包括导热层的半导体封装件制造技术

提供了一种包括导热层的半导体封装件。所述半导体封装件包括：半导体芯片，具有作为有效表面的第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一再分布部，设置在第一表面上，第一再分布部包括电连接到半导体芯片的下布线层；导热层，设置在半导体芯片的第二表面上；密封层，围绕半导体芯片的侧表面和导热层的侧表面；以及第二再分布部，设置在密封层上，第二再分布部包括连接到导热层的第一上布线层，第二再分布部包括电连接到半导体芯片的第二上布线层。

Semiconductor Packages Including Thermal Conductivity Layers

【技术实现步骤摘要】
包括导热层的半导体封装件本申请要求于2018年1月29日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0010699号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用而全部包含于此。
本专利技术构思涉及一种半导体封装件和制造该半导体封装件的方法。
技术介绍
随着电子工业的发展，对电子组件的高性能、高速以及小型化的需求不断增长。根据这种趋势，对电子组件中使用的半导体芯片的小型化以及多功能化的需求也在增长。因此，具有精细间距连接端子的半导体芯片是有益的，并且正在开发具有用于再分布到半导体芯片外部的各种结构的扇出半导体封装件。
技术实现思路
本专利技术构思的一方面提供了一种具有改善的可靠性的半导体封装件。根据本专利技术构思的一方面，半导体封装件包括：半导体芯片，具有作为有效表面的第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一再分布部，设置在第一表面上，第一再分布部包括电连接到半导体芯片的下布线层；导热层，设置在半导体芯片的第二表面上；密封层，围绕半导体芯片的侧表面和导热层的侧表面；以及第二再分布部，设置在密封层上，第二再分布部包括连接到导热层的第一上布线层，第二再分布部包括电连接到半导体芯片的第二上布线层。根据本专利技术构思的一方面，半导体封装件包括：核心层，具有贯穿孔；半导体芯片，具有作为有效表面的第一表面和与第一表面相对的第二表面，半导体芯片安装在核心层的贯穿孔中；第一再分布部，设置在第一表面上，第一再分布部包括电连接到半导体芯片的下布线层；导热层，设置在半导体芯片的第二表面上；密封层，围绕半导体芯片的侧表面和导热层的侧表面；以及第二再分布部，设置在密封层上，第二再分布部包括连接到导热层的第一上布线层，第二再分布部包括通过核心层电连接到第一再分布部的第二上布线层。根据本专利技术构思的一方面，半导体封装件包括：半导体芯片；第一再分布部，设置在半导体芯片的下表面上，第一再分布部包括电连接到半导体芯片的下布线层；导热层，设置在半导体芯片的上表面上，导热层在平面图中具有与半导体芯片的面积相同的面积；以及第二再分布部，设置在导热层上，第二再分布部包括连接到导热层的上布线层。附图说明图1和图2分别是根据本专利技术构思的示例实施例的半导体封装件的示意性平面图和剖视图；图3是示出图2的半导体封装件的一部分的分解透视图；图4至图6是根据本专利技术构思的示例实施例的半导体封装件的示意性剖视图；图7和图8是根据本专利技术构思的示例实施例的半导体封装件的示意性剖视图；图9是根据本专利技术构思的示例实施例的半导体封装件的示意性剖视图；图10是用于解释根据本专利技术构思的示例实施例的半导体封装件的散热特性的曲线图；图11A至图11H是示出根据本专利技术构思的示例实施例的制造半导体封装件的方法的步骤的示意图；以及图12是根据本专利技术构思的示例实施例的半导体封装件的示意性剖视图。具体实施方式在下文中，将参照附图描述本专利技术构思的优选实施例。图1和图2分别是根据示例实施例的半导体封装件的示意性平面图和剖视图。在图1中省略了设置在第一上过孔164a的上部和第二上过孔164b的上部上的组件。图3是示出图2的半导体封装件的一部分的分解透视图。参照图1至图3，半导体封装件100可以包括：半导体芯片120；第一再分布部110(也被描述为第一再分布层)，设置在半导体芯片120的下部上；导热层130，设置在半导体芯片120的上部上；密封层150，围绕半导体芯片120的侧表面和导热层130的侧表面；以及第二再分布部160，设置在密封层150上并连接到导热层130。半导体封装件100还可以包括：核心层140，具有贯穿孔CA以使半导体芯片120安装在贯穿孔CA中；第一钝化层170，设置在第二再分布部160的上部上；第二钝化层180，设置在第一再分布部110的下部上；垫(pad，也可以称为焊盘)金属层190；以及连接端子195。半导体封装件100可以是其中半导体芯片120的连接垫122在外部再分布的扇出型半导体封装件。核心层140可以包括穿透核心层140的上表面和下表面的贯穿孔CA，以使半导体芯片120安装在贯穿孔CA中。如图1中所示，贯穿孔CA可以形成在核心层140的中心处，但贯穿孔CA的数量和布置不限于附图中示出的那些。例如，可以在核心层140中形成两个或更多个贯穿孔CA，以安装各个半导体芯片120(例如，相同或不同的芯片)。在一些实施例中，贯穿孔CA可以不完全穿透核心层140的下表面，并且可以具有腔形状。例如，核心层140可以具有含有封闭的底部以及敞开的顶部的凹部，并且半导体芯片120可以安装在该凹部中。核心层140可以包括核心绝缘层141、核心布线层142和核心过孔144。核心布线层142和核心过孔144可以被布置为使核心层140的上表面和下表面(例如，形在上表面和下表面上的导体图案)电连接。核心布线层142可以设置在核心绝缘层141内部，但不局限于此。例如，核心布线层142中的一些可以形成在核心层140的上表面和/或下表面上。例如，核心布线层142中的一些可以从核心层140的上表面和/或下表面暴露。在核心布线层142之中通过核心层140的下表面暴露的核心布线层142可以嵌入在核心绝缘层141中，并且可以根据制造工艺形成具有这样的结构。核心绝缘层141可以包括绝缘材料，例如，诸如环氧树脂的热固性树脂或诸如聚酰亚胺的热塑性树脂，并且还可以包括无机填充剂。可选地，核心绝缘层141可以包括浸渍有诸如玻璃纤维、玻璃布或玻璃织物等的核心材料和例如预浸料、ABF(AjinomotoBuild-upFilm)、FR-4或BT(双马来酰亚胺三嗪)等的无机填充剂的树脂。半导体芯片120可以安装在核心层140的贯穿孔CA中，并且可以被设置为与贯穿孔CA的内壁分开。例如，半导体芯片120可以被设置为与核心层140的贯穿孔CA的全部内壁分开。半导体芯片120可以包括逻辑半导体芯片和/或存储器半导体芯片。逻辑半导体芯片可以是微处理器，例如，中央处理单元(CPU)、控制器或专用集成电路(ASIC)等。存储器半导体芯片可以是易失性存储器(诸如动态随机存取存储器(DRAM)或静态随机存取存储器(SRAM)等)或者非易失性存储器(诸如闪存等)。半导体芯片120可以包括连接垫122和设置在半导体芯片120的下表面上的覆盖层123。例如，覆盖层123可以是覆盖各个连接垫122的部分和半导体芯片120的下表面的绝缘层。在本示例实施例中，半导体芯片120的下表面可以是有效表面(activesurface，也可以称为有源表面)，并且连接垫122可以设置在该有效表面上。与半导体芯片120的下表面相对的上表面可以是无效表面，而有效表面的布置位置可以根据示例实施例而变化。连接垫122可以被设置为使半导体芯片120电连接到其它组件。例如，再分布层或凸块等可以设置在半导体芯片120的下表面上，并且可以连接到连接垫122。例如，再分布层可以是形成第一再分布部110(例如，下布线层112)的层或形成下过孔114的层。连接垫122可以由导电材料(例如，铝(Al))制成。覆盖层123可以被设置为使位于半导体芯片120的下表面上的连接垫122暴露。覆盖层123可以包括氧化硅膜和/或氮化硅膜。例如，覆盖层123可以使连接垫122中的每一个部分地暴露。第一再分本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一半导体芯片，具有作为有效表面的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第一再分布部，设置在所述第一表面上，所述第一再分布部包括电连接到所述第一半导体芯片的下布线层；导热层，设置在所述第一半导体芯片的所述第二表面上；密封层，围绕所述第一半导体芯片的侧表面和所述导热层的侧表面；以及第二再分布部，设置在密封层上，所述第二再分布部包括连接到所述导热层的第一上布线层，所述第二再分布部包括电连接到所述第一半导体芯片的第二上布线层。

【技术特征摘要】
2018.01.29 KR 10-2018-00106991.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一半导体芯片，具有作为有效表面的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第一再分布部，设置在所述第一表面上，所述第一再分布部包括电连接到所述第一半导体芯片的下布线层；导热层，设置在所述第一半导体芯片的所述第二表面上；密封层，围绕所述第一半导体芯片的侧表面和所述导热层的侧表面；以及第二再分布部，设置在密封层上，所述第二再分布部包括连接到所述导热层的第一上布线层，所述第二再分布部包括电连接到所述第一半导体芯片的第二上布线层。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述导热层的所述侧表面与所述第一半导体芯片的所述侧表面共面。3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二再分布部还包括设置在所述第一上布线层与所述导热层之间的上过孔，所述上过孔使所述第一上布线层和所述导热层连接。4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述导热层的上表面与所述上过孔和所述密封层接触。5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述导热层的厚度小于所述第一半导体芯片的厚度。6.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括包含所述第一上布线层的一部分的虚设再分布部，所述部分是未施加电信号的虚设布线层。7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，接地信号被施加到所述第一上布线层。8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一上布线层电连接到所述第二上布线层。9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，相对于包括所述第一半导体芯片的所述第一表面的平面，所述第一上布线层和所述第二上布线层设置在相同高度水平处。10.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括设置在所述第一半导体芯片与所述导热层之间的阻挡层，所述阻挡层包括金属。11.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：具有贯穿孔的核心层，所述第一半导体芯片安装在所述贯穿孔内，其中，所述密封层填充在所述第一半导体芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：金载春，朴佑炫，张彦铢，赵暎相，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR