半导体清洗系统技术方案

本实用新型专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体清洗系统。所述半导体清洗系统包括：至少一清洗机台，适用于清洗半导体结构；供液装置，位于所述清洗机台的外部，并与所述清洗机台连通，适用于向所述清洗机台传输混合酸溶液。本实用新型专利技术简化了清洗机台的结构，降低了半导体清洗系统的成本。

Semiconductor Cleaning System

【技术实现步骤摘要】
半导体清洗系统
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体清洗系统。
技术介绍
随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3DNOR(3D或非)闪存和3DNAND(3D与非)闪存。其中，3DNAND存储器以其小体积、大容量为出发点，将储存单元采用三维模式层层堆叠的高度集成为设计理念，生产出高单位面积存储密度、高效存储单元性能的存储器，已经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。在3DNAND存储器的制造过程中，经常需要使用各种类型的化学药液来对半导体衬底或者器件结构进行处理，例如采用酸性药液对半导体结构进行清洗。但是，在现有的半导体清洗系统清洗效率低、结构复杂、成本高昂，严重制约了存储器的生产效率。因此，如何简化半导体清洗系统的结构，降低半导体生产成本，是目前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本技术提供一种半导体清洗系统，用于解决现有的半导体清洗系统结构复杂、成本高昂的问题。为了解决上述问题，本技术提供了一种半导体清洗系统，包括：至少一清洗机台，适用于清洗半导体结构；供液装置，位于所述清洗机台的外部，并与所述清洗机台连通，适用于向所述清洗机台传输混合酸溶液。优选的，所述清洗机台有多个；所述供液装置适用于向多个所述清洗机台传输所述混合酸溶液。优选的，所述供液装置包括：多个储液罐，所述储液罐用于制备并存储所述混合酸溶液；多个所述储液罐均与所述清洗机台连接，适用于交替向所述清洗机台传输所述混合酸溶液。优选的，多个所述储液罐包括两个储液罐；所述供液装置还包括设置在所述储液罐与清洗机台之间的第一阀门，所述第一阀门用于控制与其连接的储液罐是否与所述清洗机台连通。优选的，所述混合酸溶液由若干原料混合形成；所述供液装置还包括：与若干原料一一对应的若干供液管道，所述供液管道用于传输原料至所述储液罐中。优选的，所述供液装置还包括：连接于所述储液罐与所述清洗机台之间的传输管道，所述传输管道用于向所述清洗机台传输所述混合酸溶液；所述供液管道与所述储液罐的顶端连通，所述传输管道与所述储液罐的底端连通。优选的，若干原料包括硫酸、氢氟酸、过氧化氢和水。优选的，所述供液装置还包括：与多个所述储液罐一一对应的多个冷却结构，所述冷却结构用于降低所述储液罐中的所述混合酸溶液的温度。优选的，所述冷却结构包括环绕所述储液罐外壁设置的螺旋形冷凝管；所述冷凝管适用于传输冷却水。优选的，还包括：第二阀门，设置在所述清洗机台与所述供液装置之间，所述第二阀门适用于调整所述供液装置传输至所述清洗机台的混合酸溶液的流速。本技术提供的半导体清洗系统，通过设置与清洗机台相对独立的供液装置，且在供液装置端完成混合酸溶液的制备，通过所述供液装置向所述清洗机台传输制备好的混合酸溶液，因而无需再在清洗机台端设置复杂的混合酸溶液制备结构，从而大大降低了清洗机台的结构复杂性以及半导体制造的成本。附图说明附图1是本技术具体实施方式中半导体清洗系统的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本技术提供的半导体清洗系统的具体实施方式做详细说明。在当前的湿法清洗工艺中，会采用多个清洗机台同时对若干片晶圆进行处理，以提高半导体制备的效率。湿法清洗中所使用的药液通常为混合酸溶液。因此，在当前的每一清洗机台上都配置有用于制备湿法清洗药液的反应罐。原料酸溶液(例如硫酸和/或氢氟酸)以及溶剂(例如去离子水)自外界传输至每一所述清洗机台内的反应罐中，在所述反应罐中进行混合，形成清洗药液。然后，将制备好的清洗药液自所述反应罐传输至用于容纳半导体结构的清洗腔体，以进行清洗制程。但是，由于现有技术中的反应罐都是直接整合于清洗机台上，一方面会增大清洗机台的负载；另一方面，反应罐需要与清洗机台上的各种零部件结构匹配，这就会增加清洗机台结构的复杂性，直接导致半导体制造成本的上升。而且，混合酸溶液在制备过程中会放出大量的热量，还需要在所述清洗机台中配备结构复杂、价格高昂的冷却结构，来对所述反应罐进行冷却降温，这无疑进一步增大了清洗机台的结构复杂性以及成本。同时，由于直接在清洗机台端制备清洗药液，导致在对半导体结构进行清洗之前，需要大量的前期准备时间，例如一般在清洗机台端的反应罐中完成清洗液的配制和冷却需要花费2个小时左右的时间，而反应罐中配制好的清洗药液仅能够维持清洗机台连续运行15min～30min，极大的降低了清洗机台的运行效率。为了简化清洗机台的结构，本具体实施方式提供了一种半导体清洗系统，附图1是本技术具体实施方式中半导体清洗系统的结构示意图。本具体实施方式中所述的半导体结构优选为三维存储器结构，更优选为3DNAND存储器结构。如图1所示，本具体实施方式提供的半导体清洗系统包括：至少一清洗机台10，所述清洗机台10适用于清洗半导体结构；供液装置11，位于所述清洗机台10的外部，并与所述清洗机台10连通，适用于向所述清洗机台10传输混合酸溶液。本具体实施方式将所述供液装置11与所述清洗机台10相对独立设置，并在所述供液装置11中完成混合酸溶液的制备，从而直接向所述清洗机台10传输制备好的混合酸溶液。所述清洗机台10直接采用接收到的所述混合酸溶液对半导体结构进行清洗。由于无需再在所述清洗机台10上设置反应罐以及冷却结构，从而极大的降低了所述清洗机台10的结构复杂性及成本。优选的，所述清洗机台10有多个；所述供液装置11适用于向多个所述清洗机台10传输所述混合酸溶液。本具体实施方式中通过一个供液装置可以同时向多个清洗机台10传输混合酸溶液，形成中心供液模式，从而简化了半导体清洗系统的结构，进一步降低了半导体清洗的成本。优选的，所述供液装置11包括：多个储液罐12，所述储液罐12用于制备并存储所述混合酸溶液；多个所述储液罐12均与所述清洗机台10连接，适用于交替向所述清洗机台10传输所述混合酸溶液。当所述半导体清洗系统包括多个清洗机台10时，每一所述储液罐12均同时与多个所述清洗机台10连接。多个所述储液罐12的设置，可以实现交替、持续性向各所述清洗机台10供应所述混合酸溶液，确保了所述清洗机台10的持续运行。其中，本领域技术人员可以根据实际需要，例如根据清洗机台的具体数量、待清洗的半导体器件的具体结构等，选择所述储液罐12的具体数量以及所述储液罐12的容积。更优选的，多个所述储液罐12包括两个储液罐12；所述供液装置11还包括设置在所述储液罐12与所述清洗机台10之间的第一阀门14，所述第一阀门14用于控制与其连接的储液罐12是否与多个所述清洗机台10连通。以下以至少一清洗机台10包括多个清洗机台10为例进行说明。两个所述第一阀门14一一设置在两个所述储液罐12与所述清洗机台10之间。当其中一个所述第一阀门14时，与开启的所述第一阀门14连接的所述储液罐12与多个所述清洗机台10连通，以向多个所述清洗机台10传输制备好的所述混合酸溶液；同时，另一个所述第一阀门14闭合，与闭合的所述第一阀门14连接的所述储液罐12与多个所述清洗本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体清洗系统，其特征在于，包括：至少一清洗机台，适用于清洗半导体结构；供液装置，位于所述清洗机台的外部，并与所述清洗机台连通，适用于向所述清洗机台传输混合酸溶液，所述混合酸溶液是由若干原料混合形成的DSP溶液，若干原料包括硫酸、氢氟酸、过氧化氢和水。

【技术特征摘要】
1.一种半导体清洗系统，其特征在于，包括：至少一清洗机台，适用于清洗半导体结构；供液装置，位于所述清洗机台的外部，并与所述清洗机台连通，适用于向所述清洗机台传输混合酸溶液，所述混合酸溶液是由若干原料混合形成的DSP溶液，若干原料包括硫酸、氢氟酸、过氧化氢和水。2.根据权利要求1所述的半导体清洗系统，其特征在于，所述清洗机台有多个；所述供液装置适用于向多个所述清洗机台传输所述混合酸溶液。3.根据权利要求1所述的半导体清洗系统，其特征在于，所述供液装置包括：多个储液罐，所述储液罐用于制备并存储所述混合酸溶液；多个所述储液罐均与所述清洗机台连接，适用于交替向所述清洗机台传输所述混合酸溶液。4.根据权利要求3所述的半导体清洗系统，其特征在于，多个所述储液罐包括两个储液罐；所述供液装置还包括设置在所述储液罐与清洗机台之间的第一阀门，所述第一阀门用于控制与其连接的储液罐是否与所述清洗机台连通。5.根据权利要求3所述的半导体清洗系...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾立勋，蒋阳波，徐融，夏余平，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：湖北,42