一种化学气相沉积设备的载具制造技术

一种化学气相沉积设备的载具，包括多个气体管道以及多个出气孔，每个所述气体管道通过每个对应的所述出气孔排出气体，其特征在于，每个气体管道设置于载具内部，其中每个气体管道具有至少一个弯曲处，且每个弯曲处为圆滑曲面。本实用新型专利技术通过在载具内的气体管道的弯曲处设置圆滑曲面，减少反应辅助气体冲蚀气体管道造成气体管道破损的现象，进而延长载具使用寿命。

A Vehicle for Chemical Vapor Deposition Equipment

【技术实现步骤摘要】
一种化学气相沉积设备的载具
本技术是涉及一种化学气相沉积设备
，特别是关于一种应用于金属有机物化学气相沉积设备的载具。
技术介绍
化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，CVD)工艺是一种用来产生纯度高、效能好的固态材料的工艺，而其中金属有机物化学气相沉积(Metal-organicChemicalVaporDeposition，MOCVD)工艺是一种利用有机金属热分解反应进行气相外延生长薄膜的化学气相沉积工艺，常用于制备金属或氧化物薄膜或是各种金属化合物薄膜，具有成本低、操作简单、产物纯度高等特点。以MOCVD工艺为例，MOCVD工艺中所使用的反应辅助气体通常为氢气或钝气，当MOCVD工艺实施时，反应辅助气体用于吹动晶圆旋转以提高薄膜制备效果，或是作为洗涤气流(purgeflow)清除反应室内残留的反应气体。现有技术中，反应辅助气体一般通过载具内部的气体管道进入反应室内，然而载具内部的气体管道通常受限于载具体积必须制作为具有多个弯曲处，当反应辅助气体通过这些气体管道的弯曲处时，反应辅助气体的气流会不断冲蚀这些气体管道的管壁，而这种气体的流体力学行为容易造本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学气相沉积设备的载具，包括多个气体管道以及多个出气孔，每个所述气体管道通过每个对应的所述出气孔排出气体，其特征在于：每个所述气体管道设置于所述载具内部，其中每个所述气体管道具有至少一个弯曲处，且每个所述弯曲处为圆滑曲面。

【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积设备的载具，包括多个气体管道以及多个出气孔，每个所述气体管道通过每个对应的所述出气孔排出气体，其特征在于：每个所述气体管道设置于所述载具内部，其中每个所述气体管道具有至少一个弯曲处，且每个所述弯曲处为圆滑曲面。2.如权利要求1所述的化学气相沉积设备的载具，其特征在于，每个所述气体管道的弯曲处的R角半径介于0.1至3.0mm之间。3.如权利要求1所述的化学气相沉积...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢彦勋，陈彦良，大藤彻，谢明达，
申请(专利权)人：捷苙科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾,71