述支撑衬底001上形成重新布线层101；如图3所示，在所述重新布线层101的上表面形成底层天线层102，所述底层天线层102包括底层布线结构102a和底层天线结构102b，所述底层天线结构102b通过所述底层布线结构102a与所述重新布线层101电性连接；如图4所示，在所述重新布线层101的上方形成空腔结构103，所述空腔结构103至少覆盖所述底层天线结构102b，并在所述空腔结构103与所述重新布线层101之间形成空腔；如图6所示，在所述重新布线层101的上方形成层间塑封层104，所述层间塑封层104位于所述空腔结构103的外围；如图7所示，在所述层间塑封层104和所述空腔结构103的上表面形成耦合天线层105；如图10所示，去除所述支撑衬底001，在所述重新布线层101的下表面形成与所述重新布线层101电性连接的金属凸块106，并在所述重新布线层101的下表面电性连接半导体芯片107。作为示例，如图4所示，在所述底层天线结构102b的上方形成所述空腔结构103的步骤包括：提供预制成型的空腔结构103，所述空腔结构103具有中空的内部空间，且表面设有一连通所述内部空间的开口面；将所述空腔结构103的所述开口面朝下，覆盖于所述底层天线结构102b的上方，所述开口面至少覆盖所述底层天线结构102b，且所述空腔结构102b在所述开口面周边的部分与所述重新布线层101或所述底层布线结构102a粘合连接。可选地，所述空腔结构103为下底面为开口面的中空结构体，构成所述空腔结构103的材料包括玻璃、硅、金属或树脂材料中的一种或多种的组合，所选材料应尽可能地减少对高频天线信号的吸收与衰减。此外，为了减少所述空腔结构103对于高频天线信号的吸收与衰减，所述空腔结构103在维持结构稳定强度的前提下，应当尽可能地减少空腔壁的厚度，增加所述空腔结构103内部空间的大小。所述空腔结构103的所占面积大小根据所述空腔结构103所要覆盖的所述底层天线结构102b的具体结构及布局进行设计。如所述底层天线结构102b在所述重新布线层101上在多个不同区域分布，则可对应设置多个所述空腔结构103进行覆盖。在所述空腔结构103覆盖所述底层天线结构102b后，在所述底层天线结构102b上方形成空腔。空腔内的空气或真空相比聚酰亚胺或环氧树脂等传统封装层材料，其对于高频电磁波的损耗将大幅减少，这将极大改善高频天线的器件性能。具体地，所述空腔结构103在开口面周边的部分通过粘合层103a与所述重新布线层101或所述底层布线结构102a粘合连接。如在图4所示的截面位置上，所述空腔结构103通过粘合层103a与所述底层布线结构102a粘合连接。当然，在其他未覆盖所述底层布线结构102a的位置上，所述空腔结构103则直接与下方的所述重新布线层101粘合连接。所述粘合层103a可以由基于具体材料的粘合性能良好的粘合剂构成。在本技术的其他实施方案中，根据所选用的材料，也可以由所述空腔结构103与所述重新布线层101或所述底层布线结构102a直接进行键合，而不需额外使用粘合剂。作为示例，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：重新布线层，包括相对的上表面及下表面；底层天线层，形成于所述重新布线层的上表面，所述底层天线层包括底层布线结构和底层天线结构，所述底层天线结构通过所述底层布线结构与所述重新布线层电性连接；空腔结构，形成于所述重新布线层的上方，至少覆盖所述底层天线结构，并在所述空腔结构与所述重新布线层之间形成空腔；层间塑封层，形成于所述重新布线层的上方；耦合天线层，形成于所述层间塑封层和所述空腔结构的上表面，所述层间塑封层位于所述空腔结构的外围；金属凸块，形成于所述重新布线层的下表面，并与所述重新布线层电性连接；半导体芯片，设置于所述重新布线层的下表面，并与所述重新布线层电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：重新布线层，包括相对的上表面及下表面；底层天线层，形成于所述重新布线层的上表面，所述底层天线层包括底层布线结构和底层天线结构，所述底层天线结构通过所述底层布线结构与所述重新布线层电性连接；空腔结构，形成于所述重新布线层的上方，至少覆盖所述底层天线结构，并在所述空腔结构与所述重新布线层之间形成空腔；层间塑封层，形成于所述重新布线层的上方；耦合天线层，形成于所述层间塑封层和所述空腔结构的上表面，所述层间塑封层位于所述空腔结构的外围；金属凸块，形成于所述重新布线层的下表面，并与所述重新布线层电性连接；半导体芯片，设置于所述重新布线层的下表面，并与所述重新布线层电性连接。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述空腔结构的数量为多个。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦亨，林正忠，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32