【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子器件封装
本文描述的实施例总体上涉及电子器件封装,并且更具体地涉及电子器件封装中的互连组件。
技术介绍
随着移动(例如,蜂窝电话、平板电脑等)和可穿戴市场需要更多功能,存储和性能、组件密度逐渐提高,以在这些小形状因子的应用中提供空间节约。例如,用于这些应用的系统级封装(SiP)通常需要多堆叠管芯以及异构集成电路和组件集成技术。在这些SiP中广泛实现高密度互连(HDI)基板。多堆叠管芯通常以引线键合连接电连接到基板。附图说明根据下面结合附图的详细描述,专利技术特征和优点将变得清楚,附图通过示例的方式一起例示了各种专利技术实施例;并且,其中:图1例示了根据示例实施例的电子器件封装的示意性截面图;图2A和2B例示了根据示例实施例的电子器件封装的中介层的示意性截面图;图3A-3G例示了根据示例实施例的用于制造电子器件封装的方法的各方面;图4A-4F例示了根据另一示例实施例的用于制造电子器件封装的方法的各方面;以及图5是示例性计算系统的示意图。现在将参考所例示的示例性实施例,并且本文将使用特定语言来描述它们。然而,将要理解的是,在此没有限制范围或将范围局限于特定的专利技术实施例的意图。具体实施方式在公开和描述专利技术实施例之前,应当理解,不旨在限制到本文公开的特定结构、工艺步骤或材料,而是还要包括相关领域的普通技术人员将认识到的其等同物。还应该理解,本文采用的术语仅用于描述特定示例的目的并且不旨在进行限制。不同附图中的相同附图标记表示相同元素。在流程图和过程中提供的数字是为了例示步骤和操作中的清楚性提供的,并不一定指示特定的顺序或序列。除非另有定义,否则本文使用 ...
【技术保护点】
1.一种电子器件封装,包括:电子组件;再分布层;以及电耦合所述再分布层与所述电子组件的中介层,所述中介层在顶侧上具有电耦合到所述电子组件的互连接口并且在底侧上具有电耦合到所述再分布层的互连接口,其中顶侧上的互连接口的密度大于底侧上的互连接口的密度。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电子器件封装,包括:电子组件;再分布层;以及电耦合所述再分布层与所述电子组件的中介层,所述中介层在顶侧上具有电耦合到所述电子组件的互连接口并且在底侧上具有电耦合到所述再分布层的互连接口,其中顶侧上的互连接口的密度大于底侧上的互连接口的密度。2.根据权利要求1所述的电子器件封装,其中,所述中介层顶侧上的互连接口包括引线键合平台。3.根据权利要求2所述的电子器件封装,其中,通过引线键合连接来电耦合所述中介层与所述电子组件。4.根据权利要求1所述的电子器件封装,其中,所述中介层底侧上的互连接口包括焊盘。5.根据权利要求1所述的电子器件封装,还包括包封所述电子组件和所述中介层的模塑料。6.根据权利要求5所述的电子器件封装,其中,所述模塑料包括环氧树脂。7.根据权利要求1所述的电子器件封装,其中,所述再分布层包括单个层。8.根据权利要求1所述的电子器件封装,其中,所述电子组件包括以堆叠布置的多个电子组件。9.根据权利要求8所述的电子器件封装,其中,所述多个电子组件中的至少一些通过引线键合连接彼此电耦合。10.根据权利要求1所述的电子器件封装,还包括第二电子组件,以及电耦合所述再分布层与所述第二电子组件的第二中介层。11.根据权利要求10所述的电子器件封装,其中,所述第二电子组件包括以堆叠布置的多个第二电子组件。12.根据权利要求11所述的电子器件封装,其中,所述多个第二电子组件中的至少一些通过引线键合连接彼此电耦合。13.根据权利要求1所述的电子器件封装,还包括互连结构,其耦合到所述再分布层的底侧,以促进所述电子器件封装与外部电子组件的电耦合。14.根据权利要求13所述的电子器件封装,其中,所述互连结构包括焊球。15.根据权利要求1所述的电子器件封装,其中,所述电子组件包括集成电路。16.根据权利要求15所述的电子器件封装,其中,所述集成电路包括专用集成电路、计算机存储器、或其组合。17.根据权利要求1所述的电子器件封装,其中,所述互连接口的密度由所述互连接口的间距来定义。18.一种电子器件封装前体,包括:临时载体;以及由所述临时载体支撑的中介层,所述中介层在顶侧上具有互连接口以电耦合到电子组件并且在底侧上具有互连接口以电耦合到再分布层,其中,顶侧上的互连接口的密度大于底侧上的互连接口的密度。19.根据权利要求18所述的电子器件封装前体,还包括粘合剂层,所述粘合剂层设置在所述临时载体上并与所述中介层的底侧接触。20.根据权利要求19所述的电子器件封装前体,还包括电子组件,所述电子组件由所述临时载体支撑并与所述粘合剂层接触。21.根据权利要求20所述的电子器件封装前体,其中,所述电子组件电耦合到所述中介层。22.根据权利要求21所述的电子器件封装前体,其中,所述中介层顶侧上的互连接口包括引线键合平台。23.根据权利要求22所述的电子器件封装前体,其中,通过引线键合连接来电耦合所述中介层与所述电子组件。24.根据权利要求20所述的电子器件封装前体,还包括包封所述电子组件和所述中介层的模塑料。25.根据权利要求24所述的电子器件封装前体,其中,所述模塑料包括环氧树脂。26.根据权利要求20所述的电子器件封装前体,其中,所述电子组件包括以堆叠布置的多个电子组件。27.根据权利要求26所述的电子器件封装前体,其中,所述多个电子组件中的至少一些通过引线键合连接彼此电耦合。28.根据权利要求20所述的电子器件封装前体,还包括由所述临时载体支撑的第二电子组件,以及由所述临时载体支撑并与所述粘合剂层接触的第二中介层,所述第二中介层电耦合到所述第二电子组件。29.根据权利要求28所述的电子器件封装前体,其中,所述第二电子组件包括以堆叠布置的多个第二电子组件。30.根据权利要求29所述的电子器件封装前体,其中,所述多个第二电子组件中的至少一些通过引线键合连接彼此电耦合。31.根据权利要求20所述的电子器件封装前体,其中,所述电子组件包括集成电路。32.根据权利要求31所述的电子器件封装前体,其中,所述集成电路包括专用集成电路、计算机存储器、或其组合。33.根据权利要求18所述的电子器件封装前体,还包括再分布层,所述再分布层由所述临时载体支撑并电耦合到所述中介层。34.根据权利要求33所述的电子器件封装前体,还包括由所述临时载体支撑的电子组件。35.根据权利要求34所述的电子器件封装前体,其中,所述电子组件电耦合到所述中介层。36.根据权利要求35所述的电子器件封装前体,其中,所述中介层顶侧上的互连接口包括引线键合平台。37.根据权利要求36所述的电子器件封装前体,其中,通过引线键合连接来电耦合所述中介层与所述电子组件。38.根据权利要求34所述的电子器件封装前体,还包括包封所述电子组件和所述中介层的模塑料。39.根据权利要求38所述的电子器件封装前体,其中,所述模塑料包括环氧树脂。40.根据权利要求33所述的电子器件封装前体,其中,所述再分布层包括单个层。41.根据权利要求34所述的电子器件封装前体,其中,所述电子组件包括以堆叠布置的多个电子组件。42.根据权利要求41所述的电子器件封装前体,其中,所述多个电子组件中的至少一些通过引线键合连接彼此电耦合。43.根据权利要求34所述的电子器件封装前体,还包括由所述临时载体支撑的第二电子组件,以及由所述临时载体支撑的第二中介层,所述第二中介层电耦合到所述再分布层和所述第二电子组件。44.根据权利要求43所述的电子器件封装前体,其中,...
【专利技术属性】
技术研发人员:Z丁,B刘,Y佘,HI金,
申请(专利权)人:英特尔公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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