本发明专利技术实施例公开了一种半导体表面清洗剂，按重量份包括如下组份：氟碳溶剂10-60份、氢氟醚10-60份、有机醇1-20份、表面活性剂1-20份、螯合剂1-15份和稳定剂1-15份。本发明专利技术半导体表面清洗剂含氟代化合物,因而不易燃、挥发速率快，不含破坏环境的氟氯烃类化合物，对半导体表面污垢具有较好的溶解、清洗性能，适用于半导体表面残留物、助焊剂、松香、树脂、油污、指印、灰尘的清洗，清洗效果良好。也可用在电子、数码、太阳能工业产品的表面清洗上。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术设及清洗剂领域，尤其设及。
技术介绍
无机的半导体材料在电子工业、数码工业、太阳能产业中广泛采用。其污物主要是 表面残留物、助焊剂、松香、树脂、油污、指印、灰尘，清洗剂需是易挥发有机体系、且快速、高 效、通常在较低溫度下进行清洗。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种成本相对较低、使用效果佳、快速、且 在较低溫度下进行清洗的半导体表面清洗剂。 本专利技术所采用的技术方案为：一种半导体表面清洗剂，按重量份包括如下组分： 氣碳溶剂10-60份、氨氣酸10-60份、有机醇1-20份、表面活性剂1-20份、馨合剂1-15份 和稳定剂1-15份。 优选的，所述半导体表面清洗剂，按重量份包括如下组分：氣碳溶剂30-50份、氨 氣酸30-50份、有机醇5-10份、表面活性剂1-10份、馨合剂2-5份和稳定剂2-7份。 更优选的，所述半导体表面清洗剂，按重量分包括如下组分：氣碳溶剂40份、氨氣 酸50份、有机醇5份、表面活性剂1份、馨合剂2份和稳定剂2份。 优选的，所述氣碳溶剂为含Cs~C1。的氣代控化合物或其混合物，更优选的，所述 氣碳溶剂为十六氣庚烧或其它类似物的混合物。[000引优选的，所述氨氣酸为含Cs~C1。的氣代氨氣酸或其混合物，更优选的，所述氨氣 酸为九氣下基甲酸或其它类似物的混合物。 优选的，所述有机醇为含C3~C7的有机醇或其混合物，更优选的所述有机醇为异 丙醇或其它类似物的混合物。 优选的，所述表面活性剂为非离子型表面活性剂，更优选的，为非离子型氣碳表面 活性剂巧e602型）。 优选的，所述馨合剂为含C7-C2。的含N杂环类有机馨合物或其混合物，更优选的为 2-(2'-径基苯基）苯并咪挫或其类似物的混合物。 优选的，所述稳定剂为含C2-C7的氣代醇或其混合物，更优选的为S氣乙醇或其类 似物的混合物。 本专利技术还提供了一种半导体清洗剂的制备方法，主要包括如下步骤： (1)按化学式准确称量氣碳溶剂、氨氣酸、有机醇、表面活性剂、馨合剂和稳定剂； (2)将混合后的上述原料揽拌、溶解，即可制得本专利技术的半导体表面清洗剂。 实施本专利技术实施例，具有如下有益效果： 本专利技术半导体表面清洗剂含氣代化合物，因而不易燃、挥发速率快，不含破坏环 境的氣氯控类化合物，对半导体表面污垢具有较好的溶解、清洗性能。对半导体材料或产品 的表面残留物、助焊剂、松香、树脂、油污、指印、灰尘有优良的清洗效果，而且清洗需在较低 溫度下的有机体系中进行、具备快速、高效的特点。也可用在电子、数码、太阳能工业产品的 表面清洗上。【具体实施方式】 为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本专利技术作进一步地详细 描述。[001引 实施例1: 按化学式准确称量十六氣庚烧、九氣下基甲酸、异丙醇、Ee602型非离子型氣碳表 面活性剂、2-(2'-径基苯基）苯并咪挫和=氣乙醇； 控制各成份重量百分比如下： 十六氣庚烧，其用量40% ; 九氣下基甲酸，其用量50 %; 异丙醇，其用量5%;非离子型氣碳表面活性剂巧e602型，上海久±城化学有限公司），其用量1% ; 2-(2'-径基苯基）苯并咪挫，其用量2% ;S氣乙醇，其用量2%; 在制造过程中，包括：混料、揽拌、溶解等过程。先按上述原材料比例称量反应原 料，机械混合、溶解，并在超级恒溫槽中恒溫50-80°C。把含污物的半导体忍片放入，揽拌 清洗4-7分钟取出，观察清洗效果。 对比：实验条件不变，但原料中缺了馨合剂，2-(2'-径基苯基）苯并咪挫的情 况。实验结果（实验编号1、2、3、4)见表1。 实施例2: 按化学式准确称量十六氣庚烧、九氣下基甲酸、异丙醇、Ee602型非离子型氣碳表 面活性剂、2-(2'-径基苯基）苯并咪挫和=氣乙醇； 控制各成份重量百分比如下： 十六氣庚烧，其用量50%; 九氣下基甲酸，其用量30%; 异丙醇，其用量10%; 非离子型氣碳表面活性剂巧e602型，上海久±城化学有限公司），其用量2%; 2-(2'-径基苯基）苯并咪挫，其用量5%;S氣乙醇，其用量3%; 在制造过程中，包括：混料、揽拌、溶解等过程。先按上述原材料比例称量反应原 料，机械混合、溶解，并在超级恒溫槽中恒溫40-70°C。把含污物的半导体忍片放入，揽拌 清洗4-7分钟取出，观察清洗效果。 对比：实验条件不变，但原料中缺了馨合剂，2-(2'-径基苯基）苯并咪挫的情 况，实验结果（实验编号5、6、7、8)见表1。[00川 实施例3: 按化学式准确称量十六氣庚烧、九氣下基甲酸、异丙醇、Ee602型非离子型氣碳表 面活性剂、2-(2'-径基苯基）苯并咪挫和=氣乙醇； 控制各成份重量百分比如下： 十六氣庚烧，其用量30% ; 九氣下基甲酸，其用量50% ; 异丙醇，其用量8%; 非离子型氣碳表面活性剂巧e602型，上海久±城化学有限公司），其用量2% ; 2-(2'-径基苯基）苯并咪挫，其用量3%; S氣乙醇，其用量7%; 在制造过程中，包括：混料、揽拌、溶解等过程。先按上述原材料比例称量反应原 料，机械混合、溶解，并在超级恒溫槽中恒溫20-5(TC。把含污物的半导体忍片放入，揽拌 清洗4-7分钟取出，观察清洗效果。 对比：实验条件不变，但原料中缺了馨合剂，2-(2'-径基苯基）苯并咪挫的情 况，实验结果（实验编号9、10、11、12)见表1。 表1实施例实验情况表 表1包括了原料比例变化、清洗溫度变化及清洗时间变化的实验结果，结果表明： 本专利技术的半导体表面清洗剂，是优良的半导体材料清洗剂，可W有效地清洗半导体表面的 各种污染物。由于半导体材料在电子工业、数码工业、太阳能产业中广泛采用，因此对运类 清洗材料的需求很大，市场化前景十分广阔。 实施例4 : 按化学式准确称量十六氣庚烧、九氣下基甲酸、异丙醇、Ee602型非离子型氣碳表 面活性剂、2-(2'-径基苯基）苯并咪挫和=氣乙醇； 控制各成份重量百分比如下： 十六氣庚烧，其用量80%; 九氣下基甲酸，其用量10% ; 异丙醇，其用量2%; 非离子型氣碳表面活性剂巧e602型，上海久±城化学有限公司），其用量3%; 2-(2'-径基苯基）苯并咪挫，其用量2%; S氣乙醇，其用量3%; 在制造过程中，包括：混料、揽拌、溶解等过程。先按上述原材料比例称量反应原 料，机械混合、溶解，并在超级恒溫槽中恒溫50-80°C。 实施例5: 按化学式准确称量十六氣庚烧、九氣下基甲酸、异丙醇、Ee602型非离子型氣碳表 面活性剂、2-(2'-径基苯基）苯并咪挫和=氣乙醇； 控制各成份重量百分比如下： 十六氣庚烧，其用量10%; 九氣下基甲酸，其用量60% ; 异丙醇，其用量10%; 非离子型氣碳表面活性剂巧e602型，上海久±城化学有限公司），其用量10%; 2-(2'-径基苯基）苯并咪挫，其用量5%; S氣乙醇，其用量5%; 在制造过程中，包括：混料、揽拌、溶解等过程。先按上述原材料比例称量反应原 料，机械混合、溶解，并在超级恒溫槽中恒溫50-80°C。 实施例6 : 按化学式准确称量十六氣庚烧、九氣下基甲酸、异丙醇、Ee602型非离子型氣碳表 面活性剂、2-(2'-径基苯基）苯并咪挫和=氣乙醇； 控制各成份重量百分比如下： 十六氣庚烧，其本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体表面清洗剂，其特征在于，按重量份包括如下组分：氟碳溶剂10‑60份、氢氟醚10‑60份、有机醇1‑20份、表面活性剂1‑20份、螯合剂1‑15份和稳定剂1‑15份。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：童义平，
申请(专利权)人：惠州学院，
类型：发明
国别省市：广东;44
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