单片式晶圆清洗设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种单片式晶圆清洗设备，单片式晶圆清洗设备包括：晶圆承载台；旋转驱动装置，位于晶圆承载台的下方；清洗装置，包括清洗管路及清洗喷嘴；清洗管路一端与清洗液源相连接，另一端与清洗喷嘴相连接；清洗喷嘴远离清洗管路的一端延伸至晶圆承载台的上方；干燥装置，包括干燥管路及干燥喷嘴；干燥管路一端与干燥气体源相连接，另一端与干燥喷嘴相连接；干燥喷嘴远离干燥管路的一端延伸至晶圆承载台的上方。本实用新型专利技术的单片式晶圆清洗设备可以显著降低晶圆清洗后干燥所需的时间，从而可以缩短对晶圆进行清洗干燥的总时间，提高对晶圆进行清洗干燥的效率，进而提高产能。

Monolithic wafer cleaning equipment

【技术实现步骤摘要】
单片式晶圆清洗设备
本技术属于集成电路
，特别是涉及一种单片式晶圆清洗设备。
技术介绍
在现有的许多工艺制程之后，譬如：CMP(化学机械研磨)、PVD(物理气相沉积)、CVD(化学气相沉积)或DF(扩散)等工艺之后，都需要采用湿法清洗工艺对晶圆表面进行清洗。现有技术中是使用超纯水对晶圆的表面进行清洗，清洗后需要晶圆维持高速旋转以使得晶圆干燥。但现有方法中对晶圆进行清洗干燥需要较长的时间才能使得晶圆干燥，且会在晶圆的表面存在缺陷(defect)残留。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种单片式晶圆清洗设备，用于解决现有技术中使用超纯水清洗后仅采用晶圆高速旋转来实现晶圆干燥存在的清洗干燥时间较长及容易在晶圆的表面残留缺陷的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种单片式晶圆清洗设备，所述单片式晶圆清洗设备包括：用于承载晶圆的晶圆承载台；用于驱动所述晶圆承载台的旋转驱动装置，位于所述晶圆承载台的下方，且所述旋转驱动装置的顶部与所述晶圆承载台的底部相连接；清洗装置，包括清洗管路及清洗喷嘴；其中，所述清洗管路一端与清洗液源相连接，另一端与所述清洗喷嘴相连接；所述清洗喷嘴远离所述清洗管路的一端延伸至所述晶圆承载台的上方，用于向所述晶圆承载台表面的所述晶圆喷洒清洗液；及干燥装置，包括干燥管路及干燥喷嘴；其中，所述干燥管路一端与干燥气体源相连接，另一端与所述干燥喷嘴相连接；所述干燥喷嘴远离所述干燥管路的一端延伸至所述晶圆承载台的上方，用于向所述清洗液清洗后的所述晶圆表面喷射干燥气体。作为本技术的一种优选方案，所述干燥喷嘴所在的直线与所述晶圆的表面斜交，所述干燥喷嘴与所述晶圆表面的夹角小于90度；所述干燥喷嘴所在的直线经过所述晶圆的中心。作为本技术的一种优选方案，所述干燥喷嘴远离所述干燥管路的一端距离所述晶圆表面的高度介于100mm～150mm之间。作为本技术的一种优选方案，所述单片式晶圆清洗设备还包括：气体流量控制器，位于所述干燥管路上，用于控制所述干燥管路内所述干燥气体的流量。作为本技术的一种优选方案，所述单片式晶圆清洗设备还包括：环形集液槽，位于所述晶圆承载台外围，所述环形集液槽顶部包括集液口，所述集液口的直径大于所述晶圆的直径；及排液管路，位于所述环形集液槽的下方，所述排液管路经由所述环形集液槽的底部与所述环形集液槽内部相连通；支架，至少位于所述晶圆承载台的上方，所述干燥喷嘴固定于所述支架上。本技术还提供一种单片式晶圆清洗干燥方法，所述单片式晶圆清洗干燥方法包括如下步骤：使用清洗液对晶圆进行清洗；并在旋转所述晶圆的同时使用干燥气体吹扫所述清洗液清洗后的所述晶圆的表面，以使所述晶圆的表面干燥。作为本技术的一种优选方案，向所述晶圆表面吹扫所述干燥气体的过程中，所述干燥气体的流量介于30L/min～40L/min之间。作为本技术的一种优选方案，使用干燥喷嘴向所述晶圆的表面喷射所述干燥气体，所述干燥喷嘴距离所述晶圆表面的高度介于100mm～150mm之间。作为本技术的一种优选方案，所述干燥喷嘴所在的直线与所述晶圆的表面斜交，所述干燥喷嘴与所述晶圆表面的夹角小于90度；所述干燥喷嘴所在的直线经过所述晶圆的中心。作为本技术的一种优选方案，用清洗液对晶圆进行清洗；并在旋转所述晶圆的同时使用干燥气体吹扫所述清洗液清洗后的所述晶圆的表面，以使所述晶圆的表面干燥包括如下步骤：使用清洗液对所述晶圆的正面进行清洗；在旋转所述晶圆的同时使用所述干燥气体吹扫所述晶圆的正面，以使所述晶圆的正面干燥；使用清洗液对所述晶圆的背面进行清洗；在旋转所述晶圆的同时使用所述干燥气体吹扫所述晶圆的背面，以使所述晶圆的背面干燥。如上所述，本技术单片式晶圆清洗设备，具有以下有益效果：本技术的单片式晶圆清洗设备在使用清洗液对晶圆清洗后，在旋转晶圆的同时使用干燥喷嘴向晶圆表面喷射干燥气体以对晶圆的表面进行吹扫，可以显著降低晶圆清洗后干燥所需的时间，从而可以缩短对晶圆进行清洗干燥的总时间，提高对晶圆进行清洗干燥的效率，进而提高产能；本技术的单片式晶圆清洗干燥方法在使用清洗液对晶圆清洗后，在旋转晶圆的同时使用干燥气体对晶圆的表面进行吹扫，可以显著降低晶圆清洗后干燥所需的时间，从而可以缩短对晶圆进行清洗干燥的总时间，提高对晶圆进行清洗干燥的效率，进而提高产能。附图说明图1显示为本技术实施例一中提供的单片式晶圆清洗设备的结构示意图。图2显示为本技术实施例一提供的单片式晶圆清洗设备对晶圆进行清洗工作的示意图。图3显示为本技术实施例一中提供的单片式晶圆清洗设备对晶圆进行干燥工作的示意图。图4显示为本技术实施例一中提供的单片式晶圆清洗设备中干燥喷嘴距离晶圆表面不同高度时干燥气体流量与干燥时间的曲线图。图5显示为本技术实施例一中提供的单片式晶圆清洗设备中干燥喷嘴距离晶圆正面的高度为125mm时使用不同干燥气体流量对晶圆正面进行吹扫干燥后干燥气体流量与晶圆正面缺陷数的柱状图。图6显示为本技术实施例一中提供的单片式晶圆清洗设备中干燥喷嘴距离晶圆背面的高度为125mm时使用不同干燥气体流量对晶圆背面进行吹扫干燥后干燥气体流量与晶圆背面缺陷数的柱状图。图7显示为本技术实施例一中提供的单片式晶圆清洗设备与现有单片式晶圆清洗设备的机台每小时产出量的对比柱状图；其中，三种清洗干燥方式中左侧柱状图为现有单片式晶圆清洗设备的机台每小时产出量，右侧柱状图为本技术实施例一中提供的单片式晶圆清洗设备的机台每小时产出量。元件标号说明10晶圆承载台11旋转驱动装置12清洗装置121清洗管路122清洗喷嘴13干燥装置131干燥管路132干燥喷嘴14气体流量控制器16支架17环行集液槽171集液口18排液管路19清洗液20干燥气体21晶圆α干燥喷嘴与晶圆表面的夹角具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1至图7。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想，虽图示中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。实施例一请参阅图1至图3，本技术提供一种单片式晶圆清洗设备，所述单片式晶圆清洗设备包括：用于承载晶圆21的晶圆承载台10；用于驱动所述晶圆承载台10的旋转驱动装置11，所述旋转驱动装置11位于所述晶圆承载台10的下方，且所述旋转驱动装置11的顶部与所述晶圆承载台10的底部相连接；清洗装置12，所述清洗装置12包括清洗管路121及清洗喷嘴122；其中，所述清洗管路121一端与清洗液源(未示出)相连接，另一端与所述清洗喷嘴122相连接；所述清洗喷嘴122远离所述清洗管路121的一端延伸至所述晶圆承载台10的上方，用于向所述晶圆承载台10表面的所述晶圆21喷洒清洗本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单片式晶圆清洗设备，其特征在于，所述单片式晶圆清洗设备包括：用于承载晶圆的晶圆承载台；用于驱动所述晶圆承载台的旋转驱动装置，位于所述晶圆承载台的下方，且所述旋转驱动装置的顶部与所述晶圆承载台的底部相连接；清洗装置，包括清洗管路及清洗喷嘴；其中，所述清洗管路一端与清洗液源相连接，另一端与所述清洗喷嘴相连接；所述清洗喷嘴远离所述清洗管路的一端延伸至所述晶圆承载台的上方，用于向所述晶圆承载台表面的所述晶圆喷洒清洗液；及干燥装置，包括干燥管路及干燥喷嘴；其中，所述干燥管路一端与干燥气体源相连接，另一端与所述干燥喷嘴相连接；所述干燥喷嘴远离所述干燥管路的一端延伸至所述晶圆承载台的上方，用于向所述清洗液清洗后的所述晶圆表面喷射干燥气体。

【技术特征摘要】
1.一种单片式晶圆清洗设备，其特征在于，所述单片式晶圆清洗设备包括：用于承载晶圆的晶圆承载台；用于驱动所述晶圆承载台的旋转驱动装置，位于所述晶圆承载台的下方，且所述旋转驱动装置的顶部与所述晶圆承载台的底部相连接；清洗装置，包括清洗管路及清洗喷嘴；其中，所述清洗管路一端与清洗液源相连接，另一端与所述清洗喷嘴相连接；所述清洗喷嘴远离所述清洗管路的一端延伸至所述晶圆承载台的上方，用于向所述晶圆承载台表面的所述晶圆喷洒清洗液；及干燥装置，包括干燥管路及干燥喷嘴；其中，所述干燥管路一端与干燥气体源相连接，另一端与所述干燥喷嘴相连接；所述干燥喷嘴远离所述干燥管路的一端延伸至所述晶圆承载台的上方，用于向所述清洗液清洗后的所述晶圆表面喷射干燥气体。2.根据权利要求1所述的单片式晶圆清洗设备，其特征在于，所述干燥喷嘴所在的直线与所述晶圆的表面斜交，所述干燥喷...

【专利技术属性】
技术研发人员：李欣越，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34