基片处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种对提高在基片的表面形成的有机覆膜的灰化处理的均匀性有效的基片处理装置，基片处理装置(1)包括：保持晶片(W)并使该晶片旋转的旋转保持部(30)，上述晶片在表面(Wa)具有有机覆膜；向晶片的表面照射有机覆膜的灰化用的光的光照射部(40)；以使气流能够通过晶片与光照射部之间的方式形成含氧气体的气流的气流形成部；照射控制部(114)，其控制光照射部，以使得在气流形成部在晶片与光照射部之间形成上述气流的状态下向晶片的表面照射上述光；和旋转控制部(115)，其控制旋转保持部，以使得在气流形成部在晶片与光照射部之间形成上述气流、光照射部向晶片的表面照射上述光的状态下，使晶片旋转。

Substrate Processing Unit

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置
本技术涉及基片处理装置。
技术介绍
在专利文献1中公开有一种将形成有被处理膜的基片配置在气体的流速为10cm/秒以下的含氧有氛的处理室内，向该基片照射紫外线而除去被处理膜的一部分的基片处理方法。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2016-27617号公报
技术实现思路
技术想要解决的技术问题本技术的目的在于提供一种对提高在基片的表面形成的有机覆膜的灰化处理的均匀性有效的基片处理装置。用于解决技术问题的技术方案本技术的一个方面的基片处理装置，包括：保持基片并使该基片旋转的旋转保持部，上述基片在表面具有有机覆膜；向由旋转保持部保持的基片的表面照射有机覆膜的灰化用的光的光照射部；以使气流能够通过由旋转保持部保持的基片与光照射部之间的方式形成含氧气体的气流的气流形成部；照射控制部，其控制光照射部，以使得在气流形成部在基片与光照射部之间形成含氧气体的气流的状态下，向该基片的表面照射灰化用的光；和旋转控制部，其控制旋转保持部，以使得在气流形成部在基片与光照射部之间形成含氧气体的气流、光照射部向该基片的表面照射灰化用的光的状态下，使该基片旋转。根据该基片处理装置，在气流形成部在基片与光照射部之间形成含氧气体的气流的状态下，向该基片的表面照射灰化用的光。因此，在灰化用的光的照射中，向基片与光照射部之间持续地供给氧，因此能够容易地使灰化进行至所期望的程度。并且，在气流形成部在基片与光照射部之间形成含氧气体的气流、光照射部向该基片的表面照射灰化用的光的状态下，该基片旋转。因此，能够抑制起因于气流的灰化的斑点。因而，对提高灰化的均匀性有效。基片处理装置也可以还包括：热板，其以与基片的背面相对的方式设置在旋转保持部，能够与该基片一起旋转；和加热控制部，其控制热板，以使得在削减在基片的径向上排列的区域间的灰化进展的差异的条件下，调节温度分布。根据在气流形成部在基片与光照射部之间形成含氧气体的气流、光照射部向该基片的表面照射灰化用的光的状态下，使该基片旋转的结构，特别对于提高基片的周向上的灰化的均匀性有效。不仅如此，根据按在基片的径向上排列的每个区域调节温度分布的结构，还能够提高基片的径向上的灰化的均匀性。照射控制部还可以控制光照射部，以使得在削减在基片的径向上排列的区域间的灰化进展的差异的条件下，调节灰化用的光的照射量。在这种情况下，根据按在基片的径向上排列的每个区域调节灰化用的光的照射量的结构，能够提高基片的径向上的灰化的均匀性。基片处理装置也可以还包括：改变保持于旋转保持部的基片与光照射部之间的距离的距离改变部；和距离改变控制部，其控制距离改变部，以改变该基片与光照射部之间的距离，以使得在基片与光照射部之间形成有含氧气体的气流的状态下，在该基片与光照射部的距离彼此不同的多种条件下能够照射灰化用的光。在这种情况下，能够通过改变基片与光照射部之间的距离，改变气流方向上的氧浓度的分布，提高气流方向上的灰化的均匀性。基片处理装置也可以还包括：向含氧气体添加氧的氧添加部；和添加控制部，其控制氧添加部，以使得在气流形成部在基片与光照射部之间形成含氧气体的气流、光照射部向该基片的表面照射光的状态下，向进入基片与光照射部之间之前的含氧气体添加氧。在这种情况下，通过氧的添加，能够抑制气流的下游侧的氧的不足，提高气流方向上的灰化的均匀性。因此，例如在中央部的灰化的进行相比外周部的灰化的进展较小的条件下，能够通过氧的添加减小其差异。氧添加部也可以具有供给氧的添加用的气体的供给口，供给口朝向基片与光照射部之间的中央开口。在这种情况下，通过供给氧的添加用的气体时的流速，进一步促进氧向气流的下游侧的添加。在气流形成部在基片与光照射部之间形成含氧气体的气流的状态下，光照射部也向进入该基片与光照射部之间之前的含氧气体照射灰化用的光。在这种情况下，通过在含氧气体进入基片与光照射部之间之前将氧活化，抑制含氧气体的刚进入后的活性氧的不足，能够提高气流方向上的灰化的均匀性。旋转控制部也可以控制旋转保持部，以使得随着从向基片开始照射灰化用的光时起的时间的经过，降低基片的转速。同一条件下的灰化的进展速度(以下，简称为“灰化的进展速度”。)具有随着时间的经过而降低的趋势。当在基片的旋转中灰化的进展速度发生变化时，通过基片的旋转实现的均匀性提高的作用缩小。与此相对，通过随着向基片开始照射灰化用的光时起的时间的经过，降低基片的转速，能够抑制灰化的进展速度下降的影响，上述抑制均匀性提高的作用的缩小。照射控制部也可以照射控制部控制光照射部，以使得随着从向基片开始照射灰化用的光时起的时间的经过，增加灰化用的光的照射量。在这种情况下，通过随着从向基片开始照射灰化用的光时起的时间的经过，增加灰化用的光的照射量，能够抑制灰化的进展速度下降的影响，抑制上述均匀性提高的作用的缩小。旋转控制部也可以旋转控制部控制旋转保持部，以使得在气流形成部在基片与光照射部之间形成含氧气体的气流、光照射部向该基片的表面照射灰化用的光的状态下，使该基片旋转两圈以上。在这种情况下，基片旋转一圈期间的灰化的进展速度的下降变小。由此，能够抑制上述均匀性提高的作用的缩小。气体的气技术效果根据本技术，能够提供对提高在基片的表面形成的有机覆膜进行的灰化处理的均匀性有效的基片处理装置。附图说明图1是示意地表示基片处理装置的结构的立体图。图2是沿图1中的II-II线的截面图。图3是示意地表示灰化单元的结构的截面图。图4是热板的示意的平面图。图5是照射部的示意的立体图。图6是表示控制部的硬件结构的框图。图7是表示灰化单元的处理顺序的流程图。图8是表示晶片的搬入时的灰化单元的状态的示意图。图9是表示灰化处理顺序的流程图。图10是表示灰化用的光的照射时的灰化单元的状态的示意图。图11是表示灰化处理顺序的变形例的流程图。图12是表示灰化处理顺序的另一变形例的流程图。图13是表示灰化处理顺序的又一变形例的流程图。图14是表示灰化处理顺序的又一变形例的流程图。图15是表示改变晶片与光照射部之间的距离时的灰化单元的状态的示意图。附图标记说明1基片处理装置30旋转保持部33热板40光照射部50气流形成部70距离改变部80氧添加部111加热控制部113距离改变控制部114照射控制部115旋转控制部116添加控制部W晶片(基片)Wa表面Wb背面。具体实施方式以下，参照附图，对实施方式详细说明。在说明中，对相同要素或具有相同功能的要素标注相同的附图标记，省略重复的说明。(基片处理装置)本实施方式的基片处理装置1是对基片进行保护膜(有机覆膜)的形成和通过蚀刻进行的保护膜表面的平滑化的装置。处理对象的基片例如为半导体的晶片W。保护膜例如自旋碳(SOC)等所谓的硬掩模。如图1和2所示，基片处理装置1包括彼此相邻的承载块2、处理块3和控制部100。承载块2进行晶片W向基片处理装置1内的导入和晶片W自基片处理装置1内的导出。例如，承载块2能够支承晶片W用的多个承载器11，内置有交接臂A1。承载器11例如收纳圆形的多个晶片W。交接臂A1从承载器11取出晶片W交给处理块3，从处理块3接收晶片W并返回承载器11内。处理块3具有多个液体处理单元U1、多个灰化单元U2和向这些单元搬送晶片W的搬送臂A2。液体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：保持基片并使该基片旋转的旋转保持部，所述基片在表面具有有机覆膜；向由所述旋转保持部保持的所述基片的表面照射所述有机覆膜的灰化用的光的光照射部；以使气流能够通过由所述旋转保持部保持的所述基片与所述光照射部之间的方式形成含氧气体的气流的气流形成部；照射控制部，其控制光照射部，以使得在所述气流形成部在所述基片与所述光照射部之间形成所述含氧气体的气流的状态下，向该基片的表面照射所述灰化用的光；和旋转控制部，其控制所述旋转保持部，以使得在所述气流形成部在所述基片与所述光照射部之间形成所述含氧气体的气流、所述光照射部向该基片的表面照射所述灰化用的光的状态下，使该基片旋转。

【技术特征摘要】
2017.11.13 JP 2017-2185451.一种基片处理装置，其特征在于，包括：保持基片并使该基片旋转的旋转保持部，所述基片在表面具有有机覆膜；向由所述旋转保持部保持的所述基片的表面照射所述有机覆膜的灰化用的光的光照射部；以使气流能够通过由所述旋转保持部保持的所述基片与所述光照射部之间的方式形成含氧气体的气流的气流形成部；照射控制部，其控制光照射部，以使得在所述气流形成部在所述基片与所述光照射部之间形成所述含氧气体的气流的状态下，向该基片的表面照射所述灰化用的光；和旋转控制部，其控制所述旋转保持部，以使得在所述气流形成部在所述基片与所述光照射部之间形成所述含氧气体的气流、所述光照射部向该基片的表面照射所述灰化用的光的状态下，使该基片旋转。2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：热板，其以与所述基片的背面相对的方式设置在旋转保持部，能够与该基片一起旋转；和加热控制部，其控制热板，以使得在削减在所述基片的径向上排列的区域间的灰化进展的差异的条件下，调节温度分布。3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：所述照射控制部控制所述光照射部，以使得在削减在所述基片的径向上排列的区域间的灰化进展的差异的条件下，调节所述灰化用的光的照射量。4.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：改变保持于所述旋转保持部的所述基片与所述光照射部之间的距离的距离改变部；和距离改变控制部，其控制距离改变部，以改变该基片与所述光照射部之间的距离，以使得在所述基片与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：鬼海贵也，大石雄三，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：新型
国别省市：日本,JP