【技术实现步骤摘要】
本申请涉及热变形仿真，特别涉及一种用于梯度材料制备的热膨胀系数获取方法、系统及设备。
技术介绍
1、新一代电子器件带来更快的运算速度和更高的集成度，功率密度的大幅增加必然使单位面积散热量迅速增加，这导致电子器件必然的故障和不可逆的损伤。电子元器件热失效问题已成为电子工业持续快速发展的障碍。电子器件因温度导致的失效是通常因为封装底板随时间变化和空间温度梯度引起界面几何失配造成其弯曲变形或断裂，界面热阻急剧增加导致其温度进一步升高而损毁器件。
2、热应力是电子器件中常见的问题之一，长时间的热循环和温度变化会导致器件的热膨胀不均匀，进而产生应力集中和变形。这种变形可能会影响器件的性能和可靠性，缩短其使用寿命。
技术实现思路
1、本申请为解决电子器件长时间的热循环和温度变化导致器件的热膨胀不均匀，进而产生应力集中和变形的技术问题，提供一种用于梯度材料制备的热膨胀系数获取方法、系统及设备。
2、具体的，本申请提供一种用于梯度材料制备的热膨胀系数获取方法，包括以下步骤：
...【技术保护点】
1.一种用于梯度材料制备的热膨胀系数获取方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的用于梯度材料制备的热膨胀系数获取方法，其特征在于，在执行步骤S100之前，包括：
3.根据权利要求2所述的用于梯度材料制备的热膨胀系数获取方法，其特征在于，所述步骤S100中的获取温度场仿真数据包括：
4.根据权利要求3所述的用于梯度材料制备的热膨胀系数获取方法，其特征在于，在所述步骤S200中的随机生成预设组热膨胀系数之前，还包括：
5.根据权利要求4所述的用于梯度材料制备的热膨胀系数获取方法，其特征在于，所述步骤S200
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【技术特征摘要】
1.一种用于梯度材料制备的热膨胀系数获取方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的用于梯度材料制备的热膨胀系数获取方法，其特征在于，在执行步骤s100之前，包括：
3.根据权利要求2所述的用于梯度材料制备的热膨胀系数获取方法，其特征在于，所述步骤s100中的获取温度场仿真数据包括：
4.根据权利要求3所述的用于梯度材料制备的热膨胀系数获取方法，其特征在于，在所述步骤s200中的随机生成预设组热膨胀系数之前，还包括：
5.根据权利要求4所述的用于梯度材料制备的热膨胀系数获取方法，其特征在于，所述步骤s200包括：
6.一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵军峰，张钧亮，龚伟平，李凯，沈悠曲，林茜，
申请(专利权)人：惠州学院，
类型：发明
国别省市：
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